板(或上部面板)具有加热手段。在晶舟的下部面板(或上部面板)具有第I加热体的方式可由以下两种方式实现。其中一个是如图11所示在下部面板(或上部面板)埋设加热手段的情况，另一方式是如图12所示在下部面板的底面放置加热面板的构造。
[0052]第I种方式，如图11所示在下部面板320及上部面板310埋设如同热线的第I加热体的情况，可将热直接供应于在下部面板320及上部面板310之间间隔层叠的基板。
[0053]第2种方式是如图12所示的加热手段，在单独放置加热面板的构造中，加热下部面板可将热能间接供应于基板。具有放置加热面板构造的情况，第I加热体由支撑轴360及加热面板350构成，其中支撑轴360相互间隔地连接所述下部面板320与晶舟支撑架420，加热面板350被支撑轴固定，并且水平形成在所述下部面板320与晶舟支撑架420之间的间隔空间。加热面板350，可水平层叠多个加热面板350来产生热量。这种加热面板350，由在面板本身产生热的导电体实现，或在加热面板内部埋设热线等来产生热量。
[0054]另一方面，在腔室外壳的加热手段为第2加热体的情况，第2加热体形成在腔室外壳，即在上层腔室外部外壳或上层腔室内部外壳中，可在其中一个以上形成第2加热体。这种第2加热体，在上层腔室外部外壳壁体的内壁与上层腔室内部外壳壁体的外壁中，在其中一个以上可形成第2加热体，第2加热体可由如同热线等多样的加热手段实现，图10是图示在上层腔室内部外壳内壁形成第2加热体热线的图面。第2加热体的实施例是热线121 (heat line)，在上层腔室外部外壳120的内侧壁形成锯齿等的形状，或可在上层腔室内部外壳的外侧壁形成锯齿等的形状。另外，热线121可凸出形成在上层腔室外部外壳的内侧壁(或上层腔室内部外壳的内侧壁)，或热线121也可埋设形成在上层腔室外部外壳的壁体(或上层腔室内部外壳的壁体)。另外，热线121可调节温度以使按腔室外壳壁体的区域分别调节相互不同的温度。根据需要的区域可分别调节温度，进而通过按区域分别调节温度可相同地维持腔室内的上下部温度。例如，工序气体排放空间体部分的温度过于低于其它部分的情况，可控制热线温度以使在工序气体排放空间体位置的壁体温度更高。另外，可将腔室外壳的加热区域分为4个区域(zone)，根据情况可缩减或增加加热区域的数量。
[0055]另一方面，根据本发明实施例的处理腔室及基板处理装置，可适用于化学气相沉积装置(CVD)、原子层沉积装置(ALD)等多样的工序装置。另外，根据本发明实施例，利用在侧壁喷射气体排放到另一侧的处理腔室，可制造LED元件、储存元件等半导体，并且不限定于此也可适用于制造IXD、SOLAR等的平板面板基板。
[0056]另外，在上述说明的根据本发明实施例的处理腔室，下层腔室外壳起到基板安装腔室的作用，上层腔室外壳起到喷射工序气体的处理腔室的作用。应该明确本发明不限定于此，且也可适用于下层腔室外壳起到喷射工序气体的处理腔室的作用的构成，上层腔室外壳起到基板安装腔室的作用的构成。
[0057]本发明参照【附图说明】了上述优选实施例，但是本发明不限定于此，而是被后述的专利请求范围限定，因此在本技术领域具有通常知识的技术人员，在不超出后述专利请求范围的技术思想范围内，可多样的变形及修改本发明。
【主权项】
1.一种基板加热装置，具备处理腔室，包括:晶舟，其上下间隔层叠多个基板；腔室外壳，所述晶舟位于其内部空间，通过内部侧壁的喷射孔将工序气体流到在晶舟间隔层叠的基板之间，其特征在于，包括: 第一加热体，其在所述晶舟下部产生热来加热基板。
2.根据权利要求1所述的处理腔室，其特征在于， 所述晶舟，包括: 上部面板； 下部面板； 多个支撑杆，其连接所述上部面板与下部面板； 多个基板安装槽，其形成在所述支撑杆的侧壁。
3.根据权利要求2所述的基板加热装置，其特征在于， 所述第I加热体形成在下部面板的上部面或上部面板的下部面。
4.根据权利要求2所述的基板加热装置，其特征在于， 所述第I加热体埋设在下部面板的内部或上部面板的内部。
5.根据权利要求2所述的基板加热装置，其特征在于， 所述晶舟升降手段，包括: 晶舟支撑架，其支撑所述下部面板； 升降旋转驱动轴，其贯通所述下层腔室外壳的底面来上升及下降所述晶舟支撑架。
6.根据权利要求5所述的基板加热装置，其特征在于， 所述第I加热体，包括: 支撑轴，其使所述下部面板与晶舟支撑架相互间隔地连接； 加热面板，其被所述支撑轴固定，并且其水平形成于所述下部面板与晶舟支撑架之间的间隔空间。
7.根据权利要求1所述的基板加热装置，其特征在于，包括: 第2加热体，其在所述腔室外壳的壁体产生热来加热基板。
8.根据权利要求7所述的基板加热装置，其特征在于， 所述第2加热体为热线。
9.根据权利要求8所述的基板加热装置，其特征在于， 所述热线在腔室外壳的内侧壁凸出形成。
10.根据权利要求8所述的基板加热装置，其特征在于， 所述热线埋设形成在腔室外壳的壁体。
11.根据权利要求9至10中任意一项所述的基板加热装置，其特征在于， 所述热线， 其按腔室外壳壁体的区域分别不同地调节温度。
12.—种处理腔室，其特征在于，包括: 晶舟，其上下间隔层叠多个基板； 腔室外壳，其将所述晶舟上升而位于其内部空间，在侧壁水平方向喷射工序气体来流到间隔层叠的基板之间后排放到外部； 晶舟升降手段，其将所述晶舟升降到所述腔室外壳的内部； 基板移送闸门，其贯通所述腔室外壳的一侧壁； 加热手段，其加热在所述腔室外壳的内部空间的晶舟内间隔层叠的基板。
13.根据权利要求12所述的处理腔室，其特征在于， 所述腔室外壳，包括: 下层腔室外壳，其具有作为其内部空间的第I内部空间； 上层腔室外壳，其位于所述下层腔室外壳的上层，具有作为其内部空间的第2内部空间，且在一侧内壁喷射工序气体流到间隔层叠的基板之间后排放到外部。
14.根据权利要求13所述的处理腔室，其特征在于， 所述加热手段是第一加热体，所述第I加热体在所述晶舟下部产生热来加热基板。
15.根据权利要求14所述的处理腔室，其特征在于， 所述晶舟，包括: 上部面板； 下部面板； 多个支撑杆，其连接所述上部面板与下部面板； 多个基板安装槽，其形成在所述支撑杆的侧壁。
16.根据权利要求15所述的处理腔室，其特征在于， 所述第I加热体形成在下部面板的上部面或上部面板的下部面。
17.根据权利要求15所述的处理腔室，其特征在于， 所述第I加热体埋设在下部面板的内部或上部面板的内部。
18.根据权利要求15所述的处理腔室，其特征在于 所述晶舟升降手段，包括: 晶舟支撑架，其支撑所述下部面板； 升降旋转驱动轴，其贯通所述下层腔室外壳的底面来上升及下降所述晶舟支撑架。
19.根据权利要求18所述的处理腔室，其特征在于， 所述第I加热体，包括: 支撑轴，其使所述下部面板与晶舟支撑架相互间隔地连接； 加热面板，其被所述支撑轴固定，并且其水平形成于所述下部面板与晶舟支撑架之间的间隔空间。
20.根据权利要求13所述的处理腔室，其特征在于，包括: 第2加热体，其在所述腔室外壳的壁体产生热来加热基板。
【专利摘要】本发明涉及具有基板加热装置的处理腔室，本发明实施形态的基板加热装置，根据处理腔室的加热装置，包括：第一加热体，其在所述晶舟下部产生热来加热基板，其中处理腔室，包括：晶舟，其上下间隔层叠多个基板；腔室外壳，所述晶舟位于其内部空间，通过内部侧壁将工序气体流到在晶舟间隔层叠的基板之间。还有，所述晶舟，上部面板；下部面板；多个支撑杆，其连接所述上部面板与下部面板；多个基板安装槽，其形成在所述支撑杆的侧壁。
【IPC分类】H01L21-205, H01L21-02
【公开号】CN104620354
【申请号】CN201380041765
【发明人】尹松根, 李种华, 高赫俊, 李障赫
【申请人】新意技术股份有限公司
【公开日】2015年5月13日
【申请日】2013年4月3日
【公告号】US20150159272, WO2014003297A1