述步骤，用同样的方法再测量出硅基片I其他两个方向确定两个点及其坐标，继而确定出硅基片在干膜下的准确位置，根据所确定出的硅基片I位置对应放置掩膜板3使掩膜板3与干膜2贴合时与其下的硅基片完全重合。上述方法所用原理是，确定的三个不在同一直线上点可以确定一个平面。通过这种方法来确定硅基片I的位置，操作简便，工作效率高，减少了对硅基片I的破坏。
[0021]在本实施例中测量确定出干膜2下硅基片I的具体位置还可以是采用CXD(Charge-coupled Device)拍照的方法来确定娃片的位置,利用了娃基片I边缘干膜2高度变化原理，通过线阵CXD得到CXD各像素强度不同的输出值，这些数值能反应干膜2表面高度的变化特征，因此就可以直观的反应出干膜2下硅基片I的具体位置就可以实现掩膜板3与硅基片I的精确对位。
[0022]对经过上述步骤处理的带有掩膜板的硅基片I采用敏感光进行曝光，更具体的，所述的敏感光为强紫外光。曝光后由于曝光的干膜2会发生化学反应，没有曝光的干膜2则不会发生化学反应，所以在干膜2上面就出现掩膜板的栅格图形。
[0023]对曝光处理后的硅基片I进行显影处理，具体方法是在显影室内将曝光后的硅基片I放入显影机中做喷淋显影处理，该过程中根据所选用的干膜种类的不同，配合掩膜板的使用，其结果会不同。一般来讲干膜有正胶、负胶之分，实施例一中若曝光所用的干膜为正胶则曝光的干膜2会被显影液洗掉，没有被曝光的干膜则不会被溶解去除，详见附图1 ;实施例二中若所选用的干膜为负胶则未曝光的干膜2会被显影液溶解而去除掉，而曝光后的干膜2则不会被溶解去除，详见附图2 ;因此，由于干膜在曝光显影处理后会有部分被除去，部分保留下来，这样就使得掩膜板的栅线网格图形就呈现在硅基片I上，这个步骤之后便可以在硅基片I表面镀上栅线电极4。
[0024]在显影后的硅基片I表面电镀上一层导电材料，更具体的所述导电材料为金属铜，电镀完成后在硅基片I的表面就成了栅线电极4，生成的子栅线的宽度为30 μ m-100 μ m,母栅线的宽度为
[0025]最后去掉多余的保护干膜，再用腐蚀液腐蚀掉硅基片I表面的作为电镀金属的种子层金属薄膜，以利于光线通过，提高光利用率。
[0026]以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种太阳能电池栅线电极的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤: 在硅基片两面分别贴覆一层感光干膜；确定出干膜下硅基片的具体位置，在干膜上装上掩模板，该掩膜板上具有所需的栅线网格图形；根据确定的硅基片位置使所述掩模板与硅基片完全重合；对硅基片上的干膜进行曝光，将掩模板的栅格图形转移到干膜表面；对曝光过后的硅基片进行显影，使硅基片表面形成栅线网格图形；在硅基片表面的栅线网格图形上电镀上导电材料，形成太阳能电池的栅线电极。
2.如权利要求1所述的太阳能电池栅线电极的制备方法，其特征在于，所述确定出干膜下硅基片的具体位置为采用高度测量法确定出干膜下硅基片的具体位置:采用高度测量仪在干膜表面任一方向上扫描，在高度变化处确定一个点，该点就位于娃基片边缘处，用同样的方法确定出硅基片至少三个方向上的点的硅基片边缘位置，确定出干膜下硅基片的位置。
3.如权利要求1所述的太阳能电池栅线电极的制备方法，其特征在于，所述确定出干膜下硅基片的具体位置为采用CCD拍照法确定干膜下硅基片的位置:根据CCD像素强度不同输出值不同，该输出值反应干膜表面高度的变化特征，确定出干膜下硅基片的位置。
4.如权利要求1所述的太阳能电池栅线电极的制备方法，其特征在于，所述方法还包括步骤:在硅基片表面的栅线网格图形上电镀上导电材料之后移除多余干膜。
5.如权利要求4所述的太阳能电池的栅线电极的制备方法，其特征在于，所述方法还包括步骤:在移除多余干膜后采用腐蚀液腐蚀去除硅基片表面的种子金属薄膜。
6.如权利要求1所述的太阳能电池栅线电极的制备方法，其特征在于，所述用于曝光的敏感光为强紫外光。
7.如权利要求1所述的一种太阳能电池栅线电极的制备方法，其特征在于，所述干膜为正胶，显影处理后曝光部分干膜被去除，未曝光部分保留。
8.如权利要求1所述的一种太阳能电池栅线电极的制备方法，其特征在于，所述干膜为负胶，显影处理后曝光部分干膜保留，未曝光部分被去除。
9.如权利要求1所述的太阳能电池栅线电极的制备方法，其特征在于，所述在栅线网格图形上镀上的导电材料为金属铜。
【专利摘要】本发明公开一种太阳能电池栅线电极的制备方法，所述方法包括以下步骤：在硅基片两面分别贴覆一层感光干膜；确定出干膜下硅基片的具体位置，在干膜上装上掩模板，该掩膜板上具有所需的栅线网格图形；根据确定的硅基片位置使所述掩模板与硅基片完全重合；对硅基片上的干膜进行曝光，将掩模版的栅格图形转移到干膜表面；对曝光过后的硅基片进行显影，使硅基片表面形成栅线网格图形；在硅基片表面的栅线网格图形上电镀上导电材料，形成太阳能电池的栅线电极。本发明的有益效果在于：本发明不需要剪除电池硅基片周边多余干膜从而避免了对硅基片的破坏，方法简单，定位准确，提高了生产良率。
【IPC分类】H01L31-0224, H01L31-18
【公开号】CN104638053
【申请号】CN201310558360
【发明人】林朝晖, 王树林
【申请人】泉州市博泰半导体科技有限公司
【公开日】2015年5月20日
【申请日】2013年11月12日