用于制造显示面板的方法
【技术领域】
[0001] 所描述的技术大体上涉及用于制造显示面板的方法。
【背景技术】
[0002] 近来，由于可容易将平板显示器（FPD)实现为大、薄且重量轻的，因此显示设备市 场已迅速转向FH)市场。在各种类型的平板显示器中，有机发光二极管（0LED)显示器是不 需要单独光源的自发射型，因此在缩小厚度和减轻重量方面具有更多优势。
[0003] 由于一般的平板显示器使用玻璃基板，因此该平板显示器具有降低的灵活性、厚 的厚度以及大的重量，因此在应用方面受到限制。近来，为了减小显示设备的厚度，显示单 元被形成在超薄玻璃基板上。
[0004] 超薄玻璃基板具有薄的厚度和大的面积，因此不易操纵。因此，支撑基板被附接在 该超薄玻璃基板的下方，以便在该超薄玻璃基板上形成像素。
[0005] 然而，在完成像素形成过程之后，超薄玻璃基板需要与支撑基板分离。为了这样 做，超薄玻璃基板被暴露至高温工艺等，因此其不能容易地与支撑基板分离并且可被部分 损坏。
【发明内容】
[0006] 因此，本发明旨在提供一种用于制造显示面板的方法，该方法能够容易地从支撑 基板分离超薄玻璃基板。
[0007] 根据本发明的一个方面，提供一种用于制造显示面板的方法，包括：通过在支撑基 板的脱附区中形成释放层和凹陷部中的一个，在所述支撑基板中限定所述脱附区；清洗所 述支撑基板的表面；在所述支撑基板上布置薄膜基板；将所述薄膜基板结合至所述支撑基 板；在所述薄膜基板上形成像素和密封构件；在对应于所述脱附区的位置处切割所述密封 构件和所述薄膜基板；以及从所述薄膜基板分离所述支撑基板。所述清洗可以通过UV清 洗、超声波清洗、水射流清洗、氢水清洗和臭氧（〇3)清洗中的一种来实现。所述像素可以包 括有机发光元件。
[0008] 所述脱附区可以由所述凹陷部限定，所述凹陷部通过等离子体蚀刻或喷砂来产 生。所述凹陷部的深度可以为2nm至200i!m。所述脱附区可以由所述释放层限定，形成释 放层可以包括：在所述支撑基板上形成铟锡氧化物（IT0)层和铟锌氧化物（IZ0)层中的一 个；通过图案化所述IT0层和所述IZ0层中的所述一个形成保留的释放层；以及使所保留 的释放层结晶。所述释放层可以被形成为具有100A至1000A的厚度。
[0009] 所述薄膜基板可以包括具有〇? 01mm至0? 1mm厚度的超薄玻璃。在与所述脱附区 外部的吸附区相对应的位置处所述支撑基板的表面粗糙度可以等于或小于〇. 2nm。在结合 期间，所述薄膜基板可以在所述吸附区中在不需要中间粘结层的情况下直接并以共价键结 合至所述支撑基板。
[0010] 根据本发明的另一方面，提供一种用于制造显示面板的另一方法，包括：清洗支撑 基板的表面；通过在所述支撑基板的脱附区中形成释放层和凹陷部中的一个，限定所述支 撑基板的所述脱附区；在所述支撑基板上布置薄膜基板；将所述薄膜基板结合至所述支撑 基板；在所述薄膜基板上形成像素和密封构件；在对应于所述脱附区的位置处切割所述密 封构件和所述薄膜基板；以及从所述薄膜基板分离所述支撑基板。所述清洗可以包括选自 UV清洗、超声波清洗、水射流清洗、氢水清洗和臭氧（03)清洗的工艺，并且所述薄膜基板可 以在所述脱附区外部的吸附区中并且在不需要中间粘结层的情况下直接并以共价键结合 至所述支撑基板。所述支撑基板还可以包括包围所述脱附区的吸附区。
[0011] 所述脱附区可以由所述凹陷部限定，所述凹陷部可以通过借助于从由等离子体蚀 刻和喷砂组成的组中选择的工艺对支撑基板进行蚀刻来产生。所述凹陷部的深度可以为 2nm至 200um。
[0012] 所述脱附区可以由所述释放层限定，形成释放层可以包括：在所述支撑基板上形 成铟锡氧化物（IT0)层和铟锌氧化物（IZ0)层中的一个；通过图案化所述IT0层和所述IZ0 层中的所述一个形成保留的释放层；以及使所保留的释放层结晶。所述释放层可以被形成 为具有100A至1000A的厚度。
[0013] 所述薄膜基板可以是具有0. 〇1_至0. 1_厚度的超薄玻璃。在与所述脱附区外 部的吸附区相对应的位置处所述支撑基板的表面粗糙度可以等于或小于0. 2nm。所述像素 可以包括有机发光元件。
【附图说明】
[0014] 通过参照下面结合附图所考虑的详细说明，本发明变得更好理解，因此本发明的 更完整理解以及本发明带来的许多优点将容易明白，在附图中相同的附图标记表示相同或 相似的组件，其中：
[0015] 图1是示出根据本发明第一示例性实施例的用于制造显示面板的方法的流程图；
[0016] 图2示出根据第一示例性实施例的方法、其中将释放层增加至支撑基板的脱附区 SA的处理步骤；
[0017] 图3示出根据第一示例性实施例的方法、其中将薄膜基板附接至支撑基板/释放 层组合的处理；
[0018] 图4示出根据第一示例性实施例的方法、其中在附接至支撑基板的薄膜基板上形 成像素的处理步骤；
[0019] 图5示出根据第一示例性实施例的方法、其中将包括像素的显示面板和一部分薄 膜基板与支撑基板分离的处理步骤；
[0020] 图6是根据本发明示例性实施例的、位于母基板中的显示面板的示意性布局图；
[0021] 图7是根据本发明示例性实施例的有机发光显示面板的示意性布局图；
[0022] 图8是示出根据本发明示例性实施例的有机发光显示面板的一个像素的等效电 路图；
[0023] 图9是图8的有机发光二极管（0LED)显示器的一个像素的剖视图；
[0024] 图10是示出根据本发明第二示例性实施例的制造显示面板的顺序的流程图；
[0025] 图11是在依赖于图10的根据第二示例性实施例的方法的顺序的中间步骤中支撑 基板的剖视图；
[0026] 图12是示出根据本发明第三示例性实施例的制造显示面板的顺序的流程图；以 及
[0027] 图13是在根据第三示例性实施例的方法的中间步骤中支撑基板的剖视图。
【具体实施方式】
[0028] 在下文中，将参照其中示出示例性实施例的附图更充分地描述示例性实施例。如 本领域技术人员所认识到的，在不脱离本发明的精神或范围的所有情况下，可以以各种不 同的形式修改所描述的实施例。
[0029] 在附图中，为了清楚起见，放大了层、膜、面板、区域等的厚度。应理解，当诸如层、 膜、区域或基板之类的元件被称为位于另一元件"上"时，其可以直接位于另一元件上，或者 也可以存在中间元件。相反，当一个元件被称为"直接"位于另一个元件"上"时，则不存在 中间元件。
[0030] 现在转向图1，图1是示出根据示例性实施例的用于制造显示面板的方法的流程 图。如图1所示，根据示例性实施例的用于制造显示面板的方法包括在支撑基板上形成脱 附区和吸附区（S100)，清洗支撑基板（S102)，将薄膜基板结合至支撑基板上（S104)，在薄 膜基板上形成像素（S106)，将薄膜基板切割为单个显示面板（S108)，以及从支撑基板分离 显示面板（S110)。
[0031] 在下文中，将参照图2至图5详细地描述根据图1的流程图的用于制造显示面板 的方法。
[0032] 图2至图5是示意性描述根据第一示例性实施例的用于制造显示面板的方法的剖 视图，图6是根据第一示例性实施例的位于母基板中的显示面板的示意性布局图。
[0033] 如图1和图2所示，制备支撑基板500,并且在支撑基板500上形成释放层 10 (S100)，以将脱附区SA与吸附区SB区别开。
[0034] 支撑基板500支撑薄膜基板100,并且防止薄膜基板弯曲，其中薄膜基板弯曲是由 于通常由玻璃基板制成的薄膜基板非常薄而发生的。支撑基板500可以具有0. 3mm至1_ 的厚度，并且可优选具有〇. 5mm的厚度。
[0035] 脱附区SA是其中形成释放层10的区域，吸附区SB是其中未形成释放层10的区 域。如图6所示，释放层可以被形成为多个并且被布置为矩阵形式。
[0036] 关于释放层，首先，在200°C或更低的温度下形成厚度为100A至j〇〇〇A的铟锡氧 化物（IT0)膜或铟锌氧化物（IZ0)膜。接下来，通过利用光刻工艺图案化IT