晶圆清洗的机制的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及集成电路器件，更具体地，涉及晶圆清洗的机制。
【背景技术】
[0002] 半导体集成电路（1C)工业已经经历了快速增长。1C材料和设计中的技术进步已 经产生了多代1C，其中，每一代都具有比前一代更小和更复杂的电路。然而，这些进步增加 了加工和制造1C的复杂度，并且为了实现这些进步，需要1C加工和制造中的类似发展。在 1C演化过程中，功能密度（S卩，每芯片面积的互连器件的数量）普遍增大，而几何尺寸（即， 使用制造工艺可以产生的最小组件（或线））减小。这种按比例缩小的工艺通常通过提高 生产效率和降低相关成本来提供益处。
[0003] 半导体制造中的关键条件是在晶圆加工表面上没有污染物，因为污染物（例如， 微观颗粒）可以干扰并且不利地影响后续的加工步骤，从而导致器件退化和最终的半导体 晶圆的废弃。而晶圆清洗工艺一直是半导体晶圆制造工艺中的关键步骤，超净晶圆对器件 集成正变得甚至更加关键。例如，由于半导体部件尺寸减小，颗粒污染物的不利影响增大， 从而需要去除更小的颗粒。此外，由于器件层的数量增大，清洗步骤的数量和由颗粒污染物 引起的器件退化的可能性也相应地增大。为了充分地满足ULSI和VLSI中的超净晶圆的需 求，需要晶圆表面基本上没有污染颗粒。
[0004] 期望具有用于清洗晶圆的方法和装置以减少晶圆上的污染物。
【发明内容】
[0005] 为了解决现有技术中存在的问题，本发明提供了一种用于晶圆清洗的方法，包括： 通过湿台清洗操作清洗晶圆；以及此后通过单晶圆清洗操作清洗每个所述晶圆。
[0006] 在上述方法中，其中，所述湿台清洗操作包括将所述晶圆浸入湿蚀刻剂中。
[0007] 在上述方法中，其中，所述湿台清洗操作包括将所述晶圆浸入湿蚀刻剂中，其中， 所述湿蚀刻剂包括SPM(H2S04,H202)、APM(NH4OH，H202)、SCI(去离子水（DIW)，NH4OH，H202)、 SC2 (DIW，HC1，H202)、臭氧去离子水、H3P04、稀氢氟酸（DHF)、HF、HF/ 乙二醇（EG)、HF/HN03、 NH4OH或它们的组合。
[0008] 在上述方法中，其中，在湿台清洗器件中实施所述湿台清洗操作，并且在多个单晶 圆清洗器件中实施所述单晶圆清洗操作。
[0009] 在上述方法中，其中，在湿台清洗器件中实施所述湿台清洗操作，并且在多个单晶 圆清洗器件中实施所述单晶圆清洗操作，其中，所述单晶圆清洗操作包括将清洗液喷射至 每个所述单晶圆清洗器件中的所述晶圆。
[0010] 在上述方法中，其中，在湿台清洗器件中实施所述湿台清洗操作，并且在多个单晶 圆清洗器件中实施所述单晶圆清洗操作，其中，所述单晶圆清洗操作包括将清洗液喷射至 每个所述单晶圆清洗器件中的所述晶圆，其中，所述清洗液是去离子水、spm(h2so4,h2o2)、 APM(NH4OH，H202)、SCI(去离子水（DIW)，NH4OH，H202)、SC2 (DIW，HC1，H202)、臭氧去离子水、 H3P04、稀氢氟酸（DHF)、HF、HF/乙二醇伍6)、册/圆03、順4011、它们的组合。
[0011] 在上述方法中，其中，在同一腔室中实施所述湿台清洗操作和所述单晶圆清洗操 作。
[0012] 在上述方法中，其中，所述晶圆具有大于约450mm的直径。
[0013] 根据本发明的另一实施例，提供了一种用于晶圆清洗的装置，包括：腔室；湿台清 洗器件，位于所述腔室内，其中，所述湿台清洗器件包括与槽相关的升降器；以及多个单晶 圆清洗器件，位于所述腔室内并且邻近所述湿台清洗器件，其中，每个所述单晶圆清洗器件 均包括位于晶圆定位元件上方的分配器。
[0014] 在上述装置中，其中，所述升降器包括晶圆保持器，所述晶圆保持器包括侧壁、位 于所述侧壁上的分隔件以及位于所述分隔件之间的凹槽。
[0015] 在上述装置中，其中，所述升降器包括晶圆保持器，所述晶圆保持器包括侧壁、位 于所述侧壁上的分隔件以及位于所述分隔件之间的凹槽，其中，所述装置还包括在所述侧 壁和所述分隔件中形成的管。
[0016] 在上述装置中，其中，所述升降器包括晶圆保持器，所述晶圆保持器包括侧壁、位 于所述侧壁上的分隔件以及位于所述分隔件之间的凹槽，其中，所述装置还包括在所述侧 壁和所述分隔件中形成的管，其中，所述管为Y形、X形、杆状、大头针形等。
[0017] 在上述装置中，其中，所述升降器包括晶圆保持器，所述晶圆保持器包括侧壁、位 于所述侧壁上的分隔件以及位于所述分隔件之间的凹槽，其中，所述装置还包括在所述侧 壁和所述分隔件中形成的管，其中，所述管是通孔并且具有邻近所述凹槽的开口。
[0018] 在上述装置中，其中，所述单晶圆清洗器件的数量等于所述升降器的晶圆容纳量。
[0019] 在上述装置中，其中，每个所述单晶圆清洗器件还包括用于清洗所述晶圆的后侧 的后侧刷。
[0020] 根据本发明的又一实施例，提供了一种用于晶圆清洗的方法，包括：对一批晶圆 实施湿台清洗操作，其中，所述湿台清洗操作包括将所述晶圆浸入含有湿蚀刻剂的槽中，并 且所述湿蚀刻剂能够与所述晶圆上的材料发生反应并产生热量；将每个所述晶圆转移至 相应的单晶圆清洗器件；以及在每个单晶圆清洗器件中对所述晶圆实施单晶圆清洗操作， 其中，所述单晶圆清洗操作包括将清洗液分配在所述晶圆上，并且所述清洗液是去离子水、 SPM(H2S04,H202)、APM(NH4OH，H202)、SCI(去离子水（DIW)，NH4OH，H202)、SC2 (DIW，HC1，H202)、 臭氧去离子水、H3P04、稀氢氟酸（DHF)、HF、HF/乙二醇（EG)、HF/HN03、NH4OH或它们的组合。
[0021] 在上述方法中，其中，在同一腔室中进行所述湿台清洗操作、所述转移和所述单晶 圆清洗操作。
[0022] 在上述方法中，其中，所述湿蚀刻剂包括SPM(H2S04，H202)、APM(NH4OH，H202)、 SCI(去离子水（DIW)，NH4OH，H202)、SC2(DIW，HC1，H202)、臭氧去离子水、H3P04、稀氢氟酸 (DHF)、HF、HF/ 乙二醇（EG)、HF/HN03、NH4OH或它们的组合。
[0023] 在上述方法中，其中，在所述湿台清洗操作中去除约10%至100 %的范围内的材 料。
[0024] 在上述方法中，其中，所述湿台清洗操作还包括在将所述晶圆浸入含有所述湿蚀 刻剂的所述槽中之后冲洗所述晶圆。
【附图说明】
[0025] 为了更完全地理解实施例及其优势，现在将结合附图进行的以下描述作为参考， 其中：
[0026] 图1示出了根据一些实施例的湿台（wet-bench)装置的截面图。
[0027] 图2示出了根据一些实施例的承载一批晶圆的升降器的截面图。
[0028] 图3示出了根据一些实施例的单晶圆清洗装置的示例图。
[0029] 图4示出了根据一些实施例的用于清洗晶圆的方法的流程图。
[0030] 图5示出了根据一些实施例的清洗装置的示例图。
[0031] 图6A和图6B示出了根据一些实施例的用于清洗晶圆的方法的各个阶段的示例性 截面图。
【具体实施方式】
[0032] 下面详细地讨论了本发明的实施例的制造和使用。然而，应该理解，实施例可以体 现在各种具体环境中。讨论的具体实施例仅是说明性的，并且不限制本发明的范围。
[0033] 应该理解，以下公开内容提供了许多用于实现本发明的不同特征的不同实施例或 实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本发明。当然，这些仅仅是实例，而不旨在 限制本发明。此外，在以下描述中，在第二工艺之前实施第一工艺可以包括在第一工艺之后 立即实施第二工艺的实施例，并且也可以包括在第一工艺和第二工艺之间可以实施额外的 工艺的实施例。为了简单和清楚的目的，可以以不同的比例任意绘制各种部件。此外，在以 下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件以直接接触 的方式形成的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件， 从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。贯穿各个视图和说明性实施例， 相同的参考标号用于标示相同的元件。
[0034] 图1示出了根据一些实施例的湿台装置100的截面图。湿台装置100可以包括腔 室110。升降器120和槽130可以设置在腔室110内。升降器120与槽130相关联并且可 以相对于槽130移动。升降器120可以包