尤其是具有银层或者由银层构成的金属镜。在俯视图中观察，镜能够是分段的并且能够被限制到具有印制导线的区域上。
[0025]根据至少一个实施方式，半导体芯片矩阵状地设置在一个或多个场的内部。优选地，半导体芯片紧密地设置在场的内部。紧密地能够意味着:在俯视图中观察，半导体芯片在该场中共计至少占25%或者至少50%或者至少65%的面份额。
[0026]根据至少一个实施方式，转换机构体在整个场上延伸。每个场尤其是设有恰好一个转换机构体。
[0027]根据至少一个实施方式，在俯视图中观察，囊封体在具有半导体芯片的场旁边的区域中关于转换机构体的厚度或者关于直接在转换机构体上的囊封体的厚度具有不同的厚度。特别地，囊封体在场旁边的区域中的厚度大于在场处或者在场中的厚度或者大于转换机构体的厚度。
[0028]根据至少一个实施方式，囊封体在具有半导体芯片的场旁边的区域中具有两个或多于两个的电通孔。通孔优选完全地穿过囊封体。通孔与印制导线导电连接。此外，通孔优选与用于外部接触半导体构件的电接触部位连接或者成形为这样的接触部位。
[0029]根据至少一个实施方式，半导体构件构建用于在载体的背离半导体芯片的辐射主侧上电连接。半导体构件的热接触尤其是经由与辐射主侧相对置的后侧进行。
[0030]根据至少一个实施方式，在半导体芯片的背离载体的一侧上安置有热沉。热沉例如通过电镀部形成。半导体构件的后侧能够是热沉的背离半导体芯片的一侧。
[0031]根据至少一个实施方式，热沉连续地并且不中断地在所有的半导体芯片上延伸。可行的是，热沉形状配合地模制到半导体芯片上并且复制半导体芯片的轮廓或者保护层的轮廓，所述保护层安置在半导体芯片上。
[0032]根据至少一个实施方式，热沉是分段的。热沉的各个区段优选分别与半导体芯片中的一个或多个相关联。所述区段能够构建用于电接触半导体芯片。
[0033]根据至少一个实施方式，半导体构件包括转换机构体中的多个。能够具有彼此不同的材料组分的不同的转换机构体经由囊封体机械持久地并且牢固地彼此连接。转换机构体中的每个都能够与半导体芯片的多个场或者一个场相关联。
[0034]根据至少一个实施方式，转换机构体通过陶瓷板形成，一种或多种发光材料被引入到所述陶瓷板中。替选于此，可行的是，转换机构体由一种或多种烧结的发光材料形成，转换机构体是单晶转换器或者是硅酮结合的转换器，或者转换机构体由玻璃或者蓝宝石形成，至少一种发光材料被引入到所述玻璃或者蓝宝石中。
[0035]此外提出一种用于制造光电子的半导体构件的方法。借助于所述方法制造半导体构件，如结合上述实施方式中的一个或多个所描述的那样。半导体构件的特征因此也对于所述方法公开并且反之亦然。
[0036]在至少一个实施方式中，所述方法至少包括下述方法步骤:
[0037]A)提供至少一个转换机构体，
[0038]B)通过囊封体对转换机构体改型，
[0039]C)将各个半导体芯片安置在转换机构体上，
[0040]D)通过至少一种填充物对半导体芯片改型，
[0041]E)通过材料沉积、尤其是通过电镀在半导体芯片的背离载体的一侧上成形热沉。
[0042]各个方法步骤在此优选以所给出的顺序执行。
[0043]根据至少一个实施方式，所述方法具有将电接触结构、尤其是印制导线安置在载体上的步骤。该步骤优选在步骤B)和C)之间进行或者在步骤C)和D)之间进行。
[0044]根据至少一个实施方式，安置各个半导体芯片的步骤包括将半导体芯片压紧到转换机构体上。半导体芯片和转换机构体之间的机械连接尤其是通过填充物来建立，所述填充物用作为连接机构。填充物能够是所谓的底层填充物。在底层填充物中，在安装半导体芯片后安置底层填充物的材料，所述材料尤其是借助于毛细作用填充半导体芯片和载体之间的间隙。半导体芯片和载体之间的或者半导体芯片和印制导线之间的间距优选为至多ΙΟμπι或者至多5μπι或者至多3μπι。可行的是，在俯视图中观察，填充物不被限制到半导体芯片和载体之间的区域上，而是也部分横向地在半导体芯片旁边聚集。能够使用恰好一种填充物、多于一种的填充物或者多组分的填充物。填充物、尤其是呈底层填充物形式的填充物优选是可透过辐射的。
【附图说明】
[0045]下面参考附图根据实施例详细阐述在此所描述的光电子的半导体构件以及在此所描述的方法。在各个附图中相同的附图标记在此表示相同的元件。然而在此不示出按比例的关系，更确切地说，为了更好的理解能够夸张大地示出各个元件。
[0046]附图示出:
[0047]图1和6在剖视图和俯视图中示出用于在此所描述的光电子的半导体构件的制造方法的示意图，以及
[0048]图2至5示出在此所描述的光电子的半导体构件的实施例的示意性的剖视图和俯视图。
【具体实施方式】
[0049]在图1A至IF中图解说明了用于制造光电子的半导体构件I的方法。
[0050]根据图1A提供了转换机构体21。转换机构体21成形为板并且具有两个平面的、彼此平行地取向的主侧。转换机构体21的厚度在整个横向的扩展至少是恒定的，尤其是具有关于平均厚度至多15%的或者至多5%的公差。不同于所示出的，转换机构体21在主侧上具有粗化部或者结构化部。
[0051]在图1B中示出，在转换机构体21上模制有囊封体22从而形成载体2。载体2尤其是所谓的塑料晶片。在转换机构体21和囊封体22之间的边界面上，所述转换机构体和囊封体能够彼此齐平并且具有相同的厚度。不同于所示出的，囊封体22也能够局部地覆盖转换机构体21的主侧并且具有与转换机构体21不同的厚度。
[0052]在根据图1C的方法步骤中，在载体的主侧中的一个上安置有呈印制导线形式的电接触结构3。印制导线33例如是金属化部。优选地，在俯视图中观察，印制导线33仅覆盖转换机构体21的小的面份额。
[0053]可选地，穿过囊封体22形成至少一个通孔35，也能够通过所述通孔成形为用于外部接触半导体构件的电接触部位34。用于通孔35的凹处，不同于所示出的那样，优选已经在根据图1B的方法步骤中制造。通孔35能够是金属件，所述金属件在制造囊封体22时嵌入到该囊封体中。
[0054]在图1D中示出，将光电子的半导体芯片4施加到印制导线33以及转换机构体21上。半导体芯片4优选是发光二极管芯片。印制导线33和半导体芯片4之间的电接触经由电连接机构31来建立。连接机构31例如是焊料或者能导电的粘胶。为了简化视图仅示出一个唯一的半导体芯片4。
[0055]不同于所示出的，除了电连接机构31还使用另一个连接机构以将半导体芯片4机械固定在转换机构体21上。
[0056]在如在图1E中示出的方法步骤中，围绕半导体芯片4并且在载体2上安置填充物7，例如借助于传递模塑来安置。填充物7能够沿着远离载体2的方向与半导体芯片4齐平。根据图1E的方法步骤在此是可选的。替代于填充物7，也能够使用未示出的覆盖薄膜。
[0057]可选地，在根据图1D和IE的方法步骤之间安置未示出的所谓的底层填充物