。底层填充物优选是可透过辐射的并且是透明的。底层填充物能够是填充物7的一部分或者附加于填充物7来使用。
[0058]根据图1F，将热沉5例如借助于电镀施加在半导体芯片4上以及在填充物7上。半导体构件I的后侧25通过电镀部5形成。可选地，在电镀部5和可透过辐射的填充物7之间存在未示出的镜。电镀部5连续地在所有的半导体芯片4上延伸，但是也能够以不同于所述视图的方式分段。
[0059]在半导体构件I中产生的辐射的放射在载体2的背离半导体芯片4的一侧上进行。该侧是辐射主侧20。
[0060]在图1G中示出一种变型形式，其中囊封体22在边缘区域处与在转换机构体21附近相比具有更大的厚度。不同于所示出的，热沉5能够以恒定的厚度不仅在超出囊封体22之上而且在填充物7之上延伸。后侧25优选平面地成形。
[0061]囊封体22例如由热塑性塑料、热固性塑料、环氧化物、硅酮树脂、硅酮复合材料或者环氧化物硅酮混合材料成形。囊封体22能够设有纤维增强部、颗粒、小球和/或小粒。尤其是作为模压料的填充物7能够具有填充材料并且例如通过环氧化物、硅酮或者通过硅酮环氧化物混合材料形成。填充物的填充材料能够引起黑色的色泽或者白色的色泽。同样地，填充物7能够至少局部地是可透过辐射的、尤其是透明的。
[0062]在图2中，在示意性的俯视图中，见图2A，在示意性的下视图中，见图2B，以及在示意性的剖视图中，见图2C，示出半导体构件I的一个实施例。
[0063]在场中紧密地设置有半导体芯片4中的多个。转换机构体21连续地在整个场上延伸。在辐射主侧20上安置有电接触部位34。为了简化视图，仅在转换机构体21上的辐射主侧的一部分上示出半导体芯片4。
[0064]可选地，在囊封体22中形成有呈孔形式的固定设备8。半导体构件I可经由该固定设备8机械地固定在外部的、未示出的载体上。
[0065]除了狭窄的、环绕的边缘，整个后侧25通过热沉5形成，见图2B。热沉5例如由铜形成。
[0066]不同于所述视图，可行的是，半导体构件I包括转换机构体21中的多个并且半导体芯片4的各个场安置在转换机构体的一个上。半导体芯片4能够全部结构相同地成型。替选于此，可行的是，使用不同类型的半导体芯片4、例如具有不同的发射波长的半导体芯片。转换机构体21能够可选地具有其它的光学特性，尤其是转换机构体21能够用作为散射机构。
[0067]在半导体构件I中产生的辐射R的主放射方向优选垂直于主辐射主侧20取向。
[0068]在图3和4中示出图2A以及2C中的区域A和B的细节视图。如在图3和4中所使用的半导体芯片4例如如在文献US 2011/0260205 Al中说明的那样构造。该文献的公开内容通过参引并入本文。
[0069]根据图3和4，半导体芯片4的金属化部37分别朝向载体2。印制导线33位于半导体芯片4和载体2之间。半导体芯片4可选地分别嵌入到填充物7中。优选地，热沉5分别直接安置到半导体芯片4上，其中热沉5与印制导线33电绝缘。经由填充物7，尤其见图3，可建立半导体芯片4和转换机构体21之间的机械接触。半导体芯片4和转换机构体21之间的填充物7的层厚度优选尽可能地薄。
[0070]在图3A和4A中为了简化视图不示出热沉5并且不示出填充物7或者仅部分地示出。
[0071]在根据图3的实施例中，电连接机构31例如通过焊料或者通过能导电的粘胶形成。连接机构31也能够是所谓的金金互连。连接机构31也能够是选择性印刷的导电胶、尤其是银基的导电胶。填充物7优选是可透过辐射的、优选透明的所谓的底层填充物。
[0072]根据图4，连接机构31是各向异性传导的粘胶，英语是Anisotropie ConductiveAdhesive或者ACA。优选地，连接机构31形成为各向异性传导的薄膜，英语是AnisotropicConductive Film或者简称为ACF。在图4的情况下，将半导体芯片4机械固定到转换机构体21上借助于电连接机构31来进行。
[0073]根据图4，连接机构31在所有的半导体芯片4至少延伸并且位于半导体芯片4和转换机构体21之间。连接机构31是可透过辐射的、优选是透明的。
[0074]印制导线33优选分别由铜形成。可选地，在印制导线33的背离载体2的一侧上同样如在半导体芯片4上那样分别施加金属化部37。金属化部例如由钛、铂和/或金形成。
[0075]而且，在所有其它的实施例中，可选地至少局部地在印制导线33和转换机构体21和/或囊封体22之间存在镜6。镜6例如是银镜。此外，在银镜6的朝向载体2的一侧上可选地安置保护层62。保护层62例如由氧化硅或者氮化硅形成。
[0076]在这样的半导体构件I中，转换机构体21与热沉5良好地热接触。因为半导体芯片4固定在转换机构体21上，所以可实现半导体芯片4和转换机构体21之间的小的连接机构厚度。由此可实现转换机构体21的更佳的冷却和半导体构件I的更高的效率。如果反之使用各个转换机构体，每一个对应于半导体芯片4中的一个，那么会出现不同的连接机构厚度，并且各个转换小板会相对于彼此倾斜。这也会导致较不均匀的彩色放射。
[0077]热沉5的沿着垂直于辐射主侧20的厚度例如为至少0.1 μ m或者至少5 μ m或者至少10 μπι或者至少20 μπι。替选地或者附加地，热沉5的厚度为至多500 μπι或者至多300 μ m或者至多150 μ m。
[0078]半导体芯片的场中的一个例如包含半导体芯片中的至少四个或者至少九个或者至少16个或者至少25个。相应地，半导体构件I至少具有这样数量的半导体芯片4。半导体芯片4优选规则地并且矩阵状地设置在场的内部，其中与此不同的设置同样是可行的是。
[0079]半导体芯片4优选具有未示出的电绝缘的衬底。半导体芯片4的同样未示出的半导体层序列优选朝向载体2。如果半导体芯片4具有能导电的衬底，那么在半导体芯片4的朝向热沉5的一侧上优选存在未示出的电绝缘层。
[0080]半导体构件I的另一个实施例在图5中示出，见图5A中的剖视图和图5B中的细节视图。俯视图和下视图类似于图2A和2B。
[0081]印制导线33位于半导体芯片4的背离载体2的一侧上。半导体芯片4的电接触部位37同样背离载体2。半导体芯片4例如如在文献W02012/000725A1中所给出的那样构造，所公开的内容通过参引并入本文。
[0082]填充物7在转换机构体21和半导体芯片4之间的薄层中延伸并且也能够位于半导体芯片4的侧沿上。填充物7例如是硅酮。如在所有其它的实施例中，可行的是，不同于所示出的，存在两种填充物。第一填充物因此位于半导体芯片4和载体2之间并且例如经由传递模塑施加的第二填充物侧向地位于半导体芯片4旁。第二填充物能够具有颗粒，使得第二填充物例如以吸收辐射或者反射辐射的方式成形。同样地，填充物也能够设计为是透明的。
[0083]在热沉5和印制导线33之间存在电绝缘层63。可选地，在印制导线33的朝向载体2的一侧上或者在热沉5的朝向载体2的一侧上存在未示出的镜。
[0084]在根据图2至5的实施例中分别