成形单独的印制导线。替选于此，可行的是，热沉5结构化为带状带线并且半导体构件I的电接触经由后侧25进行。热沉5中的印制导线能够通过有机的或者无机的电介质彼此分离。这些印制导线能够在横向上并排地或者也可以相叠地设置。
[0085]在图6中示出用于半导体构件I的制造方法，见图6A和6C中的剖视图以及图6B、6D和6E中的示意性的俯视图。
[0086]根据图6A和6B，在其上存在成形边缘29的成形薄膜28上施加有用于通孔35的金属体、即所谓的柱体(Post)和转换机构体21中的多个。转换机构体21和通孔35紧接着，见图6C和6D，通过囊封体22改型，使得产生连续的载体2。可选地，在此将保护薄膜26，英语是protect1n tape施加到转换机构体21上。
[0087]紧接着，从成形薄膜28移除这样制造的载体2，见图6E。接下来，印制导线33直接安置在载体2上并且半导体芯片4安置在所述印制导线上。将半导体芯片4嵌入到填充物中的可选的步骤在图6E中未示出。不同于图6E，也可行的是，印制导线33在安置半导体芯片4之后并且在可选地产生填充物之后间接地在载体2上建立。
[0088]各个载体2能够紧接着沿着分割线24彼此分离，例如借助于锯割。
[0089]在此描述的本发明不通过根据实施例的描述而受到限制。更确切地说，本发明包括每个新的特征以及特征的每个组合、这尤其是权利要求中的特征的每个组合，即使该特征或者该组合本身未详细地在权利要求或者实施例中说明时也是如此。
[0090]本专利申请要求德国专利申请102012109028.9的优先权，所述德国专利申请的公开内容就此通过参引并入本文。
【主权项】
1.一种光电子的半导体构件(1)，具有: -载体(2)，所述载体具有至少一个转换机构体(21)和囊封体(22)，在俯视图中观察，所述囊封体至少局部地围绕所述转换机构体(21)， -电接触结构(3)，所述电接触结构至少间接地安置在所述载体(2)上，和-多个光电子的半导体芯片(4)，所述光电子的半导体芯片安置在所述载体(2)上并且所述光电子的半导体芯片构建用于产生辐射， 其中 -所述转换机构体(21)形成为板， -所述半导体芯片(4)与所述转换机构体(21)直接机械连接，并且-所述转换机构体(21)不具有用于所述电接触结构(3)的凹陷部并且不被所述电接触结构穿过。
2.根据上一项权利要求所述的光电子的半导体构件(I)， 其中所述载体(2)是机械承载和支撑所述半导体构件(I)的部件，其中相邻的半导体芯片(4)之间的平均间距为至多200 μπι，并且 其中在俯视图中观察，所述转换机构体(21)连续地在所述半导体芯片(4)中的多个上延伸并且横向地超出所述半导体芯片(4)。
3.根据上述权利要求中任一项所述的光电子的半导体构件(I)， 其中形成所述电接触结构(3)的一部分并且构建用于对各个所述半导体芯片(4)通电的印制导线(33)位于所述载体(2)和所述半导体芯片(4)之间的平面中。
4.根据上一项权利要求所述的光电子的半导体构件(I)， 其中所述半导体芯片(4)的电接触部位朝向所述载体(2)。
5.根据上述权利要求1或2中任一项所述的光电子的半导体构件(I)， 其中形成所述电接触结构(3)的一部分并且构建用于将各个所述半导体芯片(4)通电的印制导线(33)位于所述半导体芯片(4)的背离所述载体(2)的一侧上的平面中。
6.根据上一项权利要求所述的光电子的半导体构件(I)， 其中所述半导体芯片(4)的电接触部位背离所述载体(2)并且同样如所述印制导线(33)与所述转换机构体(21)隔开。
7.根据上述权利要求中任一项所述的光电子的半导体构件(I)， 其中在所述电接触结构(3)和所述转换机构体(21)之间至少局部地存在镜(6)。
8.根据上述权利要求中任一项所述的光电子的半导体构件(I)， 其中所述半导体芯片(4)矩阵状地设置在至少一个场的内部，并且所述转换机构体(21)在整个所述场上延伸， 其中在俯视图中观察，所述囊封体(22)的场旁边的区域中与在所述转换机构体(21)处相比具有更大的厚度， 其中所述转换机构体(21)的厚度是恒定的。
9.根据上一项权利要求所述的光电子的半导体构件(I)， 其中所述囊封体(22)在所述场旁边的区域中由至少两个电通孔(35)穿过， 其中所述半导体构件(I)构建用于在所述载体(2)的背离所述半导体芯片(4)的辐射主侧(20)上被电连接。
10.根据上述权利要求中任一项所述的光电子的半导体构件(I)， 其中在所述半导体芯片(4)的背离所述载体(2)的一侧上安置有热沉(5)。
11.根据上一项权利要求所述的光电子的半导体构件(I)， 其中所述热沉(5)形状配合地并且连续地在所有的半导体芯片(4)上延伸。
12.根据权利要求10所述的光电子的半导体构件(I)， 其中所述热沉(5)是分段的，其中所述热沉的区段与所述半导体芯片(4)中的一个或多个相关联。
13.根据上述权利要求中任一项所述的光电子的半导体构件(I)， 所述半导体构件包括所述转换机构体(21)中的多个， 其中所述转换机构体(21)经由所述囊封体(22)机械持久地并且牢固地彼此连接。
14.根据上述权利要求中任一项所述的光电子的半导体构件(I)， 其中所述转换机构体(21)是陶瓷。
15.—种用于制造根据上述权利要求中任一项所述的光电子的半导体构件(I)的方法，所述方法具有下述步骤: A)提供至少一个转换机构体(21)， B)用囊封体(22)对所述转换机构体(21)改型， C)将各个所述半导体芯片(4)安置在所述转换机构体(21)上， D)通过填充物(7)对所述半导体芯片(4)改型，并且 E)借助于材料沉积在所述半导体芯片(4)和所述填充物(7)的背离所述载体(2)的一侧上成形热沉(5)， 其中所述方法步骤以所给出的顺序执行。
【专利摘要】在至少一个实施方式中，光电子的半导体构件(1)包含载体(2)，所述载体具有至少一个转换机构体(21)和囊封体(22)。在俯视图中观察，所述囊封体至少局部地围绕所述转换机构体(21)。电接触结构(3)安置在所述载体(2)上。多个光电子的半导体芯片(4)安置在所述载体(2)上。半导体芯片(4)构建用于产生辐射。转换机构体(21)成形为板。半导体芯片(4)与转换机构体(21)直接机械连接。转换机构体(21)没有用于所述电接触结构(3)的凹陷部并且不被所述电接触结构穿过。
【IPC分类】H01L25-075
【公开号】CN104662658
【申请号】CN201380050096
【发明人】斯特凡·伊莱克, 托马斯·施瓦茨, 于尔根·莫斯布格尔, 沃尔特·韦格莱特
【申请人】欧司朗光电半导体有限公司
【公开日】2015年5月27日
【申请日】2013年9月6日
【公告号】DE102012109028A1, US20150249070, WO2014048699A1