极中的不与放大器MOS晶体管M连接的那个与输出线连接。该配置不限于此，并且半导体区可以直接与输出线电连接。
[0044]收集光的微透镜106被布置在半导体衬底101的背面上。微透镜106被布置在与光检测器的位置对应的位置处。在本实施例中，对于每一组三个堆叠的光检测器布置一个微透镜106。换句话说，沿深度方向的微透镜106的投影覆盖光检测器。在本实施例中，微透镜106的边缘位于η型半导体区105Β之上。换句话说，沿深度方向的微透镜106的投影与η型半导体区105Β交迭。微透镜106可以被布置为离开背面一定的距离，或者可以被直接布置在背面上。
[0045]入射光会聚在微透镜106的中心处。因此，与不设置微透镜106时相比，入射在布置在微透镜106的边缘下方的η型半导体区105Β上的光的量减少。入射光的量的降低比是通过设置微透镜106的降低量与在不设置微透镜106时的入射光的量的比例。
[0046]入射在η型半导体区103Β上的光的量基本上未改变或者通过在微透镜106处会聚而增大。换句话说，降低比基本上为零，或者入射光的量不降低反而增大。
[0047]以这种方式，利用根据本发明的光量降低部，在第二半导体区上的入射光的量的降低比大于在第一半导体区上的入射光的量的降低比。入射在第一半导体区上的光的量完全不降低或者反而可以增大。光量降低部可以完全地阻挡光入射在第二半导体区上，使得入射在第二半导体区上的光量为零。
[0048]图2是本实施例的顶视图。图2示出η型半导体区103B、103G、和103R以及η型半导体区105Β和105G。
[0049]如该图中所示出的，沿深度方向的三个η型半导体区103B、103G和103R的投影交迭。作为读出部的η型半导体区105Β和105G被布置为分别与η型半导体区103B、103G对应。当从顶部观看时，η型半导体区103B、103G和103R与微透镜106重叠。
[0050]当从顶部观看时，微透镜106的边缘与η型半导体区105Β相交。换句话说，沿深度方向的微透镜106的投影与η型半导体区105Β交迭。
[0051]在本实施例中，最接近背面布置的η型半导体区103Β在水平面上具有最大面积。微透镜106被布置为使得其中心基本上匹配η型半导体区103Β的中心。
[0052]图3是本实施例的水平方向上的电位分布图。图3示出在与η型半导体区103Β、103G和103R的位置对应的深度处的水平方向上的电位分布。换句话说，图3示出沿着图1中的线Α、B和C的电位分布。纵轴表不电子的电位，而横轴表不水平位置。
[0053]如图3中所示出的，由P型半导体区104形成的势皇介于相邻的像素的η型半导体区103Β之间。作为读出部的η型半导体区105Β的电位低于η型半导体区103Β的电位。在该深度处，主要在蓝色波长范围中的光被光电转换，并且被收集在η型半导体区103Β中作为蓝色信号载流子。
[0054]当在像素之间的势皇中存在平坦部分时，在该平坦部分中产生的载流子扩散到深度方向并且可以进入η型半导体区103G。因此，期望的是η型半导体区103Β在水平方向上较广地延伸。通过减少相邻的像素中的η型半导体区103Β之间的距离，势皇中的平坦部分变小，并且因此，电子比到达η型半导体区103G更容易地到达η型半导体区103Β。也就是说，可以防止在像素内的混色。
[0055]将描述防止混色的另一个方法。微透镜106被布置为使得其中心匹配η型半导体区103Β的中心，并且允许光进入η型半导体区103Β。以这种方式，进入介于相邻的像素之间的势皇的光量减少，并且，结果，可以进入上述η型半导体区103G的电子的量降低。
[0056]图3示出在与η型半导体区103G的位置对应的深度处的水平方向上的电位分布。作为读出部的η型半导体区105G具有低于η型半导体区103G的电位的电位。
[0057]势皇被形成在η型半导体区105G和η型半导体区105Β之间。期望的是，η型半导体区105G和η型半导体区105Β以这种方式被电学上分离。
[0058]在该深度处，主要在绿色波长带中的光被光电转换，并且作为绿色信号载流子被收集在η型半导体区103G中。另一方面，当光入射在η型半导体区105Β上时，通过光电转换产生的载流子作为蓝色信号载流子被收集。
[0059]在本实施例中，由于水平的位置关系使得微透镜106的边缘被布置在η型半导体区105Β之上，因此入射在η型半导体区105Β上的光量减少。因此，要被作为绿色信号载流子收集的载流子更少可能进入η型半导体区105Β。
[0060]图3示出在与η型半导体区103R的位置对应的深度处的水平方向上的电位分布。如图3中所示出的，势皇被形成在η型半导体区105Β和η型半导体区105G之间以及在η型半导体区105G和η型半导体区103R之间。期望的是，η型半导体区105Β、η型半导体区105G和η型半导体区103R以这种方式被电学上分离。
[0061]在该深度处，主要在红色波长带中的光被光电转换，并且作为红色信号载流子被收集在η型半导体区103R中。通过布置微透镜106，红色信号载流子更少可能进入η型半导体区105Β。
[0062]如上所述，在本实施例中，沿深度方向的微透镜106的边缘的投影与η型半导体区105Β交迭。换句话说，当从顶部观看时，η型半导体区105Β与微透镜106重叠。由于在这种配置中入射在η型半导体区105Β上的光量减少，因此载流子更少可能产生在η型半导体区105Β的相对于背面的较深的位置处。因此，颜色分离特性被改善。
[0063]在本实施例中，η型半导体区103Β的中心在水平面上基本上匹配微透镜106的中心。利用这种配置，载流子更少可能产生在相邻的像素中的η型半导体区103Β之间的区域中。因此，颜色分离特性被改善。
[0064]第二实施例
[0065]根据本发明的另一个实施例的固态图像拾取设备被示出在图4中。图4是固态图像拾取设备的顶视图。具有与第一实施例中相同功能的部件将由相同的附图标记表示，并且将不重复其详细描述。
[0066]在本实施例中，当从顶部观看时，微透镜106的边缘与η型半导体区105Β和η型半导体区105G相交。相邻的像素中的微透镜106以连接的方式被布置为使得它们共享它们的边缘的部分。以这种方式，当部分或者所有微透镜106与相邻的像素的微透镜106连接时，在截面图中表现为谷地的部分也与微透镜106的边缘对应。期望的是，由相邻的微透镜106共有的边缘位于η型半导体区105Β和105G之上。
[0067]与根据第一实施例的η型半导体区105Β类似，在本实施例中，入射在η型半导体区105G上的光量减少。因此，在与η型半导体区103R的位置对应的深度处η型半导体区105G中产生的载流子的量减少。也就是说，要被作为红色信号载流子收集的载流子更少可能作为绿色载流子被收集。
[0068]除了上述的第一实施例的优点之外，本实施例还具有下面的优点。
[0069]在本实施例中，当从顶部观看时，微透镜106的边缘与η型半导体区105Β和η型半导体区105G相交。由于利用这种配置入射在η型半导体区105G上的光量可以减少，因此载流子更少可能产生在η型半导体区105G的相对于背面的较深的位置处。因此，颜色分离特性被改善。
[0070]第三实施例
[0071]图5是根据本发明的另一个实施例的固态图像拾取设备的示意性的截面图。具有与第一或者第二实施例中相同功能的部件将由相同的附图标记表示，并且将不重复其详细描述。
[0072]根据本实施例的配置在作为光入射表面的背面上包括遮光部107。如下所述，在本实施例中，遮光部107用作光量降低部。
[0073]遮光部107由不透射光的材料制成。例如，使用金属，诸如铝。作为替代，可以使用吸光材料，诸如着黑色的树脂。每一个遮光部107被布置在η型半导体区105Β之上。水平的位置关系被确定为使得沿深度方向的遮光部107的投影与η型半导体区105Β交迭。遮光部107可以被放置为使得至少部分入射光被阻挡。
[0074]遮光部107阻挡部分入射光，因此，入射在η型半导体区105Β上的光量减少。绿色波长带和红色波长带中的光的光电转换更少可能在η型半导体区105Β的较深部分中被执行。结果，应该作为绿色或者红色信号载流子被读出的载流子更少可能作为蓝色信号载流子被读出。
[0075]遮光部107可以介于相邻的像素的η型半导体区103Β之间。以这种方式，入射在相邻的像素的η型半导体区103Β之间的区域上的光量可以降低，因此，在与η型半导体区103Β的位置对应的深度处产生并且进入η型半导体区103G的载流子的量减少。
[0076]如上所述，在本实施例中，沿深度方向的遮光部107的投影与η型半导体区105Β交迭。换句话说，当从顶部观看时，η型半导体区105Β与遮光部107重叠。由于利用这种配置入射在η型半导体区105Β上的光量可以减少，因此在η型半导体区105Β的相对于背面的较深的位置处的载流子的产生可以被抑制。因此，颜色分离特性被改善。
[0077]通过在相邻的像素的η型半导体区103Β之间插入遮光部107，在相邻的像素的η型半导体区103Β之间的载流子的产生可以被抑制。因此，颜色分离特性被更加改善。
[0078]除了根据本实施例的配