阵列基板及其制造方法和显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及显示装置领域，具体地，设及一种阵列基板、该阵列基板的制造方法和 包括所述阵列基板的显示装置。
【背景技术】
[0002] 显示面板的阵列基板包括多层金属走线（金属走线包括栅线和数据线），在形成 金属走线的时候，金属走线的顶面和侧面上会产生小的凸起化illlock),所述凸起极有可 能会造成金属走线之间短路。
[0003] 当金属走线由金属侣制成时，在金属走线的顶面上覆盖一层金属钢会抑制顶面上 产生凸起，但是，金属钢很难覆盖金属走线的侧面，金属走线的侧面上的凸起仍然无法消 除。
[0004] 因此，如何消除金属走线的侧面上的凸起是本领域亟待解决的技术问题。
【发明内容】
[0005] 本发明的目的在于提供一种阵列基板、该阵列基板的制造方法和包括所述阵列基 板的显示装置。所述阵列基板的金属件上没有凸起形成。
[0006] 为了实现上述目的，作为本发明的一个方面，提供一种阵列基板，所述阵列基板包 括绝缘间隔的多层金属图形层，所述金属图形层包括有金属材料制成的金属件，其中，至少 一层所述金属图形层中的所述金属件的侧面上形成有氧化物薄膜，所述氧化物薄膜由制成 所述金属件的金属的氧化物形成。
[0007] 优选地，多层所述金属图形层中的一层为栅线层，所述栅线层中的金属件包括栅 线和栅极，所述栅线层中的金属件的侧面上形成有所述氧化物薄膜。
[000引优选地，所述阵列基板还包括有源图形层，所述阵列基板还包括位于所述栅线层 和所述有源图形层之间的栅绝缘层，所述栅绝缘层包括第一娃氧化物绝缘层和娃氮化物绝 缘层，第一娃氧化物绝缘层与所述氧化物薄膜接触，所述娃氮化物绝缘层覆盖所述第一娃 氧化物绝缘层。
[0009] 优选地，所述有源图形层中的有源层由氧化物制成，所述栅绝缘层还包括第二娃 氧化物绝缘层，所述第二娃氧化物绝缘层与有源层接触。
[0010] 优选地，多层所述金属图形层中的一层为数据线层，所述数据线层中的金属件包 括数据线、源极和漏极，所述数据线线层中的金属件的侧面上形成有所述氧化物薄膜。
[0011] 优选地，所述金属件由侣制成，所述金属件的顶面上形成有第一保护层，所述第一 保护层由硬度大于所述金属件的硬度的导电材料制成。
[0012] 优选地，所述第一保护层由钢制成。
[001引优选地，所述金属件的厚度不小于6000A，所述第一保护层的厚度在 600-1200A之间。
[0014] 优选地，所述氧化物薄膜的厚度在80-1OOA之间。
[0015] 优选地，所述金属件的底表面上形成有第二保护层，所述第二保护层由与所述第 一保护层相同的材料制成。
[0016] 作为本发明的另一个方面，提供一种显示装置，所述显示装置包括阵列基板，其 中，所述阵列基板为本发明所提供的上述阵列基板。
[0017] 作为本发明的再一个方面，提供一种阵列基板的制造方法，其中，所述制造方法包 括形成绝缘间隔的多层金属图形层，所述金属图形层包括有金属材料制成的金属件，其中， 至少在形成一层所述金属图形层的步骤中包括：
[001引形成包括金属件的图形；
[0019] 对金属件的侧面进行氧化处理，W在所述金属件的侧面上形成氧化物薄膜，所述 氧化物薄膜由制成所述金属件的金属的氧化物形成。
[0020] 优选地，所述金属件由侣制成，形成金属件的侧面上形成有所述氧化物薄膜的金 属图形层的步骤包括；形成包括第一保护层的图形，所述第一保护层位于所述金属件的上 表面上，且所述第一保护层由硬度大于所述金属件的硬度的导电材料制成，其中，所述形成 包括第一保护层的图形的步骤在所述对金属件的侧面进行氧化处理的步骤之前进行。
[0021] 优选地，所述对金属件的侧面进行氧化处理的步骤包括：
[0022] 向工艺腔内通入含氧原子的第一工艺气体，并对所述第一工艺气体等离子化获得 氧等离子体，W使得所述金属件的侧面与所述氧等离子体反应生成所述氧化物薄膜。
[0023] 优选地，所述第一工艺气体包括氧气和/或一氧化二氮。
[0024] 优选地，所述金属件的厚度不小于6000A，所述第一保护层的厚度在 600-1200A之间。
[002引优选地，所述氧化物薄膜的厚度在80-100A之间。
[0026] 优选地，所述第一保护层由钢制成。
[0027] 优选地，所述制造方法还包括在形成所述金属图形层的步骤之前进行的：
[002引形成包括第二保护层的图形，每个所述金属件的下方均设置有一个相对应的所述 第二保护层，所述第二保护层由于所述第一保护层相同的材料制成。
[0029] 优选地，所述金属图形层包括栅线层，所述制造方法包括在形成栅线层的步骤之 后进行的：
[0030] 向工艺腔内通入含娃的第二工艺气体和含氧的第=工艺气体，并将所述第二工艺 气体和所述第=工艺气体等离子化，W在所述栅线层的上方形成第一娃氧化物绝缘层；其 中，对金属件的侧面进行氧化处理的步骤与形成第一娃氧化物绝缘层的步骤同步进行；
[0031] 在第一娃氧化物绝缘层上方形成娃氮化物绝缘层。
[0032] 优选地，所述第二工艺气包括硅烷，所述第=工艺气体包括一氧化二氮和/或氧 气。
[0033] 优选地，所述制造方法还包括：
[0034] 在所述娃氮化物绝缘层上方形成第二娃氧化物绝缘层；
[0035] 在所述第二娃氧化物绝缘层上形成包括有源层的图形，所述有源层由氧化物制 成。
[0036] 所述氧化物薄膜由制成所述金属件的金属的氧化物形成，因此，形成金属件之后， 通过对金属件的侧面进行氧化处理即可在金属件的侧面上形成所述氧化物薄膜，从而可W 克服现有技术中沉积金属膜无法覆盖金属件的侧面的缺陷。
【附图说明】
[0037] 附图是用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具 体实施方式一起用于解释本发明，但并不构成对本发明的限制。在附图中：
[003引图1是本发明所提供的阵列基板的第一种实施方式的示意图；
[0039] 图2是透明基板上形成有金属件W及第一保护层的示意图；
[0040] 图3是利用本发明所提供的制造方法的第一种实施方式形成氧化物薄膜后的示 意图；
[0041] 图4是本发明所提供的阵列基板的第二种实施方式的示意图；
[0042] 图5是利用本发明所提供的制造方法的第二种实施方式形成氧化物薄膜后的示 意图。
[0043] 附图标记说明
[0044] 100;栅极 110;氧化物薄膜
[0045] 120 ;第一保护层 210 ;第一娃氧化物绝缘层
[0046] 220 ;第二娃氧化物绝缘层230 ;娃氮化物绝缘层
[0047] 300 ;有源层 400 ;刻蚀阻挡层
[0048] 510 ;源极 520 ;漏极
[0049] 600;纯化层 700;像素电极
【具体实施方式】
[0050] W下结合附图对本发明的【具体实施方式】进行详细说明