一种tft基板的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及液晶显示技术领域，具体的说是涉及一种新型TFT基板。
【背景技术】
[0002]TFT技术是二十世纪九十年代发展起来的，采用新材料和新工艺的大规模半导体全集成电路制造技术，是液晶(LC)、无机和有机薄膜电致发光(EL和0EL)平板显示器的基础。TFT是在玻璃或塑料基板等非单晶片上(当然也可以在晶片上)通过溅射、化学沉积工艺形成制造电路必需的各种膜，通过对膜的加工制作大规模半导体集成电路(LSIC)。采用非单晶基板可以大幅度地降低成本，是传统大规模集成电路向大面积、多功能、低成本方向的延伸，是现代大生产的顶尖技术。
[0003]薄膜场效应晶体管是指液晶显示器上的每一液晶像素点都是由集成在其后的薄膜晶体管来驱动，从而可以做到高速度高亮度高对比度显示屏幕信息，TFT-LCD (薄膜晶体管液晶显示器)是多数液晶显示器的一种，可以做到高速度、高亮度、高对比度显示屏幕信息，是最好的LCD彩色显示设备之一，其效果接近CRT显示器，是笔记本电脑和台式机上的主流显示设备。TFT的每个像素点都是由集成在自身上的TFT来控制，是有源像素点。
【发明内容】
[0004]鉴于已有技术存在的缺陷，本发明的目的是要提供一种新型的TFT基板。
[0005]为了实现上述目的，本发明的技术方案:
[0006]一种TFT基板，其特征在于:
[0007]包括薄膜晶体管；
[0008]所述薄膜晶体管包括有源层、绝缘层、栅电极以及金属构件，所述的有源层包括多个掺杂区以及一个非掺杂区且所述的多个掺杂区至少包括一个低掺杂区；所述的金属构件布置于所述的有源层上，所述的绝缘层布置于所述的金属构件上，且所述的绝缘层与金属构件之间设置绝缘电介质层；
[0009]所述的薄膜晶体管设置于基板上，在所述基板上布设电极配线；
[0010]且所述的薄膜晶体管的栅电极上布设氧化物层。
[0011]所述的低掺杂区为P型硼离子掺杂。
[0012]所述的绝缘电介质层材料可以选用多晶硅、氮化硅、二氧化硅材料中的一种，在580°C—650°C进行常压气相淀积或者等离子气相淀积。
[0013]与现有技术相比，本发明的有益效果:
[0014]本发明结构简单，低驱动电压，固体化使用安全性和可靠性提高；平节省了大量原材料和使用空间；低功耗，品种多样，使用方便灵活、维修、更新、升级容易，使用寿命长等许多特点单色字符图形分辨率高。
【附图说明】
[0015]图1为本发明所述的TFT基板的基板截面结构图。
[0016]图中:1、基板，2、缓冲层，3、薄膜晶体管，4、绝缘层。
【具体实施方式】
[0017]为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图，对本发明进行进一步详细说明。
[0018]如图1所示，所述的TFT基板的薄膜晶体管3各个结构通过缓冲层2贴附于基板I上，在其上设置绝缘层4。
[0019]所述的TFT基板其特征在于:包括薄膜晶体管；
[0020]所述薄膜晶体管包括有源层、绝缘层、栅电极以及金属构件，所述的有源层包括多个掺杂区以及一个非掺杂区且所述的多个掺杂区至少包括一个低掺杂区；所述的金属构件布置于所述的有源层上，所述的绝缘层布置于所述的金属构件上，且所述的绝缘层与金属构件之间设置绝缘电介质层；
[0021]所述的薄膜晶体管设置于基板上，在所述基板上布设电极配线；
[0022]且所述的薄膜晶体管的栅电极上布设氧化物层。
[0023]所述的低掺杂区为P型硼离子掺杂。
[0024]所述的绝缘电介质层材料可以选用多晶硅、氮化硅、二氧化硅材料中的一种，在580°C—650°C进行常压气相淀积或者等离子气相淀积。
[0025]以上所述，仅为本发明较佳的【具体实施方式】，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种TFT基板，其特征在于: 包括薄膜晶体管； 所述薄膜晶体管包括有源层、绝缘层、栅电极以及金属构件，所述的有源层包括多个掺杂区以及一个非掺杂区且所述的多个掺杂区至少包括一个低掺杂区；所述的金属构件布置于所述的有源层上，所述的绝缘层布置于所述的金属构件上，且所述的绝缘层与金属构件之间设置绝缘电介质层； 所述的薄膜晶体管设置于基板上，在所述基板上布设电极配线； 且所述的薄膜晶体管的栅电极上布设氧化物层。
2.根据权利要求1所述的一种TFT基板，其特征在于:所述的低掺杂区为P型硼离子掺杂。
3.根据权利要求1所述的一种TFT基板，其特征在于:所述的绝缘电介质层材料可以选用多晶硅、氮化硅、二氧化硅材料中的一种，在5800C-650 V进行常压气相淀积或者等离子气相淀积。
【专利摘要】本发明公开了一种TFT基板，其特征在于：包括薄膜晶体管；所述薄膜晶体管包括有源层、绝缘层、栅电极以及金属构件，所述的有源层包括多个掺杂区以及一个非掺杂区且所述的多个掺杂区至少包括一个低掺杂区；所述的金属构件布置于所述的有源层上，所述的绝缘层布置于所述的金属构件上，且所述的绝缘层与金属构件之间设置绝缘电介质层；所述的薄膜晶体管设置于基板上，在所述基板上布设电极配线；且所述的薄膜晶体管的栅电极上布设氧化物层。本发明结构简单，低驱动电压，固体化使用安全性和可靠性提高；平节省了大量原材料和使用空间；低功耗，品种多样，使用方便灵活、维修、更新、升级容易，使用寿命长等许多特点单色字符图形分辨率高。
【IPC分类】H01L29-786, H01L27-12
【公开号】CN104701324
【申请号】CN201310667605
【发明人】王东巍
【申请人】大连鑫永工业制造有限公司
【公开日】2015年6月10日
【申请日】2013年12月9日