br>[0236]201常导通型的GaN类的异质结场效应晶体管
[0237]202常截止型的Si类的MOS型的场效应晶体管
[0238]501、502、504、505、601、602、605、606、701、702 缺口
[0239]503、506、603、604、607、608 开口
【主权项】
1.一种场效应晶体管，其特征在于，包括: 设置在有源区域上的源极电极(38、88、138); 设置在所述有源区域上的漏极电极(37、87、137);和 设置在所述源极电极(38、88、138)与所述漏极电极(37、87、137)之间的栅极电极(13、63.113)， 所场效应晶体管还包括源极电极焊盘(16、66、116)和漏极电极焊盘(15、65、115)中的至少一方，所述源极电极焊盘(16、66、116)形成在所述源极电极(38、88、138)上并且与所述源极电极(38、88、138)电连接，所述漏极电极焊盘(15、65、115)形成在所述漏极电极(37、87、137)上并且与所述漏极电极(37、87、137)电连接， 所述源极电极焊盘(16、66、116)具有使其与所述漏极电极(37、87、137)之间的寄生电容减少的缺口 (504、505、605、606、702)， 所述漏极电极焊盘(15、65、115)具有使其与所述源极电极(38、88、138)之间的寄生电容减少的缺口(501、502、601、602、701)。
2.一种场效应晶体管，其特征在于，包括: 设置在有源区域上的源极电极(38、88、138); 设置在所述有源区域上的漏极电极(37、87、137); 设置在所述源极电极(38、88、138)与所述漏极电极(37、87、137)之间的栅极电极(13、63.113)； 形成在所述源极电极(38、88、138)上并且与所述源极电极(38、88、138)电连接的源极电极焊盘(16、66、116);和 形成在所述漏极电极(37、87、137)上并且与所述漏极电极(37、87、137)电连接的漏极电极焊盘(15、65、115)， 所述源极电极(38、88、138)和漏极电极(37、87、137)呈指状延伸， 所述源极电极(38、88、138)以在与作为所述漏极电极(37、87、137)呈指状延伸的方向的长度方向交叉的方向上与所述漏极电极(37、87、137)相邻的方式形成，并且在所述长度方向上延伸， 所述场效应晶体管包括在所述漏极电极(37、87、137)、源极电极(38、88、138)和栅极电极(13、63、113)上形成的绝缘层(8、58、108)， 所述源极电极焊盘(16、66、116)中，覆盖所述漏极电极(37、87、137)的区域的面积小于覆盖所述源极电极(38、88、138)的区域的面积， 所述漏极电极焊盘(15、65、115)中，覆盖所述源极电极(38、88、138)的区域的面积小于覆盖所述漏极电极(37、87、137)的区域的面积。
3.如权利要求2所述的场效应晶体管，其特征在于: 包括具有异质结的GaN类层叠体(2、3、52、53、102、103)， 所述指状的源极电极(38、88、138)、所述指状的漏极电极(37、87、137)和所述绝缘层(8、58、108)形成在所述 GaN 类层叠体(2、3、52、53、102、103)上， 所述漏极电极焊盘(15、65、115)经由形成于所述绝缘层(8、58、108)的通孔(24、74、124)与所述漏极电极(37、87、137)电连接， 所述源极电极焊盘(16、66、116)经由形成于所述绝缘层(8、58、108)的通孔(30、81、130)与所述源极电极(38、88、138)电连接。
4.如权利要求2或3所述的场效应晶体管，其特征在于: 所述指状的漏极电极(87)和所述指状的源极电极(88)在与所述长度方向交叉的方向上交替地排列有多个， 所述漏极电极焊盘￠5)具有: 用于接合的接合部(71)； 沿所述漏极电极(87)在长度方向上延伸的多个长度方向部(72);和在与所述长度方向交叉的方向上延伸且与所述多个长度方向部(72)相连的连结部(73A、73B、75A、75B)， 所述连结部(73A、73B、75A、75B)中，与所述接合部(71)隔开第一距离的第一部分(73A-1、73B-1、75A-1、75B-1)的面积，大于与所述接合部(71)隔开比所述第一距离长的第二距离的第二部分(73A-2、75A-2、73B-2、75B-2)的面积。
5.如权利要求2至4中任一项所述的场效应晶体管，其特征在于: 所述指状的漏极电极(87)和所述指状的源极电极(88)在与所述长度方向交叉的方向上交替地排列有多个， 所述源极电极焊盘￠6)具有: 用于接合的接合部(77)； 沿所述源极电极(88)在长度方向上延伸的多个长度方向部(76);和在与所述长度方向交叉的方向上延伸且与所述多个长度方向部(76)相连的连结部(79A、80A、79B、80B)， 所述连结部(79A、80A、79B、80B)中，与所述接合部(77)隔开第一距离的第一部分(79A-1、80A-1、79B-1、80B-1)的面积，大于与所述接合部(77)隔开比所述第一距离长的第二距离的第二部分(79A-2、79B-2、80A-2、80B-2)的面积。
6.如权利要求2至5中任一项所述的场效应晶体管，其特征在于: 所述指状的漏极电极(37、87、137)和所述指状的源极电极(38、88、138)在与所述长度方向交叉的方向上交替地排列有多个， 所述漏极电极焊盘(15、65、115)具有: 用于接合的接合部(21、71、123)； 沿所述漏极电极(37、87、137)在长度方向上延伸的多个长度方向部(22、72、122、123);和 在与所述长度方向交叉的方向上延伸且与所述多个长度方向部(22、72、122)相连，并且到达所述接合部(21、71、123)的连结部(23、25、75A、75B、125)， 所述接合部(21、71、123)配置在所述漏极电极焊盘(15、65、115)的大致中央。
7.如权利要求2至6中任一项所述的场效应晶体管，其特征在于: 所述指状的漏极电极(37、87、137)和所述指状的源极电极(38、88、138)在与所述长度方向交叉的方向上交替地排列有多个， 所述源极电极焊盘(16、66、116)具有: 用于接合的接合部(27、77、127)； 沿所述源极电极(38、88、138)在长度方向上延伸的多个长度方向部(26、76、126、127);和 在与所述长度方向交叉的方向上延伸且与所述多个长度方向部(26、76、126)相连，并且到达所述接合部(27、77、127)的连结部(28、29、80A、80B、128)， 所述接合部(27、77、127)配置在所述源极电极焊盘(16、66、116)的大致中央。
8.如权利要求2至7中任一项所述的场效应晶体管，其特征在于: 用于将所述漏极电极焊盘(15、65)与所述漏极电极(37、87)电连接的通孔(24、74)，形成在所述绝缘层(8、58)中的与所述漏极电极焊盘(15、65)的长度方向上的两端部(22A、22B、72A、72B)对应的部位。
9.如权利要求2至8中任一项所述的场效应晶体管，其特征在于: 用于将所述源极电极焊盘(16、66)与所述源极电极(38、88)电连接的通孔(30、81)，形成在所述绝缘层(8、58)中的与所述源极电极焊盘(16、66)的长度方向上的两端部(26A、26B、76A、76B)对应的部位。
10.如权利要求4所述的场效应晶体管，其特征在于: 所述漏极电极焊盘(65)的连结部(73A、73B、75A、75B)包括: 与所述多个长度方向部(72)相连的第一连结部(73B、75B);和第二连结部(73A、75A)，其与所述多个长度方向部(72)相连，并且，所述第二连结部(73A、75A)与所述漏极电极(37、87、137)的长度方向上的中央之间的长度方向上的距离，比所述第一连结部(73B、75B)与所述漏极电极(37、87、137)的长度方向上的中央之间的长度方向上的距离长， 所述第一连结部(73B、75B)的面积大于所述第二连结部(73A、75A)的面积。
11.如权利要求5所述的场效应晶体管，其特征在于: 所述源极电极焊盘(66)的连结部(79A、80A、79B、80B)包括: 与所述多个长度方向部(76)相连的第一连结部(79B、80B);和第二连结部(79A、80A)，其与所述多个长度方向部(76)相连，并且，所述第二连结部(79A、80A)与所述源极电极(88)的长度方向上的中央之间的长度方向上的距离，比所述第一连结部(79B、80B)与所述源极电极(88)的长度方向上的中央之间的长度方向上的距离长， 所述第一连结部(79B、80B)的面积大于所述第二连结部(79A、80A)的面积。
12.—种级联连接电路，其特征在于: 包括权利要求1至11中任一项所述的场效应晶体管， 所述场效应晶体管为常导通型的场效应晶体管(201)， 所述级联连接电路还包括漏极与所述常导通型的场效应晶体管(201)的源极电连接的常截止型的硅类的MOS型场效应晶体管(202)， 所述常导通型的场效应晶体管(201)的栅极与所述常截止型的硅类的MOS型场效应晶体管(202)的源极电连接，通过对所述常截止型的硅类的MOS型场效应晶体管(202)的栅极施加控制电压而进行导通截止控制。
【专利摘要】场效应晶体管包括形成在源极电极(38)上并且与源极电极(38)电连接的源极电极焊盘(16)和形成在漏极电极(37)上并且与漏极电极(37)电连接的漏极电极焊盘(15)中的至少一方，源极电极焊盘(16)具有使其与漏极电极(37)之间的寄生电容减少的缺口(504、505)，漏极电极焊盘(15、65、115)具有使其与源极电极(38、88、138)之间的寄生电容减少的缺口(501、502)。
【IPC分类】H01L27-088, H01L29-417, H01L29-41, H01L21-338, H01L21-8236, H01L21-336, H01L29-778, H01L27-04, H01L29-78, H01L29-812, H01L21-28, H01L21-822
【公开号】CN104704616
【申请号】CN201380052563
【发明人】铃木贵光, 安藤隆彦, 森下敏
【申请人】夏普株式会社
【公开日】2015年6月10日
【申请日】2013年10月2日
【公告号】WO2014073295A1