用于集成电路图案化的方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及用于集成电路图案化的方法。
【背景技术】
[0002]半导体集成电路(IC)工业经历了指数式发展。IC材料和设计中的技术进步已产生了数代1C，其中，每代IC都比前一 IC具有更小且更复杂的电路。在IC演变过程中，功能密度(即，每芯片面积上互连器件的数量)通常都已增加，而几何尺寸(即，可使用制造工艺可以创建的最小组件(或线))却已减小。这种按比例缩小工艺通常通过增加成产效率和降低相关成本而提供益处。这些按比例缩小也增加了处理和制造IC的复杂性，并且为了实现这些进步，需要IC处理和制造中的类似发展。
【发明内容】
[0003]为了解决现有技术中存在的问题，根据本发明的一个方面，提供了一种形成用于集成电路的目标图案的方法，所述方法包括:利用第一掩模在衬底上方形成多条线；在所述衬底上方、所述多条线上方和所述多条线的侧壁上形成第一间隔件层；去除所述第一间隔件层的至少一部分以暴露所述多条线；去除所述多条线从而在所述衬底上方提供图案化的第一间隔件层；在所述衬底上方、所述图案化的第一间隔件层上方和所述图案化的第一间隔件层的侧壁上形成第二间隔件层；以及利用第二掩模在所述第二间隔件层上方形成图案化的材料层，从而所述图案化的材料层和所述第二间隔件层共同地限定多个沟槽。
[0004]在上述方法中，还包括:将所述多个沟槽转印至所述衬底。
[0005]在上述方法中，还包括:穿过所述多个沟槽的开口蚀刻所述第二间隔件层以暴露所述衬底；穿过所述多个沟槽的开口蚀刻所述衬底；以及在蚀刻后，去除所述第一间隔件层、所述第二间隔件层和所述图案化的材料层。
[0006]在上述方法中，形成所述多条线包括:在所述衬底上方形成光刻胶层；以及利用所述第一掩模图案化所述光刻胶层。
[0007]在上述方法中，形成所述多条线包括:在所述衬底上方形成硬掩模层；在所述硬掩模层上方形成光刻胶层；利用所述第一掩模图案化所述光刻胶层；将所述图案化的光刻胶层用作蚀刻掩模蚀刻所述硬掩模层；以及之后去除所述图案化的光刻胶层。
[0008]在上述方法中，形成所述第一间隔件层和所述第二间隔件层包括沉积。
[0009]在上述方法中，形成所述图案化的材料层包括:在所述第二间隔件层上方形成第一材料层；在所述第一材料层和所述第二间隔件层上方形成第二材料层；利用所述第二掩模图案化所述第二材料层；将所述图案化的第二材料层用作蚀刻掩模蚀刻所述第一材料层；以及之后去除所述图案化的第二材料层。
[0010]在上述方法中，还包括:回蚀刻所述第一材料层从而在形成所述第二材料层之前暴露所述第二间隔件层。
[0011]在上述方法中，图案化所述第二材料层使用光刻工艺，包括:在所述第二材料层上方形成光刻胶层；利用所述第二掩模图案化所述光刻胶层；将所述图案化的光刻胶层用作蚀刻掩模蚀刻所述第二材料层；以及之后去除所述图案化的光刻胶层。
[0012]在上述方法中，蚀刻所述第一材料层包括选择性地调整为使用所述图案化的第二材料层作为蚀刻掩模来去除所述第一材料层而保留所述第二间隔件层的工艺。
[0013]在上述方法中，去除所述第一间隔件层的至少一部分包括各向异性蚀刻工艺。
[0014]在上述方法中，去除所述多条线包括等离子体蚀刻工艺。
[0015]在上述方法中，所述多个沟槽的至少一个的尺寸由所述第一掩模的图案间隔和位于所述多条线的侧壁上方的所述第一间隔件层和所述第二间隔件层的厚度至少部分地限定。
[0016]根据本发明的另一方面，还提供了一种方法，包括:在衬底上方形成线，所述衬底具有多个硬掩模层；在所述衬底上方、所述线上方和所述线的侧壁上将第一材料沉积至第一厚度；去除所述线从而在所述衬底上方提供图案化的第一材料；在所述衬底上方、所述图案化的第一材料上方和所述图案化的第一材料的侧壁上将第二材料沉积至第二厚度；在所述第二材料上方沉积第三材料；以及图案化所述第二材料和所述第三材料以形成沟槽。
[0017]在上述方法中，还包括，在沉积所述第一材料之前:将所述线转印至所述硬掩模层中的一个。
[0018]在上述方法中，还包括，在所述去除所述线之前，去除所述第一材料的至少一部分以暴露所述线。
[0019]在上述方法中，还包括，穿过所述沟槽的开口蚀刻所述衬底。
[0020]根据本发明的又一方面，还提供了一种形成用于集成电路的目标图案的方法，所述方法包括:将所述目标图案分解到至少第一掩模和第二掩模，所述第一掩模具有第一掩模图案，所述第二掩模具有第二掩模图案，其中，所述第一掩模图案的至少一部分与所述第二掩模图案的至少一部分重叠；利用所述第一掩模图案化衬底从而形成多个第一部件；在所述衬底上方、所述多个第一部件上方和所述多个第一部件的侧壁上形成第一间隔件层；部分地去除所述第一间隔件层以暴露所述衬底和所述多个第一部件；去除所述多个第一部件；在所述衬底上方、所述第一间隔件层上方和所述第一间隔件层的侧壁上形成第二间隔件层；在所述第二间隔件层上方形成第一材料层；以及利用所述第二掩模图案化所述第一材料层，其中，所述第二间隔件层和所述图案化的第一材料层共同地限定多个第二部件。
[0021]在上述方法中，还包括:在图案化所述第一材料层之前回蚀刻所述第一材料层以暴露所述第二间隔件层。
[0022]在上述方法中，还包括:将所述多个第二部件转印至所述衬底；以及之后去除所述图案化的第一材料层及所述第一间隔件层和所述第二间隔件层。
【附图说明】
[0023]当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以更好地理解本发明的各方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各种部件没有被按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增加或减少。
[0024]图1是在衬底上形成目标图案或器件以实施本发明的一个或多个实施例的方法的流程图。
[0025]图2根据本发明的各个方面示出了示例性衬底和将形成在其上的目标图案。
[0026]图3a至图14b是根据实施例的按照图1的方法形成图2的目标图案的俯视图和截面图。
[0027]图15示出了具有可根据本发明的各个方面进行调整的多种尺寸的最终图案。
[0028]图16a至图17b是根据实施例的按照图1的方法形成用于图2的目标图案的芯轴线的俯视图和截面图。
[0029]图18a至图18b是根据实施例的按照图1的方法形成用于图2的目标图案的沟槽的俯视图和截面图。
【具体实施方式】
[0030]为了实现本发明的不同特征，以下描述提供了许多不同的实施例或实例。以下描述组件和布置的特定实例以简化本公开。当然，这些仅仅是实例并不打算限定。另外，本公开可能在各个实施例中重复参考标号和/或字符。这种重复只是为了简化和清楚的目的且其本身并不指定所讨论的各个实施例和/或结构之间的关系。另外，在以下描述中于第二工艺之前执行第一工艺可包括在第一工艺之后立即执行第二工艺的实施例，并还可包括于第一和第二工艺之间执行另外的工艺的实施例。可出于简化和清楚的目的而以不同比例任意绘制各个部件。另外，在以下描述中第一部件形成在第二部件上方或第二部件上可包括第一和第二部件以直接接触的方式形成的实施例，并且还可以包括形成在第一和第二部件之间形成额外部件以使第一和第二部件不直接接触的实施例。
[0031]而且，为便于说明，诸如“在..?之下”、“下面”、“下部”、“在..?之上”、“上部”
等空间关系术语可在此用以描述如图中所示的一个元件或部件与另一个元件或部件的关系。除了图中所示的方位之外，空间相对术语旨在包括处于使用或操作状态的器件的不同方位。例如，如果附图中的器件被翻转，则描述为在其他元件或部件“下面”或“之下”的元件将然后被定向为在其他元件或部件“之上”。因此，示例性术语“下面”可包含“在.??之上”和“下面”的方位。装置可以