有机发光二极管显示装置及其制造方法
【专利说明】有机发光二极管显示装置及其制造方法
[0001]本申请要求2013年12月23日在韩国提交的韩国专利申请N0.102013-0161519的优先权权益，其全部内容特此以弓I用方式并入。
技术领域
[0002]本公开涉及有机发光二极管显示装置，更特别地，涉及增加存储电容器的电容的有机发光二极管显示装置及其制造方法。
【背景技术】
[0003]近来，平板显示器因其薄外形、重量轻和低功耗已经广泛地发展并应用于各种领域。
[0004]在平板显示器之中，可被称作有机电致发光显示装置的有机发光二极管(OLED)显示装置在电子空穴对损耗期间发光，该电子空穴对是通过将电荷注入用于注入电子的阴极和用于注入空穴的阳极之间的发光层形成的。
[0005]OLED显示装置包括诸如塑料的柔性基板；因为其是自发光，所以OLED显示装置具有优良的对比度；0LED显示装置具有几微秒的响应时间，并且在显示移动图像时具有优势；0LED显示装置具有宽视角并在低温下是稳定的；因为OLED显示装置通过5V至15V的直流(DC)低电压进行驱动，所以很容易设计和制造驱动电路；0LED显示装置的制造方法简单，因为仅需要沉积和封装步骤。
[0006]OLED显示装置根据驱动方法可分为无源矩阵型和有源矩阵型。有源矩阵型显示装置因为其低功耗、高清晰度和大尺寸可能性已经被广泛使用。
[0007]图1是根据现有技术的OLED显示装置的一个像素区的电路图。
[0008]如图1中所示，OLED显示装置包括选通线GL、数据线DL、开关薄膜晶体管Ts、驱动薄膜晶体管Td、存储电容器Cst和发光二极管De。选通线GL和数据线DL彼此交叉，以限定像素区P。开关薄膜晶体管Ts、驱动薄膜晶体管Td、存储电容器Cst和发光二极管De形成在像素区P内。
[0009]更特别地，开关薄膜晶体管Ts的栅极与选通线GL连接，开关薄膜晶体管Ts的源极与数据线DL连接。驱动薄膜晶体管Td的栅极与开关薄膜晶体管Ts的漏极连接，驱动薄膜晶体管Td的源极与高电压源VDD连接。发光二极管De的阳极与驱动薄膜晶体管Td的漏极连接，发光二极管De的阴极与低电压源VSS连接。存储电容器Cst与驱动薄膜晶体管Td的栅极和漏极连接。
[0010]在OLED显示装置的操作中，当开关薄膜晶体管Ts利用通过选通线GL施加的选通信号而导通时，来自数据线DL的数据信号通过开关薄膜晶体管Ts被施加到驱动薄膜晶体管Td的栅极和存储电容器Cst的电极。当驱动薄膜晶体管Td利用数据信号而导通时，流过发光二极管De的电流受到控制，从而显示图像。发光二极管De由于通过驱动薄膜晶体管Td从高电压源VDD施加的电流而发光。
[0011 ] S卩，流过发光二极管De的电流量与数据信号的幅度成比例，发光二极管De发射的光强度与流过发光二极管De的电流量成比例。因此，像素区P根据数据信号幅度表现不同的灰度级，结果，OLED显示装置显示图像。
[0012]当开关薄膜晶体管Ts截止时，存储电容器Cst将对应数据信号的电荷保持一帧。因此，即使开关薄膜晶体管Ts截止，存储电容器Cst也允许流过发光二极管De的电流量恒定并且发光二极管De表现的灰度级能被保持直到下一帧。
[0013]为此，存储电容器Cst的电容需要高于预定值。然而，为了实现高清显示装置，像素区P的尺寸减小，存储电容器Cst的区域也减小。因此，存储电容器Cst的电容降低。如果存储电容器Cst的区域增加，则有效发光区域和补偿电路的区域受到限制。因此，难以获得存储电容器Cst的充足电容。
【发明内容】
[0014]相应地，本发明涉及有机发光二极管显示装置及其制造方法，其基本消除了由于现有技术的局限和缺陷引起的一个或多个问题。
[0015]本公开的一个目的是提供一种增加了存储电容器的电容并提高了开口率和亮度的有机发光二极管显示装置及其制造方法。
[0016]本公开的另一目的是提供一种增加了设计余量的有机发光二极管显示装置及其制造方法。
[0017]本发明的其他特征和优点将在以下描述中进行阐述，并根据描述将部分地变得清楚或可通过本发明的实施而获知。本发明的目的和其他优点将通过所写的说明书和权利要求书及其附图中特别指出的结构来实现和获得。
[0018]为了实现这些和其他优点并根据本发明的目的，如本文中实施和广义描述地，提供了一种有机发光二极管显示装置，该有机发光二极管显示装置包括:基板；基板上方的选通线和数据线；与选通线和数据线连接的开关薄膜晶体管；与开关薄膜晶体管连接并包括第一半导体层的驱动薄膜晶体管；与驱动薄膜晶体管的栅极和漏极连接的存储电容器；以及与漏极连接并发光的发光二极管，其中，存储电容器包括与漏极连接的第一电容器电极和与栅极连接的第二电容器电极，其中，第一电容器电极和第二电容器电极之间设置缓冲层、第二半导体层和栅绝缘层，栅绝缘层具有暴露第二半导体层的至少一个孔。
[0019]在另一方面，一种制造有机发光二极管显示装置的方法包括:在基板上方形成选通线；形成与选通线交叉的数据线；形成与选通线和数据线连接的开关薄膜晶体管；形成与开关薄膜晶体管连接并包括第一半导体层的驱动薄膜晶体管；形成与驱动薄膜晶体管的栅极和漏极连接的存储电容器；以及形成与驱动薄膜晶体管的漏极连接并发光的发光二极管，其中，形成存储电容器包括形成与漏极连接的第一电容器电极和形成与栅极连接的第二电容器电极，其中，在形成第一电容器电极和形成第二电容器电极之间包括形成缓冲层、形成第二半导体层以及形成栅绝缘层，形成栅绝缘层包括形成暴露第二半导体层的至少一个孔。
[0020]在另一方面，一种制造有机发光二极管显示装置的方法包括:在基板上方形成第一电容器电极；在第一电容器电极上方形成缓冲层；在缓冲层上方形成第一半导体层和第二半导体层；在第一半导体层和第二半导体层上方形成栅绝缘层；通过将栅绝缘层图案化，形成暴露第二半导体层的至少一个孔；在栅绝缘层上方形成栅极和第二电容器电极；在栅极和第二电容器电极上方形成中间绝缘层；在中间绝缘层上方形成源极和漏极；在源极和漏极上方形成钝化层；在钝化层上方顺序形成第一电极、有机发光层和第二电极，其中第一电容器电极与漏极连接且第二电容器电极与栅极连接。
[0021]要理解，以上总体描述和以下详细描述都是示例性的和说明性的并且旨在对要求保护的本发明提供进一步说明。
【附图说明】
[0022]附图被包括以提供对本发明的进一步理解，并入且构成本说明书的一部分，附图示出本发明的实施方式并且与描述一起用于说明本发明的原理。在附图中:
[0023]图1是根据现有技术的OLED显示装置的一个像素区的电路图；
[0024]图2是根据本发明的实施方式的OLED显示装置的剖视图；
[0025]图3A至图3J是根据本发明的实施方式的制造显示装置的步骤中的OLED显示装置的剖视图；和
[0026]图4A至图4C是示意性示出根据本发明的实施方式的存储电容器的孔的视图。
【具体实施方式】
[0027]现在，将详细参照优选实施方式，在附图中示出优选实施方式的示例。
[0028]图2是根据本发明的实施方式的OLED显示装置的剖视图。图2示出一个像素区。
[0029]在图2中，诸如金属的导电材料的阻光层112和第一电容器电极116形成在绝缘基板110上。
[0030]绝缘材料的缓冲层120在基本整个基板110上形成在阻光层112和第一电容器电极116上。
[0031]氧化物半导体层的第一氧化物半导体层122和第二氧化物半导体层126形成在缓冲层120上。第一氧化物半导体层122设置在阻光层112上方，第二氧化物半导体层126设置在第一电容器电极116上方。第一氧化物半导体层122具有比阻光层112更宽的宽度，第一氧化物半导体层122的中心部分与阻光层112重叠。第二氧化物半导体层126与第一电容器电极116重叠。此时，第二氧化物半导体层126具有比第一电容器电极116更小的面积，第一电容