薄膜形成装置及薄膜形成方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及薄膜形成装置及薄膜形成方法。
[0002]本申请基于2012年10月19日申请的日本国特愿2012-231876号及2012年10月19日申请的日本国特愿2012-231877号要求优先权，并将其内容援引于此。
【背景技术】
[0003]作为构成显示器装置等显示装置的显示元件，已知有例如液晶显示元件、有机电致发光(有机EL)元件、电子纸中使用的电泳元件等。作为制作安装有这些元件的显示器面板等电子器件的一个方法，已知有例如被称为卷对卷(roll to roll)方式(以下，简记为“卷轴方式”)的方法(例如，参照专利文献I)。
[0004]卷轴方式是如下方法:将卷绕在基板供给侧的辊上的一片片状的基板送出，并且一边用基板回收侧的辊卷取送出的基板，一边搬运基板，在从基板送出到被卷取为止之间，在基板上依次形成用于电子器件(显示像素电路、驱动器电路、布线等)的显示电路和驱动器电路等的图案。近年来，提出了形成例如构成晶体管的半导体层等薄膜的处理装置。
[0005]在先技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1:国际公开第2008/129819号
【发明内容】
[0008]在上述那样的卷轴方式中，迫切期望能够制造电气特性高的薄膜的技术。
[0009]本发明的方案的目的在于，提供能够制造电气特性高的薄膜的薄膜形成装置及薄膜形成方法。
[0010]根据本发明的第一方案，提供一种在基板的表面形成薄膜的薄膜形成装置，具有:供给部，其将含有薄膜的材料的溶媒的液滴供给至基板的表面；形状变形部，其使基板的表面上的液滴的形状以从一个方向朝向另一个方向延伸的方式变形；以及除去部，其对从一个方向朝向另一个方向延伸了的液滴除去溶媒。
[0011]根据本发明的第二方案，提供一种在基板的表面形成薄膜的薄膜形成方法，具有:供给工序，其将含有薄膜的材料的溶媒的液滴供给至基板的表面；变形工序，其使基板的表面上的液滴的形状以从一个方向朝向另一个方向延伸的方式变形；除去工序，其对从一个方向朝向另一个方向延伸了的液滴除去溶媒。
[0012]根据本发明的第三方案，提供一种薄膜形成方法，在基板的表面上，在设定为包含薄膜晶体管的漏电极和源电极的膜形成区域内形成半导体薄膜，具有:供给工序，其将含有上述半导体薄膜的材料的溶媒的液滴供给至上述膜形成区域的一部分；变形工序，其使供给至上述膜形成区域的一部分的上述液滴以沿上述漏电极与上述源电极之间的结晶化的方向延伸的方式变形；以及除去工序，其从上述变形的上述液滴除去上述溶媒。
[0013]根据本发明的第四方案，提供一种在基板的表面形成薄膜的薄膜形成装置，具有:光照射部，其在基板上，对形成有接受光的照射而构造发生变化的材料的区域照射光；供给部，其将含有薄膜的材料的溶媒的液滴供给至区域；除去部，其从供给至区域的液滴除去溶媒。
[0014]根据本发明的第五方案，提供一种在基板的表面形成薄膜的薄膜形成方法，具有:光照射工序，其在基板上，对形成有接受光的照射而构造发生变化的材料的区域照射光；供给工序，其将含有薄膜的材料的溶媒的液滴供给至区域；以及除去工序，其从供给至区域的液滴除去溶媒。
[0015]根据本发明的第六方案，提供一种薄膜形成方法，其在以包含构成薄膜晶体管的漏电极和源电极的方式设定在基板上的膜形成区域内形成半导体薄膜，包含:第一工序，其将上述膜形成区域的表面处理为具有各向异性的分子构造的状态；第二工序，其将含有上述半导体薄膜的材料的溶媒的液滴供给至上述膜形成区域；第三工序，其从供给至上述膜形成区域的上述液滴除去上述溶媒。
[0016]发明效果
[0017]根据本发明的方案，能够制造电气特性高的薄膜。
[0018]根据本发明的其他方案，能够形成高精度的图案。
【附图说明】
[0019]图1是表示本发明的第一实施方式的基板处理装置的结构的图。
[0020]图2是表示本实施方式的处理装置的结构的图。
[0021]图3是表示本实施方式的基板的被处理面的一部分结构的图。
[0022]图4是表示本实施方式的处理装置的一部分结构的图。
[0023]图5A是表示关于液滴的倾斜的图。
[0024]图5B是表示关于液滴的倾斜的图。
[0025]图6是表示本实施方式的处理装置的动作的图。
[0026]图7是表示本实施方式的处理装置的动作的图。
[0027]图8是表示本实施方式的处理装置的动作的图。
[0028]图9A是表示基于本实施方式的处理装置的动作而形成的基板的被处理面的状态的图。
[0029]图9B是表示基于本实施方式的处理装置的动作而形成的基板的被处理面的状态的图。
[0030]图9C是表示基于本实施方式的处理装置的动作而形成的基板的被处理面的状态的图。
[0031]图9D是表示基于本实施方式的处理装置的动作而形成的基板的被处理面的状态的图。
[0032]图10是表示本发明的第二实施方式的处理装置的结构的图。
[0033]图11是表示本实施方式的处理装置的动作的图。
[0034]图12A是表示基于本实施方式的处理装置的动作而形成的基板的被处理面的状态的图。
[0035]图12B是表示基于本实施方式的处理装置的动作而形成的基板的被处理面的状态的图。
[0036]图12C是表示基于本实施方式的处理装置的动作而形成的基板的被处理面的状态的图。
[0037]图12D是表示基于本实施方式的处理装置的动作而形成的基板的被处理面的状态的图。
[0038]图13是表示本发明的第三实施方式的处理装置的结构的图。
[0039]图14是表示本实施方式的处理装置的动作的图。
[0040]图15是表示本实施方式的处理装置的动作的图。
[0041]图16是表示本实施方式的处理装置的动作的图。
[0042]图17是表示本发明的第四实施方式的处理装置的结构的图。
[0043]图18是表示本发明的第五实施方式的处理装置的结构的图。
[0044]图19是表示本实施方式的基板的被处理面的一部分结构的图。
[0045]图20是表示本实施方式的处理装置的动作的图。
[0046]图21是表示本实施方式的处理装置的动作的图。
[0047]图22是表示本实施方式的材料层的分子构造的图。
[0048]图23是表示本实施方式的材料层的分子构造的图。
[0049]图24是表示本实施方式的材料层的层厚的变化的图。
[0050]图25是表示本实施方式的处理装置的动作的图。
[0051]图26是表示通过本实施方式的处理装置而配置在亲液层上的液滴的状态的图。
[0052]图27是表示通过本实施方式的处理装置而配置在亲液层上的液滴的状态的图。
[0053]图28是表示通过本实施方式的处理装置而配置在亲液层上的液滴的状态的图。
[0054]图29是表示本实施方式的处理装置的动作的图。
[0055]图30是表示通过本实施方式的处理装置而配置在亲液层上的液滴的状态的图。
[0056]图31是表示通过本实施方式的处理装置而配置在亲液层上的液滴的状态的图。
【具体实施方式】
[0057]以下，参照【附图说明】本实施方式。
[0058][第一实施方式]
[0059]图1是表示第一实施方式的基板处理装置100的结构的示意图。
[0060]如图1所示，基板处理装置100具有:供给带状的基板(例如，带状的膜部件)S的基板供给部2、对基板S的表面(被处理面)Sa进行处理的基板处理部3、回收基板S的基板回收部4、控制这些各部分的控制部CONT。
[0061]基板处理部3具有基板处理装置100，基板处理装置100用于在从基板供给部2送出基板S到通过基板回收部4回收基板S之间对基板S的表面执行各种处理。该基板处理装置100能够用于在基板S上形成例如有机EL元件、液晶显示元件等显示面板(电子器件)的情况。
[0062]另外，在本实施方式中，如图1所示那样设定XYZ坐标系，以下适当地使用该XYZ坐标系来进行说明。XYZ坐标系例如沿着水平面设定X轴及Y轴，沿着铅垂方向朝上设定Z轴。此外，基板处理装置100整体沿着X轴，从X轴负侧(-X轴侧)向X轴正侧(+X轴侧)搬运基板S。此时，带状的基板S的宽度方向(短边方向)设定为Y轴方向。
[0063]在基板处理装置100中作为处理对象的基板S能够使用例如树脂膜或不锈钢等的箔(foil)。例如，树脂膜能够使用聚乙烯树脂、聚丙烯树脂、聚酯树脂、乙烯乙烯醇共聚物树脂(ethylene vinylalcohol copolymer)、聚氯乙稀树脂、纤维素树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、聚碳酸酯树脂、聚苯乙烯树脂、乙酸乙烯酯树脂等材料。
[0064]基板S优选热膨胀系数小的基板，以使得即使承受例如200°C左右的热，基板的尺寸也不变。例如能够将无机填料混合在树脂膜中来降低热膨胀系数。作为无机填料的例子，可列举出氧化钛、氧化锌、氧化铝、氧化硅等。此外，基板S也能够是用浮动法等制造的厚度100 μπι左右的极薄玻璃的单体，或者在该极薄玻璃上贴合上述树脂膜或铝箔而成的层叠体。
[0065]基板S的宽度方向(短边方向)的尺寸形成为例如Im?2m左右，长度方向(长边方向)的尺寸形成为例如1m以上。当然，该尺寸仅为一个例子，并不限于此。例如，基板S的Y方向上的尺寸可以为Im以下或者50cm以下，也可以在2m以上。此外，基板S的X方向上的尺寸也可以在1m以下。
[0066]基板S具有例如Imm以下的厚度且具有挠性。在此所谓挠性，是指即使对基板施加自重程度的力基板也不会断裂或破断，能够使上述基板挠曲的性质。此外，因自重程度的力而发生弯曲的性质也包含在挠性中。此外，上述挠性根据上述基板的材质、大小、厚度、或温度等环境等而变化。另外，作为基板S，可以使用一片带状的基板，也可以使用连接多个单位基板而形成为带状的结构。
[0067]基板供给部2例如将卷成卷轴状的基板S朝向基板处理部3送出，并将基板S供给至基板处理部3内。在这种情况下，在基板供给部2中，设置有卷绕基板S的轴部及使该轴部旋转的旋转驱动装置。而且也可以构成为:基板供给部2具有例如将卷成卷轴状的状态下的基板S覆盖的罩部。另外，基板供给部2不限定于送出卷成卷轴状的基板S的机构，只要包含将带状的基板S沿其长度方向依次送出的机构(例如夹持式的驱动辊等)即可。
[0068]基板回收部4将通过基板处理部3所具有的基板处理装置100后的基板S例如卷取成卷轴状而回收。在基板回收部4中，与基板供给部2相同地，设置有用于卷绕基板S的轴部和使该轴部旋转的旋转驱动源、覆盖回收后的基板S的罩部等。另外，在基板处理部3中