一种有机发光显示装置及其制备方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示领域，具体涉及一种有机发光显示装置及其制备方法。
【背景技术】
[0002]有源矩阵有机发光器件(英文全称Active Matrix Organic Lighting EmittingDisplay,简称AMOLED),利用薄膜晶体管(英文全称Thin Film Transistor,简称TFT),搭配电容存储信号，来控制有机发光二极管(英文全称Organic Lighting Emitting D1de,简称OLED)的亮度和灰阶表现。每个单独的AMOLED具有完整的第二电极、有机功能层和第一电极，第一电极覆盖一个薄膜晶体管阵列，形成一个矩阵。薄膜晶体管阵列形成电路，决定像素的发光情况，进而决定图像的构成。AMOLED可大尺寸化，较省电，高解析度，面板寿命较长，因此在显示技术领域得到了高度的重视。
[0003]如附图1所示，现有技术中有机发光显示装置包括基板00，设置在基板00上的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管通常包括设置在基板00上的栅极10、第一绝缘层20、半导体层30、第二绝缘层40，以及设置在半导体层30两端的漏极501和源极502。薄膜晶体管上还设置有钝化层36，所述平坦化层60上设置包括第一电极层70、有机层90以及第二电极层100的有机发光二极管，其中，所述平坦化层60中设置有导通所述源极502和所述第一电极层70的通孔。所述平坦化层60上还设置有像素限定层80，用于各像素间的隔离。
[0004]光照会使半导体层30产生光生载流子，继而影响薄膜晶体管特性，比如电阻率、阈值电压、漏电流等，在所述有机发光显示装置的制备过程中可以通过封装工艺对所述显示装置外部光线进行阻挡，例如，设置防紫外线涂层、黑矩阵等。然而，从显示装置自身发射的光，例如从第一电极层70透射出来的光线，特别是蓝光之类短波长的光线会对半导体层30产生严重影响，从而影响薄膜晶体管性能，造成所述有机发光显示装置的性能劣化、寿命减少的问题。
【发明内容】
[0005]为此，本发明所要解决的是现有技术中有机发光显示装置自身发光影响薄膜晶体管性能的问题，提供一种有效避免有机发光显示装置自发光入射薄膜晶体管半导体层的有机发光显示装置及其制备方法。
[0006]为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案如下:
[0007]本发明所述的一种有机发光显示装置，包括:
[0008]基板；
[0009]薄膜晶体管，包括半导体层、设置在半导体层两端的漏极和源极，沿垂直方向设置于半导体层上方或下方的栅极层；
[0010]平坦化层，设置薄膜晶体管上；
[0011]有机发光二极管，设置在平坦化层上，包括第一电极层、有机层以及第二电极层；
[0012]平坦化层中设置有导通第一电极层与源极或漏极的第一通孔；
[0013]所述有机发光显示装置还包括与所述栅极层和/或所述半导体层同层以同种材料形成的光阻挡层，沿平行于所述基板方向，所述光阻挡层设置在所述有机发光二极管和所述薄膜晶体管之间。
[0014]所述有机发光二极管的发光区域在所述基板上的投影与所述光阻挡层在所述基板上的投影无重叠。
[0015]所述栅极层设置在所述半导体层下方。
[0016]所述薄膜晶体管还包括直接设置在所述栅极层上的第一绝缘层。
[0017]所述薄膜晶体管还包括直接设置在所述半导体层上的第二绝缘层。
[0018]所述第一绝缘层或所述第二绝缘层覆盖所述光阻挡层。
[0019]所述有机层包括发光层。
[0020]本发明所述的有机发光显示装置的制备方法，包括如下步骤:
[0021]S1、在基板上形成第一金属层，并图案化在基板的非开口区域形成光阻挡层和栅极层；
[0022]S2、在基板上直接形成覆盖光阻挡层和栅极层的第一绝缘层；
[0023]S3、在第一绝缘层上直接形成半导体层材料层，并图案化，在栅极层上方形成半导体层；
[0024]S4、在第一绝缘层上形成第二金属层，并图案化形成覆盖半导体层两端的源极和漏极；
[0025]S5、在第一绝缘层上形成平坦化层，并图案化，形成暴露源极或漏极部分区域的第一通孔；
[0026]S6、在平坦化层上直接形成第一电极层，并通过第一通孔与漏极接触连接；
[0027]S7、在平坦化层上形成覆盖第一电极层的像素限定层，并图案化，在基板的开口区域形成暴露第一电极层的第二通孔；
[0028]S8、在第二通孔内的第一电极层上形成有机层和第二电极层。
[0029]本发明所述的有机发光显示装置的制备方法，包括如下步骤:
[0030]S1、在基板上形成第一金属层，并图案化形成栅极层；
[0031]S2、在基板上直接形成覆盖栅极层的第一绝缘层；
[0032]S3、在第一绝缘层上直接形成半导体层材料层，并图案化，在基板的非开口区域形成光阻挡层和半导体层，半导体层形成在栅极层上方；
[0033]S4、在第一绝缘层上形成覆盖光阻挡层和半导体层的第二绝缘层，并图案化形成暴露半导体层两端的第三通孔，在第二绝缘层上形成第二金属层，并图案化形成独立的并通过第三通孔与半导体层两端接触连接的源极和漏极；
[0034]S5、在第二绝缘层上形成平坦化层，并图案化，形成暴露源极或漏极部分区域的第一通孔；
[0035]S6、在平坦化层上直接形成第一电极层，并通过第一通孔与源极或漏极接触连接;
[0036]S7、在平坦化层上形成覆盖第一电极层的像素限定层，并图案化，在基板的开口区域形成暴露第一电极层的第二通孔；
[0037]S8、在第二通孔内的第一电极层上形成有机层和第二电极层。
[0038]步骤S8中所述有机层和所述第二电极层通过所述第二通孔延伸至所述第二通孔的侧壁和所述平坦化层上。
[0039]步骤SI中所述第一金属层图案化时还包括在基板的非开口区域形成第二光阻挡层的步骤，所述第二光阻挡层与步骤S3中所述的光阻挡层在所述基板上的投影部分或全部重合。
[0040]步骤S4还包括在所述第一绝缘层上形成覆盖所述半导体层的第二绝缘层，并图案化，形成暴露所述半导体层两端的第三通孔的步骤。
[0041]本发明的上述技术方案相比现有技术具有以下优点:
[0042]本发明所述的一种有机发光显示装置，包括与所述栅极层和/或所述半导体层同层以同种材料形成的光阻挡层，沿平行于所述基板方向，所述光阻挡层设置在所述有机发光二极管和所述薄膜晶体管之间；所述光阻挡层能有效避免有机发光显示装置中有机发光二极管的自发光入射至所述半导体层，从而影响薄膜晶体管性能，造成所述有机发光显示装置的性能劣化、寿命减少的问题，有效提高了所述薄膜晶体管的性能，从而改善了有机发光显示装置的使用效果和寿命。
[0043]本发明所述的一种有机发光显示装置的制备方法，所述光阻挡层与所述栅极层和/或所述半导体层同层以同种材料形成，在不增加工艺步骤的情况下即可实现薄膜晶体管性能的优化，工艺简单、制备成本低，具有极大的应用价值。
【附图说明】
[0044]为了使本发明的内容更容易被清楚的理解，下面根据本发明的具体实施例并结合附图，对本发明作进一步详细的说明，其中
[0045]图1是现有技术中有机发光显示装置的剖视图；
[0046]图2-1?图2-9是本发明实施例1中所述有机发光显示装置在制备过程中的剖视图；
[0047]图3-1?图3-9是本发明实施例2中所述有机发光显示装置在制备过程中的剖视图；
[0048]图中附图标记表示为:00_基板，10、101_栅极层，20-第一绝缘层，30、301