来进一步说明本发明的有益效果。
[0033] 实施例1
[0034] 采用质量浓度为16%的氢氟酸溶液和质量浓度为5%的硝酸溶液的混合溶液对 硅片进行制绒，得到具有绒面的硅片；
[0035] 制绒后，将具有绒面的硅片置入扩散管中，先进行氮气吹扫，之后通入流量为 500sCCm的溴化氢气体，在950°C的高温条件下，使溴化氢气体被激发为氢离子和溴离子， 这两种离子在高温条件下对具有绒面的硅片进行清洗，清洗时间为250s;
[0036] 向扩散管中通入流量为120〇SCCm的三氯氧磷进行磷扩散，然后对表面的磷硅玻 璃以及周边的PN结进行去除，形成具有PN结的硅片；
[0037] 采用PECVD在上述具有PN结的硅片表面进行氮化硅钝化层的制备，形成具有钝化 减反射层的硅片；
[0038] 丝网印刷背电极银铝浆、背电场铝浆和正电极银浆，烧结形成电极，得到太阳能电 池片。
[0039] 实施例2
[0040] 采用质量浓度为18%的氢氟酸溶液和质量浓度为8%的硝酸溶液的混合溶液对 硅片进行制绒，得到具有绒面的硅片；
[0041] 制绒后，将具有绒面的硅片置入扩散管中，先进行氮气吹扫，之后通入流量为 lOOOsccm的溴化氢气体，在850°C的高温条件下，使溴化氢气体被激发为氢离子和溴离子， 这两种离子在高温条件下对具有绒面的硅片进行清洗，清洗时间为200s;
[0042] 向扩散管中通入流量为150〇SCCm的三氯氧磷进行磷扩散，然后对表面的磷硅玻 璃以及周边的PN结进行去除，形成具有PN结的硅片；
[0043] 采用PECVD在上述具有PN结的硅片表面进行氮化硅钝化层的制备，形成具有钝化 减反射层的硅片；
[0044] 丝网印刷背电极银铝浆、背电场铝浆和正电极银浆，烧结形成电极，得到太阳能电 池片。
[0045] 实施例3
[0046] 采用质量浓度为17%的氢氟酸溶液和质量浓度为6%的硝酸溶液的混合溶液对 硅片进行制绒，得到具有绒面的硅片；
[0047] 制绒后，将具有绒面的硅片置入扩散管中，先进行氮气吹扫，之后通入流量为 150〇SCCm的氯化氢气体，在900°C的高温条件下，使溴化氢气体被激发为氢离子和溴离子， 这两种离子在高温条件下对具有绒面的硅片进行清洗，清洗时间为150s;
[0048] 向扩散管中通入流量为ISOOsccm的三氯氧磷进行磷扩散，然后对表面的磷硅玻 璃以及周边的PN结进行去除，形成具有PN结的硅片；
[0049] 采用PECVD在上述具有PN结的硅片表面进行氮化硅钝化层的制备，形成具有钝化 减反射层的硅片；
[0050] 丝网印刷背电极银铝浆、背电场铝浆和正电极银浆，烧结形成电极，得到太阳能电 池片。
[0051] 实施例4
[0052] 采用质量浓度为15%的氢氟酸溶液和质量浓度为10%的硝酸溶液的混合溶液对 硅片进行制绒，得到具有绒面的硅片；
[0053] 制绒后，将具有绒面的硅片置入扩散管中，先进行氮气吹扫，之后通入流量为 300sccm的氟化氢气体，在750°C的高温条件下，使溴化氢气体被激发为氢离子和溴离子， 这两种离子在高温条件下对具有绒面的硅片进行清洗，清洗时间为300s;
[0054] 向扩散管中通入流量为2000SCCm的三氯氧磷进行磷扩散，然后对表面的磷硅玻 璃以及周边的PN结进行去除，形成具有PN结的硅片；
[0055] 采用PECVD在上述具有PN结的硅片表面进行氮化硅钝化层的制备，形成具有钝化 减反射层的硅片；
[0056] 丝网印刷背电极银铝浆、背电场铝浆和正电极银浆，烧结形成电极，得到太阳能电 池片。
[0057] 实施例5
[0058] 采用质量浓度为20%的氢氟酸溶液和质量浓度为3%的硝酸溶液的混合溶液对 硅片进行制绒，得到具有绒面的硅片；
[0059] 制绒后，将具有绒面的硅片置入扩散管中，先进行氮气吹扫，之后通入流量为 2000SCCm的溴化氢气体，在1050°C的高温条件下，使溴化氢气体被激发为氢离子和溴离 子，这两种离子在高温条件下对具有绒面的硅片进行清洗，清洗时间为30s;
[0060] 向扩散管中通入流量为40〇SCCm的三氯氧磷进行磷扩散，然后对表面的磷硅玻璃 以及周边的PN结进行去除，形成具有PN结的硅片；
[0061] 采用PECVD在上述具有PN结的硅片表面进行氮化硅钝化层的制备，形成具有钝化 减反射层的硅片；
[0062] 丝网印刷背电极银铝浆、背电场铝浆和正电极银浆，烧结形成电极，得到太阳能电 池片。
[0063] 对比例1
[0064] 采用质量浓度为16%的氢氟酸溶液和质量浓度为5%的硝酸溶液的混合溶液对 硅片进行制绒，得到具有绒面的硅片；
[0065] 制绒后，将具有绒面的硅片置入扩散管中，先进行氮气吹扫，之后通入流量为 3000SCCm的溴化氢气体，在1250°C的高温条件下，使溴化氢气体被激发为氢离子和溴离 子，这两种离子在高温条件下对具有绒面的硅片进行清洗，清洗时间为300s;
[0066] 向扩散管中通入流量为250〇SCCm的三氯氧磷进行磷扩散，然后对表面的磷硅玻 璃以及周边的PN结进行去除，形成具有PN结的硅片；
[0067] 采用PECVD在上述具有PN结的硅片表面进行氮化硅钝化层的制备，形成具有钝化 减反射层的硅片；
[0068] 丝网印刷背电极银铝浆、背电场铝浆和正电极银浆，烧结形成电极，得到太阳能电 池片。
[0069] 对比例2
[0070] 采用质量浓度为25%的氢氟酸溶液和质量浓度为15%的硝酸溶液的混合溶液对 硅片进行制绒，得到具有绒面的硅片；
[0071] 对上述制绒后放置了 24小时的制绒后的硅片重新用3%HF溶液清洗，然后向扩散 管中通入流量为35〇SCCm的三氯氧磷进行磷扩散，然后对表面的磷硅玻璃以及周边的PN结 进行去除，形成具有PN结的硅片；
[0072] 采用PECVD在上述具有PN结的硅片表面进行氮化硅钝化层的制备，形成具有钝化 减反射层的硅片；
[0073] 丝网印刷背电极银铝浆、背电场铝浆和正电极银浆，烧结形成电极，得到太阳能电 池片。
[0074] 测试：对上述实施例1至5以及对比例1和2中所制备的太阳能电池片的性能进 行测试，测试结果将表1。其中，太阳能电池片的开路电压（Uoc)、短路电流（Isc)和光电转 换效率采用Halm测试系统测试得到。
[0075] 表 1 :
[0076]
【主权项】
1. 一种PN结的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 步骤S1，对硅片进行制绒，得到具有绒面的硅片； 步骤S2,利用卤化氢气体在750~1050°C的高温下对所述具有绒面的硅片进行清洗， 得到清洗后绒面硅片； 步骤S3,对所述清洗后绒面硅片进行磷扩散，形成所述PN结。
2. 根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述卤化氢气体为溴化氢气体、氯化 氢气体或氟化氢气体。
3. 根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述卤化氢气体在850~950°C的高 温下对所述具有绒面的硅片进行清洗，得到所述清洗后绒面硅片。
4. 根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤S2中，通入所述卤化氢气 体的流量为300sccm~2000sccm。
5. 根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤S2中，对所述具有绒面的 硅片进行清洗的时间为30s-300s。
6. 根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤S2中，在通入所述卤 化氢气体之前，还包括采用氮气对所述具有绒面的硅片进行吹扫的步骤。
7. 根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，在所述步骤Sl中，采用氢氟酸和硝酸 的混合液对所述硅片进行制绒，得到所述具有绒面的硅片；优选所述氢氟酸的质量浓度为 5% -20% ;所述硝酸的质量浓度为3% -10%。
8. 根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，在所述步骤S3的磷扩散步骤中，通入三 氯氧磷进行磷扩散，优选通入所述三氯氧磷的流量为400sccm-2000sccm。
9. 根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，所述步骤S3包括： 对所述清洗后绒面硅片进行三氯氧磷扩散，得到PN结前体； 对所述PN结前体进行表面磷硅玻璃的去除以及周边PN结的去除，得到所述PN结。
10. -种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括PN结的制作、减反射膜的制作以及 电极的印刷烧结，其中所述PN结的制作步骤采用权利要求1至9中任一项所述的制备方法 制作而成。
【专利摘要】本发明公开了一种PN结的制备方法及太阳能电池的制备方法。PN结的制备方法包括：步骤S1，对硅片进行制绒，得到具有绒面的硅片；步骤S2，利用卤化氢气体在750℃-1050℃的高温下对具有绒面的硅片进行清洗，得到清洗后绒面硅片；步骤S3，对清洗后绒面硅片进行磷扩散，形成太阳能电池的PN结。该方法通过在磷扩散步骤之前，利用卤化氢气体在高温条件下解离为氢离子和卤素离子对具有绒面的硅片进行清洗，然后再进行磷扩散，这样制备的PN结能有效提升硅片的钝化性能，大大提升所制备的太阳能电池的短路电流和开路电压，从而提升太阳能电池的转换效率。
【IPC分类】H01L21-02, H01L31-18, H01L21-04
【公开号】CN104867819
【申请号】CN201510175366
【发明人】马红娜
【申请人】英利能源（中国）有限公司
【公开日】2015年8月26日
【申请日】2015年4月14日