5排出干空气。由此，能够将天线室3内保持在足够低的湿度。图6、7分别表示在排气口 55设置有冲切板的情况、以及设置有排气风扇的情况的湿度的经时变化。如这些图所示可知，在任意情况下，通过以规定流量持续流过干空气，均能够获得足够低的湿度。另外，通过像这样以规定流量流过干空气，由此，也能够获得将天线室3内冷却的效果。因此，能够抑制天线室3内的沿面放电，并且防止因温度的上升导致的不良。但是，在作为排气口仅仅设置有开口的情况下，高湿度的空气会从开口流入天线室3内，因此，具有湿度上升的趋势，不予以优选。
[0095]在不需要冷却天线室3内的情况下，可以不设置排气口 55，使天线室3为大致密闭空间。在该情况下，不需要使干空气长时间流动，在天线室3内成为规定压力的干空气气氛后，来自干空气供给源51的干空气的供给为对从天线室3漏出的干空气进行补充的程度即可。图8表示使干空气的压力变化的情况下的、干空气的供给时间和湿度的关系。如该图所示，与干空气的压力为0.05Mpa时相比，在0.1Mpa时到达湿度更低，但是即使使压力提高至0.19Mpa，到达湿度也不降低，在压力0.1Mpa左右，到达湿度饱和。另外，可知，天线室3内从到达规定的压力至湿度降低为止需要一定的时间。
[0096]此外，本发明不限于上述实施方式，能够进行各种变形。例如，在上述实施方式中，作为湿度调整单元使用干空气供给机构，但是也可以使用干空气以外的干燥气体。另外，不限于干燥气体，例如也能够使用通过使温度变化来调整湿度等其它的方案。另外，作为天线的形状例示了涡旋状的天线，但是不限于此，能够根据要生成的等离子体，使用任意形状的天线。
[0097]并且，在上述实施方式中，显示了将本发明应用于感应耦合等离子体处理装置的天线室的情况，但是不限于此，当为被施加高频电力的电极配置在绝缘物上、成为有可能产生沿面放电的状态的高频等离子体装置时，例如也能够适用于电容耦合型的等离子体处理装置等、其它的高频等离子体装置。
[0098]另外，在上述实施方式中，示出了将本发明应用于蚀刻处理的情况，但也能够适用于CVD成膜等的其它的等离子体处理装置。另外，示出了作为基板使用Fro用的矩形基板的例子，但也能够适用于对太阳能电池等的其它的矩形基板进行处理的情况，不限于矩形，也能够适用于例如半导体晶片等的圆形的基板。
【主权项】
1.一种高频等离子体处理装置，其具有与绝缘物接触的电极，对所述电极施加高频电力，利用由此生成的等离子体对基板进行等离子体处理，所述高频等离子体处理装置的特征在于，包括: 对基板进行等离子体处理的处理室； 收纳与所述绝缘物接触的状态的所述电极的电极收纳部； 对所述电极施加高频电力的高频电源；和 湿度调整单元，其调整所述电极收纳部内的湿度，使得不在所述电极收纳部内产生沿面放电。2.如权利要求1所述的高频等离子体处理装置，其特征在于: 所述湿度调整单元具有对所述电极收纳部供给干燥气体的干燥气体供给机构。3.如权利要求2所述的高频等离子体处理装置，其特征在于，还包括: 测定所述电极收纳部内的湿度的湿度计；和 放电防止部，其在干燥气体从所述干燥气体供给机构供给至所述电极收纳部时，在所述湿度计的测定值超过规定的阈值的情况下，不允许所述高频电源的动作，在所述湿度计的测定值在所述阈值以下的情况下，允许所述高频电源的动作。4.如权利要求2所述的高频等离子体处理装置，其特征在于，还包括: 测定在对所述电极收纳部供给所述干燥气体时的流量的流量传感器；和 放电防止部，其设定有以规定流量使干燥气体从干燥气体供给机构流到所述电极收纳部时的、所述电极收纳部内的湿度成为规定的阈值以下为止的所需时间，在所述流量传感器成为所述规定流量后直至经过所述所需时间为止不允许所述高频电源的动作，在经过所述所需时间后允许所述高频电源的动作。5.如权利要求4所述的高频等离子体处理装置，其特征在于: 所述放电防止部，通过所述流量传感器检测干燥气体的流量异常，在该异常时间超过规定时间的情况下，不允许所述高频电源的动作。6.如权利要求1?5中任一项所述的高频等离子体处理装置，其特征在于: 所述高频等离子体处理装置为感应耦合等离子体处理装置， 所述电极为在所述处理室内形成感应磁场的高频天线， 所述电极收纳部是设置在所述处理室的上方的、用于收纳所述高频天线的天线室。7.一种高频等离子体处理方法，其从高频电源对与绝缘物接触的电极施加高频电力，利用由此生成的等离子体对处理室内的基板进行等离子体处理，所述高频等离子体处理方法的特征在于: 将与所述绝缘物接触的状态的所述电极收纳在电极收纳部， 对所述电极收纳部内的湿度进行调整使得不在所述电极收纳部内产生沿面放电，并且进行等离子体处理。8.如权利要求7所述的高频等离子体处理方法，其特征在于: 所述湿度的调整通过对所述电极收纳部供给干燥气体而进行。9.如权利要求8所述的高频等离子体处理方法，其特征在于: 利用湿度计测定所述电极收纳部内的湿度， 在干燥气体供给到所述电极收纳部时，在所述湿度计的测定值超过规定的阈值的情况下，不允许所述高频电源的动作，在所述湿度计的测定值在所述阈值以下的情况下，允许所述高频电源的动作。10.如权利要求8所述的高频等离子体处理方法，其特征在于: 利用流量传感器测定所述干燥气体供给至所述电极收纳部时的流量， 设定以规定流量使干燥气体流到所述电极收纳部时的、所述电极收纳部内的湿度成为规定的阈值以下为止的所需时间，在所述流量传感器成为所述规定流量后直至经过所述所需时间为止不允许所述高频电源的动作，在经过所述所需时间后允许所述高频电源的动作。11.如权利要求10所述的高频等离子体处理方法，其特征在于: 利用所述流量传感器检测干燥气体的流量异常，在该异常时间超过规定时间的情况下，不允许所述高频电源的动作。12.如权利要求7?11中任一项所述的高频等离子体处理方法，其特征在于: 所述高频等离子体为感应親合等离子体， 所述电极为在所述处理室内形成感应磁场的高频天线， 所述电极收纳部为设置在所述处理室的上方的、用于收纳所述高频天线的天线室。
【专利摘要】本发明提供在与被施加高频电力的电极接触的绝缘物的部分难以产生沿面放电的高频等离子体处理装置以及高频等离子体处理方法。本发明的高频等离子体处理装置，具有与绝缘物(17)接触的电极(13)，对电极(13)施加高频电力，利用由此生成的等离子体对基板(G)进行等离子体处理，该高频等离子体处理装置包括：进行等离子体处理的处理室(4)；收纳与绝缘物(17)接触的状态的电极(13)的电极收纳部(3)；对电极(13)施加高频电力的高频电源(15)；和湿度调整单元(58)，其调整电极收纳部(3)内的湿度，使得不在电极收纳部(3)内产生沿面放电。
【IPC分类】H01L21/3065, H01L21/66
【公开号】CN104882376
【申请号】CN201510090022
【发明人】东条利洋, 佐佐木和男
【申请人】东京毅力科创株式会社
【公开日】2015年9月2日
【申请日】2015年2月27日