Led芯片及其制作方法、显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及发光二极管技术领域，更为具体的说，涉及一种LED芯片及其制作方法、显示装置。
【背景技术】
[0002]LED (Light Emitting D1de，发光二极管)是一种利用载流子复合时释放能量形成发光的半导体器件，LED芯片具有耗电低、色度纯、寿命长、体积小、响应时间快、节能环保等诸多优势。近年来，随着对LED芯片研宄的不断深入，LED芯片的发光效率得到的极大的提高，目前已经被广泛应用于显示等各个领域。现有在制作LED芯片过程中，经常在切割过程中出现裂片的情况，降低了产品良率。
【发明内容】
[0003]有鉴于此，本发明提供了一种LED芯片及其制作方法、显示装置，提高了 LED芯片的强度，进而改善制作过程中切割时裂片的情况，提高了产品的良率；另外，采用本发明提供的LED芯片的显示装置，其分辨率高，显示效果好。
[0004]为实现上述目的，本发明提供的技术方案如下:
[0005]一种LED芯片的制作方法，包括:
[0006]提供一衬底；
[0007]在所述衬底任意一表面形成多个发光微结构，所述发光微结构包括位于所述衬底表面的第一半导体层，位于所述第一半导体层背离所述衬底一侧的有源层和第一电极，位于所述有源层背离所述衬底一侧的第二半导体层，位于所述第二半导体层背离所述衬底一侧的导电反射膜层，位于所述导电反射膜层背离所述衬底一侧的第二电极，所述第一电极与所述第二电极之间相互绝缘；
[0008]固定一基板于所述多个发光微结构的第一电极和第二电极背离所述衬底一侧；
[0009]采用通孔连接方式，在所述基板对应所述第一电极的区域、且背离所述衬底一侧形成第一连接电极，且在所述基板对应所述第二电极的区域、且背离所述衬底一侧形成第二连接电极；
[0010]沿所述发光微结构的边缘对所述衬底和基板进行切割，以得到多个LED芯片。
[0011]优选的，在形成所述多个发光微结构后，且固定所述基板之前，所述制作方法还包括:
[0012]将所述衬底减薄至预设厚度范围；
[0013]在所述衬底背离所述发光微结构一侧形成多个拱形透镜结构，每一拱形透镜结构与一发光微结构相对应。
[0014]优选的，所述拱形透镜结构为采用硅胶材料，通过热压塑封成型工艺形成的。
[0015]优选的，所述拱形透镜结构为半球面透镜结构。
[0016]优选的，所述预设厚度范围为100 μπι?500 μm，包括端点值。
[0017]优选的，所述发光微结构的形成过程为:
[0018]在所述衬底任意一表面形成所述第一半导体层；
[0019]在所述第一半导体层背离所述衬底一侧形成所述有源层；
[0020]在所述有源层背离所述衬底一侧形成所述第二半导体层；
[0021]采用刻蚀工艺将所述第一半导体层背离所述衬底一侧的预设区域裸露；
[0022]在所述第二半导体层背离所述衬底一侧形成所述导电反射膜层；
[0023]在所述第一半导体层的预设区域、且背离所述衬底一侧形成所述第一电极，且在所述导电反射膜层背离所述衬底一侧形成所述第二电极，所述第一电极与所述第二电极之间相互绝缘。
[0024]优选的，在形成所述第二半导体层后，且刻蚀裸露所述第一半导体层的预设区域前，所述制作方法还包括:
[0025]在所述第二半导体层背离所述衬底一侧形成欧姆接触层，其中，所述导电反射膜层位于所述欧姆接触层背离所述衬底一侧。
[0026]优选的，所述导电反射膜层为金属反射膜层；其中，在形成所述导电反射膜层后，且形成所述第一电极和第二电极前，所述制作方法还包括:
[0027]在所述导电反射膜层背离所述衬底一侧形成金属扩散阻挡层，其中，所述第二电极形成于所述金属扩散阻挡层背离所述衬底一侧。
[0028]优选的，在形成所述导电反射膜层后，且形成所述第一电极和第二电极前，所述制作方法还包括:
[0029]形成覆盖所述导电反射膜层、且延伸覆盖至所述第一半导体层的预设区域的钝化层；
[0030]其中，所述钝化层对应所述预设区域的区域设置有第一开口，以用于形成所述第一电极，以及，所述钝化层对应所述导电反射膜层的区域设置有第二开口，以用于形成所述第二电极。
[0031]优选的，采用焊接方式固定所述基板于所述多个发光微结构的第一电极和第二电极背离所述衬底一侧。
[0032]优选的，所述衬底为蓝宝石衬底、碳化硅衬底或氮化镓衬底。
[0033]优选的，所述第一半导体层和第二半导体层均为氮化镓基半导体层，所述有源层为氮化镓基有源层；
[0034]或者，所述第一半导体层和第二半导体层均为砷化镓基半导体层，所述有源层为砷化镓基有源层。
[0035]优选的，所述基板为陶瓷基板或硅基板。
[0036]优选的，所述第一连接电极和第二连接电极均为焊接点、插针或插孔。
[0037]相应的，本发明还提供了一种LED芯片，所述LED芯片采用上述制作方法制作而成。
[0038]相应的，本发明还提供了一种显示装置，包括电路基板；
[0039]以及，设置于所述电路基板上的LED芯片阵列；
[0040]其中，所述LED芯片阵列采用多个上述的LED芯片排列而成。
[0041]优选的，所述电路基板为PCB板或铝基板。
[0042]相较于现有技术，本发明提供的技术方案至少具有以下优点:
[0043]本发明提供的一种LED芯片及其制作方法、显示装置，包括:提供一衬底；在所述衬底任意一表面形成多个发光微结构，所述发光微结构包括位于所述衬底表面的第一半导体层，位于所述第一半导体层背离所述衬底一侧的有源层和第一电极，位于所述有源层背离所述衬底一侧的第二半导体层，位于所述第二半导体层背离所述衬底一侧的导电反射膜层，位于所述导电反射膜层背离所述衬底一侧的第二电极，所述第一电极与所述第二电极之间相互绝缘；固定一基板于所述多个发光微结构的第一电极和第二电极背离所述衬底一侧；采用通孔连接方式，在所述基板对应所述第一电极的区域、且背离所述衬底一侧形成第一连接电极，且在所述基板对应所述第二电极的区域、且背离所述衬底一侧形成第二连接电极；沿所述发光微结构的边缘对所述衬底和基板进行切割，以得到多个LED芯片。
[0044]由上述内容可知，本发明提供的技术方案，在多个发光微结构的第一电极和第二电极背离衬底一侧固定一基板，提高了每个LED芯片的强度，进而改善了切割时裂片的情况，提高了产品的良率；另外，本发明提供的LED芯片的连接电极设置于LED芯片的底面，且LED芯片的四周无电极连线结构，因此，采用本发明提供的LED芯片制作显示装置，LED芯片阵列中相邻的LED芯片之间的间隙可以很小，进而能够提高显示装置的分辨率，提高显示装置的显示效果。
【附图说明】
[0045]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
[0046]图1为本申请实施例提供的一种LED芯片的制作方法流程图；
[0047]图2a至图2e为图1制作方法流程图对应的结构流程图；
[0048]图3为本申请实施例提供的一种发光微结构的制作方法的流程图；
[0049]图4为本申请实施例提供的一种LED芯片的结构示意图。
【具体实施方式】
[0050]下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技