全反射几率，进而增加了 LED芯片的取光效率，提高了 LED芯片的发光效果。
[0090]相应的，本申请实施例还提供了一种LED芯片，LED芯片采用上述实施例提供的制作方法制作而成。
[0091]相应的，本发明还提供了一种显示装置，包括电路基板；
[0092]以及，设置于电路基板上的LED芯片阵列；
[0093]其中，LED芯片阵列采用多个上述实施例提供的LED芯片排列而成。
[0094]需要说明的是，本申请实施例对于LED芯片阵列的排列形状不做具体限制，对此需要根据实际应用的需要进行设计。
[0095]可选的，本申请实施例提供的电路基板可以为PCB(Printed Circuit Board，印刷电路板)板或铝基板。
[0096]本申请实施例提供的一种LED芯片及其制作方法、显示装置，包括:提供一衬底；在所述衬底任意一表面形成多个发光微结构，所述发光微结构包括位于所述衬底表面的第一半导体层，位于所述第一半导体层背离所述衬底一侧的有源层和第一电极，位于所述有源层背离所述衬底一侧的第二半导体层，位于所述第二半导体层背离所述衬底一侧的导电反射膜层，位于所述导电反射膜层背离所述衬底一侧的第二电极，所述第一电极与所述第二电极之间相互绝缘；固定一基板于所述多个发光微结构的第一电极和第二电极背离所述衬底一侧；采用通孔连接方式，在所述基板对应所述第一电极的区域、且背离所述衬底一侧形成第一连接电极，且在所述基板对应所述第二电极的区域、且背离所述衬底一侧形成第二连接电极；沿所述发光微结构的边缘对所述衬底和基板进行切割，以得到多个LED芯片。
[0097]由上述内容可知，本申请实施例提供的技术方案，在多个发光微结构的第一电极和第二电极背离衬底一侧固定一基板，提高了每个LED芯片的强度，进而改善了切割时裂片的情况，提高了产品的良率；另外，本申请实施例提供的LED芯片的连接电极设置于LED芯片的底面，且LED芯片的四周无电极连线结构，因此，采用本申请实施例提供的LED芯片制作显示装置，LED芯片阵列中相邻的LED芯片之间的间隙可以很小，进而能够提高显示装置的分辨率，提高显示装置的显示效果。
[0098]对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
【主权项】
1.一种LED芯片的制作方法，其特征在于，包括: 提供一衬底； 在所述衬底任意一表面形成多个发光微结构，所述发光微结构包括位于所述衬底表面的第一半导体层，位于所述第一半导体层背离所述衬底一侧的有源层和第一电极，位于所述有源层背离所述衬底一侧的第二半导体层，位于所述第二半导体层背离所述衬底一侧的导电反射膜层，位于所述导电反射膜层背离所述衬底一侧的第二电极，所述第一电极与所述第二电极之间相互绝缘； 固定一基板于所述多个发光微结构的第一电极和第二电极背离所述衬底一侧； 采用通孔连接方式，在所述基板对应所述第一电极的区域、且背离所述衬底一侧形成第一连接电极，且在所述基板对应所述第二电极的区域、且背离所述衬底一侧形成第二连接电极； 沿所述发光微结构的边缘对所述衬底和基板进行切割，以得到多个LED芯片。2.根据权利要求1所述的LED芯片的制作方法，其特征在于，在形成所述多个发光微结构后，且固定所述基板之前，所述制作方法还包括: 将所述衬底减薄至预设厚度范围； 在所述衬底背离所述发光微结构一侧形成多个拱形透镜结构，每一拱形透镜结构与一发光微结构相对应。3.根据权利要求2所述的LED芯片的制作方法，其特征在于，所述拱形透镜结构为采用硅胶材料，通过热压塑封成型工艺形成的。4.根据权利要求2所述的LED芯片的制作方法，其特征在于，所述拱形透镜结构为半球面透镜结构。5.根据权利要求2所述的LED芯片的制作方法，其特征在于，所述预设厚度范围为100 μ m?500 μ m，包括端点值。6.根据权利要求1所述的LED芯片的制作方法，其特征在于，所述发光微结构的形成过程为: 在所述衬底任意一表面形成所述第一半导体层； 在所述第一半导体层背离所述衬底一侧形成所述有源层； 在所述有源层背离所述衬底一侧形成所述第二半导体层； 采用刻蚀工艺将所述第一半导体层背离所述衬底一侧的预设区域裸露； 在所述第二半导体层背离所述衬底一侧形成所述导电反射膜层； 在所述第一半导体层的预设区域、且背离所述衬底一侧形成所述第一电极，且在所述导电反射膜层背离所述衬底一侧形成所述第二电极，所述第一电极与所述第二电极之间相互绝缘。7.根据权利要求6所述的LED芯片的制作方法，其特征在于，在形成所述第二半导体层后，且刻蚀裸露所述第一半导体层的预设区域前，所述制作方法还包括: 在所述第二半导体层背离所述衬底一侧形成欧姆接触层，其中，所述导电反射膜层位于所述欧姆接触层背离所述衬底一侧。8.根据权利要求6所述的LED芯片的制作方法，其特征在于，所述导电反射膜层为金属反射膜层；其中，在形成所述导电反射膜层后，且形成所述第一电极和第二电极前，所述制作方法还包括: 在所述导电反射膜层背离所述衬底一侧形成金属扩散阻挡层，其中，所述第二电极形成于所述金属扩散阻挡层背离所述衬底一侧。9.根据权利要求6所述的LED芯片的制作方法，其特征在于，在形成所述导电反射膜层后，且形成所述第一电极和第二电极前，所述制作方法还包括: 形成覆盖所述导电反射膜层、且延伸覆盖至所述第一半导体层的预设区域的钝化层；其中，所述钝化层对应所述预设区域的区域设置有第一开口，以用于形成所述第一电极，以及，所述钝化层对应所述导电反射膜层的区域设置有第二开口，以用于形成所述第二电极。10.根据权利要求1所述的LED芯片的制作方法，其特征在于，采用焊接方式固定所述基板于所述多个发光微结构的第一电极和第二电极背离所述衬底一侧。11.根据权利要求1所述的LED芯片的制作方法，其特征在于，所述衬底为蓝宝石衬底、碳化硅衬底或氮化镓衬底。12.根据权利要求1所述的LED芯片的制作方法，其特征在于，所述第一半导体层和第二半导体层均为氮化镓基半导体层，所述有源层为氮化镓基有源层； 或者，所述第一半导体层和第二半导体层均为砷化镓基半导体层，所述有源层为砷化镓基有源层。13.根据权利要求1所述的LED芯片的制作方法，其特征在于，所述基板为陶瓷基板或娃基板。14.根据权利要求1所述的LED芯片的制作方法，其特征在于，所述第一连接电极和第二连接电极均为焊接点、插针或插孔。15.一种LED芯片，其特征在于，所述LED芯片采用权利要求1?14任意一项所述的制作方法制作而成。16.一种显示装置，其特征在于，包括电路基板； 以及，设置于所述电路基板上的LED芯片阵列； 其中，所述LED芯片阵列采用多个权利要求15所述的LED芯片排列而成。17.根据权利要求16所述的显示装置，其特征在于，所述电路基板为PCB板或铝基板。
【专利摘要】本发明公开了一种LED芯片及其制作方法、显示装置，在多个发光微结构的第一电极和第二电极背离衬底一侧固定一基板，提高了每个LED芯片的强度，进而改善了切割时裂片的情况，提高了产品的良率；另外，本发明提供的LED芯片的连接电极设置于LED芯片的底面，且LED芯片的四周无电极连线结构，因此，采用本发明提供的LED芯片制作显示装置，LED芯片阵列中相邻的LED芯片之间的间隙可以很小，进而能够提高显示装置的分辨率，提高显示装置的显示效果。
【IPC分类】H01L27/15, H01L33/00, H01L33/02
【公开号】CN104900770
【申请号】CN201510351001
【发明人】徐亮, 肖祖峰
【申请人】佛山市国星半导体技术有限公司
【公开日】2015年9月9日
【申请日】2015年6月19日