腔室表面504和腔室500的部件。例如，第二流体入口 562可W成某一角度或设W提 供腔室500内的素流。超音波揽拌之后，可W使用溶剂（例如丙酬）冲洗腔室500,W置换 超音波揽拌过程中使用的水或N-甲基甲酯胺。最后，可W从净化气源560提供净化气体 (例如馬）到腔室，W进一步干燥腔室500内部体积。当腔室500被充分干燥时，可W从腔 室500排放馬。在馬净化过程中或之后，还可W由加热元件550提供热到腔室500,W进一 步帮助干燥腔室500。在某些实施例中，可W在大气压力下进行原位清洁工艺。可W视需要 进行原位清洁工艺，W确保腔室500的最佳性能。
[0089]W上的实施例描述了一种提供超临界流体的超临界流体腔室，可W在供应非超临 界流体到腔室500之后在处理空间505内部形成所述超临界流体。在已经处在超临界相的 超临界流体被输送到腔室500的实施例中，超临界流体输送系统可W进一步包含相变设备 521。相变设备521可W被设置在累522和第一流体入口 512之间的第一流体输送管线524 上。过滤器530可W被设置在第一流体入口 512和相变设备521之间的第一流体输送管线 524上。过滤器530可W是能够在约3000psi或W下的压力下操作的，W在超临界流体进入 腔室500之前过滤所述超临界流体，并去除可能存在超临界流体中的杂质。过滤器530可 W包括具有约3纳米（nm)孔径的过滤介质，并且可W由氧化侣（Al2〇3)材料形成。
[0090] 相变设备521包含处理区533、压缩装置532及加热元件531。在一个实施例中， 累522从流体源555供应C〇2气体到相变设备521的处理区533。C02气体可W由压缩装 置532加压及/或由加热元件531加热到预定的水平，W在处理区533中形成超临界流体。 在一个实施例中，可W将C〇2加热到约40°C并加压到约95己。在另一个实施例中，可W将 C化加热到约100°C并加压到约62化si(43己）。然后可朗尋所产生的超临界C02或C化输 送通过第一流体输送管线524并通过第一流体入口 512到达腔室500。
[0091] 当腔室500中的基板W已经被用超临界C〇2处理过后，腔室中发生减压工艺。在一 个实施例中，在残留在腔室500中的气体被从腔室500排出之前，腔室500的等温减压需要 将腔室500保持在所需的温度，例如约40°C，同时将压力降低到所需的压力，例如约21己。 在一个实例中，减压工艺W约20化si/分钟的速率进行，直到腔室内的压力为约40化si。当 压力为约4(K)psi时，可W使用更大的减压速率来进一步将腔室500减压。受控制的减压工 艺在等温环境中进行，所述等温环境需要来自加热元件550的能量输入，W在腔室的减压 过程中保持所需的温度。腔室500的压力由通过流体出口 513释放超临界流体及/或气体 到达排放装置527或形成在累522内的槽（未图示）而减低。从腔室500移出到排放装置 527A的气体行进通过流体返回管线525而到排放阀528,可W将排放阀528选择到排放装 置527A或通过累返回管线526使气体返回到累522。可W在排放过程中选择性地加热基板 W，W防止基板冷却，并防止水分吸收或沉积。
[0092] 图5B图示依据一个实施例的图5A超临界流体腔室500的示意性侧视图。狭缝阀 口 502可被禪接到轴542,轴542可被禪接到线性致动器541。在一个实施例中，两个轴542 可W被禪接到狭缝阀口 502,第一轴可被禪接到线性致动器541，而第二轴可被禪接到线性 轴承543。线性致动器可W包含可被禪接到流体源（未图示）的马达或气缸，所述流体源例 如液源或气源，W伸出和缩回轴542来定位狭缝阀口 502,进而密封和打开狭缝阀开口 503。 当线性致动器541将轴542缩回并对着腔室主体501的侧壁压缩禪接到狭缝阀口 502的0 形环（未图示）时，狭缝阀口 502可W被关闭。在一个实施例中，狭缝阀口 502使用足够的 力对着腔室主体501的侧壁压缩0形环，W形成气密的密封，进而承受处理过程中超临界流 体腔室500内部产生的压力。
[0093] 图5C图示图5A的超临界流体腔室500的局部剖视图。与腔室500类似，包含一 或多个0形环540的狭缝阀口 502可W沿着基板传送路径打开和关闭狭缝阀503。然而， 在图示的实施例中，狭缝阀口 502可W被设置在处理空间505的外部，而且可W接触腔室主 体501的外表面。当狭缝阀口 502被设置在处理空间505的外部时，处理空间505的容积 可W被减小。处理空间505的减小可W对温度和压力提供更好的控制，并减少将处理空间 505保持在超临界处理所需的条件下需要的能量的量。
[0094] 图5B图示依据一个实施例的图5C超临界流体腔室500的示意性侧视图。狭缝阀 口 502可被禪接到轴542,轴542可被禪接到线性致动器541。在一个实施例中，两个轴542 可W被禪接到狭缝阀口 502,第一轴可被禪接到线性致动器541，而第二轴可被禪接到线性 轴承543。线性致动器可W包含可被禪接到流体源（未图示）的马达或气缸，所述流体源例 如液源或气源，W伸出和缩回轴542来定位狭缝阀口 502,进而密封和打开狭缝阀开口 503。 当线性致动器541将轴542缩回并对着腔室主体501的外部压缩禪接到狭缝阀口 502的0 形环（未图示）时，狭缝阀口 502可W被关闭。在一个实施例中，狭缝阀口 502使用足够的 力对着腔室主体501的外部压缩0形环，W形成气密的密封，进而承受处理过程中超临界流 体腔室500内部产生的压力。如图所示，狭缝阀口 502可W被设置在处理空间505的外部， 该可W进一步减小腔室500进行超临界流体处理所需的处理空间505的容积。另外，设置 在处理空间505外部的狭缝阀口 502可W降低腔室500内产生颗粒的可能性。
[0095] 图7图示依据一个实施例的等离子体腔室的剖面图。更具体来说，图7提供等离 子体产生腔室700。腔室700通常包括包围处理空间706的壁702和底部704。气体分配 板710和基板支撑件组件730可W被设置在处理空间706中。处理空间706可W经由穿过 壁702所形成的狭缝阀开口 708进入，该使得基板740能够被传送进出腔室700。虽然图示 为等离子体腔室，但腔室700也可适用于W电磁能量照射基板，例如W含有一或多种紫外 线波长的光照射基板。
[0096] 基板支撑组件730包括基板接收表面732,用W将基板740支撑在基板接收表面 732上。杆734将支撑组件730禪接到升降系统736,升降系统736在基板传送位置和处理 位置之间升高和降低基板支撑组件730。在处理时遮蔽框架733可W被选择性地放在基板 740的外围上，W防止沉积在基板740的边缘上。升降杆738可W被可移动地设置穿过基 板支撑组件730,并且可设W将基板740与基板容纳表面732隔开，W便利使用机械手叶片 调换基板。基板支撑组件730还可W包括加热及或冷却元件739,用W将基板支撑组件730 保持在所需的温度。
[0097] 气体分配板710可W由悬吊714被禪接到背板712和背板712的周边。气体分配 板710也可W由一或多个中屯、支撑件716被禪接到背板712,W帮助防止及/或控制气体 分配板710的平直度/曲率。在一个实施例中，气体分配板710可W在不同配置中具有不 同的尺寸。分配板710可W包含设置在分配板710的上表面798和下表面750之间的多个 穿孔711。气源720可W被禪接到背板712,W提供气体到气体分配板710和背板712之间 所限定的气室。来自来源720的气体从形成在气体分配板710中的穿孔711流到处理空间 706。
[0098] 真空累709可W被禪接到腔室700,朗尋处理空间706保持在所需的压力。RF电 源722可W被禪接到背板712及/或气体分配板710,W提供RF功率来在气体分配板710 与基板支撑件组件730之间产生电场，使得可W由存在于气体分配板710与基板支撑组件 730之间的气体产生等离子体。可W使用各种的频率（例如13. 56MHz的频率）来在处理 空间706中形成等离子体。在一个实施例中，可W在约75W将化等离子体施加到基板740 持续约10秒钟。另外的等离子体处理可W是能够释放高深宽比沟槽中的轻微或暂时黏附。 认为，化等离子体对于去除可能存在于沟槽中的有机杂质尤其有用。
[0099] 还可W在气源720和背板712之间禪接远程等离子体源724,例如感应禪合远程等 离子体源。可W使用RPS724来在处理空间706中形成等离子体。等离子体行进通过处理 空间706而到达基板740的顶表面718。等离子体通过去除可能存在于器件特征之间的黏 附来处理基板740。在一个实施例中，可W将电磁福射源760(例如紫外线光源）禪接到腔 室700。电磁福射源760可W被禪接到电源（未图示）并且可W被定位在腔室700内部或 腔室700外部的任何方便的位置。在一个配置中，电磁福射源760位于腔室700的外部，使 得电磁福射源760可W将产生的电磁能量传输通过窗（未图示）而到达基板的表面，所述 窗可W被禪接到腔室700的一部分壁702。可W定位电磁福射源760,W照射基板740的顶 表面718。电磁福射源760可适W提供具有介于约50皿和约500皿之间的波长的紫外光到 基板740。
[0100] 图8图示依据一个实施例包含用于清洁基板的方法步骤的工艺流程图。基板首 先可W在膜沉积或蚀刻腔室中进行处理，W在基板上形成膜或特征。方法800开始于操作 810,其中基板可W被放在湿式清洁腔室中。可W由干式机械手将基板提供到湿式清洁腔 室，干式机械手从盒中取出待清洁的基板。在操作820,可W使基板暴露于清洁溶液，W去除 存在于基板上的残余物或液体。在一个实施例中，所述清洁溶液可W包含去离子水、溶剂或 上述的组合。
[0101] 在操作830,可w由湿式机械手将基板传送到溶剂交换腔室。在操作840,先前施 加的清洁溶液可W通过使基板暴露于输送到基板的溶剂而被溶剂置换，基板位于溶剂交换 腔室中。在一个实施例中，用W置换清洁溶液的溶剂可W是可W处在液相或超临界相的化 学品，或是处在液相或超临界相的序列化学品或所述化学品的混合物。用于置换基板上 的残余材料的化学品或混合物的状态和相可W由清洁溶液组分（例如去离子水）、溶剂及 选择的化学品或化学品混合物之间的相对溶解度和混溶性来决定。在一个实例中，溶剂 可W选自于由丙酬、异丙醇、己醇、甲醇、N-甲基-2-化咯晚酬、N-甲基甲酯胺、1，3-二甲 基-2-咪挫咐酬、二甲基己酷胺及二甲亚讽或上述的组合及/或序列所组成的群组。在一 个实施例中，可W提供足W置换残留在基板表面上的清洁溶液的量的有机极性溶剂到基板 的表面。在随后的操作中，可W提供非极性溶剂来置换所述有机极性溶剂。在一个实施例 中，所述有机极性溶剂选自N-甲基-2-化咯晚酬及/或N-甲基甲酯胺，而所述非极性溶剂 选自丙酬及/或IPA。在另一个实施例中，溶剂交换可W通过提供溶剂来填充腔室的填充和 净化工艺来进行，并且在溶剂交换已经在基板上进行所需的时间量之后，从溶剂交换腔室 清除溶剂。
[0102] 在另一个实施例中，如上文所述，用于溶剂交换的适当溶剂包括N-甲基-2-化咯 晚酬、N-甲基甲酯胺、1，3-二甲基-2-咪挫咐酬、二甲基己酷胺和二甲亚讽。可W使用该些 有机极性溶剂来取代水，而且理想的溶剂通常将具有高的介电常数（大于30)和低的蒸发 速率（相对于己酸正了醋小于0. 5)。有机极性溶剂通常也可混溶于水及抑制来自娃-水相 互作用的氧化娃析出。选择性地，在溶剂交换的过程中，有机极性溶剂可W与溶解的化气 体结合，W增强粒子的去除。在较佳的实施例中，有机极性溶剂包含N-甲基-2-化咯晚酬 或N-甲基甲酯胺或上述溶剂的组合。
[0103] 在一个实施例中，假使在置换工艺中使用的化学品或化学混合物是液体，则可W 使用相转变工艺来将化学品或化学混合物转变成超临界流体。在一个实施例中，用W置换 有机极性溶剂的90%或更浓的液体IPA可W被在约5°C至8°C和约50己的液体二氧化碳取 代。上述约5°C至8°C和约50己的液体二氧化碳可W在溶剂交换腔室中被加热到约40°C和 约95己。超临界相的结果是，由于液-气和液-固表面张力