0nm、特别优选为15nm~35nm。关于平均短轴长度，例如可使用透射型电子显微镜 (TEM;日本电子株式会社制造，JEM-2000FX)求出300根金属纳米线的短轴长度，计算出它 们的平均值，作为平均短轴长度。需要说明的是，关于金属纳米线的短轴不是圆形的情况下 的短轴长度，将最长的短轴长度作为短轴长度。
[0106] 金属纳米线的平均长轴长度（有时称为平均长度）同样地优选为lym以上、更 优选为1ym~40ym、进一步优选为3ym~35ym、特别优选为5ym~30ym。关于平均 长轴长度，例如可使用透射型电子显微镜（TEM;日本电子株式会社制造，JEM-2000FX)求出 300根金属纳米线的长轴长度，计算出它们的平均值，作为平均长轴长度。需要说明的是，在 金属纳米线弯曲的情况下，考虑以其为弧线的圆，将由该圆的半径和曲率计算出的值作为 长轴长度。
[0107] 金属纳米线可以利用任何制造方法进行制造，但优选日本特开2012-230881号 公报中记载的在溶解有卤化物与分散添加剂的溶剂中一边进行加热一边进行金属离子 的还原的制造方法。卤化物、分散添加剂和溶剂以及加热条件等的详细内容在日本特开 2012-230881号公报中有记载。此外，除了该制造方法以外，例如也可以利用分别记载于日 本特开2009-215594号公报、日本特开2009-242880号公报、日本特开2009-299162号公 报、日本特开2010-84173号公报、日本特开2010-86714号公报等中的制造方法来制造金属 纳米线。
[0108] 金属纳米管只要由上述金属形成为中空结构即可，对其形状没有特别限定，可以 为单层也可以为多层。从导电性和热传导性优异的方面考虑，优选金属纳米管为单层。
[0109] 从耐久性、透明性、成膜性、导电性等方面出发，金属纳米管的厚度（外径与内径 之差）优选为3nm~80nm、更优选为3nm~30nm。从与上述纳米导电性材料相同的方面考 虑，金属纳米管的平均长轴长度优选为1um~40ym、更优选为3ym~35ym、进一步优选 为5ym~30ym。金属纳米管的平均短轴长度优选与金属纳米线的平均短轴长度相同。
[0110] 金属纳米管可以利用任何制造方法进行制造，例如可利用美国专利申请公开第 2005/0056118号说明书中记载的制造方法等进行制造。
[0111] 金属纳米颗粒只要为上述金属形成的颗粒状或粉末状的金属微粒即可，可以为金 属微粒，可以为在金属微粒的表面被覆保护剂的微粒，进而也可以为将表面被覆的微粒分 散在分散介质中而得到的分散体。作为金属纳米颗粒中使用的金属，优选可以举出上述金 属中的银、铜、金、钯、镍、铑等。此外还可以使用由它们中的至少2种形成的合金、它们中 的至少一种与铁的合金等。作为由2种形成的合金，例如可以举出铂-金合金、铂-钯合 金、金-银合金、银-钯合金、钯-金合金、铂-金合金、铑-钯合金、银-铑合金、铜-钯合 金、镍-钯合金等。另外，作为与铁的合金，例如可以举出铁-铂合金、铁-铂-铜合金、 铁-铂_锡合金、铁-铂-铋合金和铁-铂-铅合金等。这些金属或合金可以单独使用或 2种以上组合使用。
[0112] 从导电性优异的方面考虑，金属纳米颗粒的平均粒径（动态光散射法）优选为lnm~150nm〇
[0113] 金属微粒的保护剂例如可适当地举出日本特开2012-222055号公报所记载的保 护剂，进一步可适当地举出具有碳原子数为10~20的直链状或支链状的烷基链的保护 剂，特别是脂肪酸类或脂肪族胺类、脂肪族硫醇类或者脂肪族醇类等。此处，在碳原子数为 10~20时，金属纳米颗粒的保存稳定性高、且导电性也优异。脂肪酸类脂肪族胺类、脂肪族 硫醇类和脂肪族醇类适宜为日本特开2012-222055号公报所记载的物质。
[0114] 金属纳米颗粒可利用任何制造方法进行制造，作为制造方法，例如可以举出气体 中的蒸镀法、溅射法、金属蒸气合成法、胶体法、醇盐法、共沉法、均匀沉淀法、热分解法、化 学还原法、胺还原法和溶剂蒸发法等。这些制造方法分别具备特有的特征，在以大量生产为 目的的情况下，特别优选使用化学还原法、胺还原法。在实施这些制造方法时，可根据需要 选择使用上述的保护剂，此外还可适当地使用公知的还原剂等。
[0115] 〈低分子共轭化合物〉
[0116] 本发明与上述的纳米导电性材料一同使用低分子共轭化合物。
[0117] 低分子共轭化合物作为分散剂发挥功能，辅助、促进纳米导电性材料在分散介质 中的分散。关于其作用的详细情况尚未确定，但是考虑如下。即，在纳米导电性材料的表面 和低分子共轭化合物的共轭平面产生电子性的相互作用、例如相互作用（也称为 堆积），低分子共轭化合物以电子方式吸附至纳米导电性材料的表面。该低分子共轭 化合物与分散介质的相容性比纳米导电性材料更高，而且由于吸附于纳米导电性材料的表 面，因此低分子共轭化合物与纳米导电性材料的吸附体容易分散于分散材料中，作为结果， 纳米导电性材料的分散性提高。
[0118] 而且，低分子共轭化合物还发挥出下述功能：在纳米导电性材料的分子间构建载 流子通路，从而提尚热电转换性能。
[0119] 以往，为了构建电子在纳米导电性材料的分子间移动的载流子通路，认为对分子 内的电子移动有利、能够少数且以电方式将纳米导电性材料的分子间连结?连接的导电性 的高分子化合物是有利且现实的。但是，本发明中使用的特定的低分子共轭化合物虽然对 以电方式将纳米导电性材料的分子间连结?连接并不有利，但能够在纳米导电性材料的分 子间构建载流子通路。关于其作用的详细情况尚未确定，但是考虑如下。即，对于如上所述 吸附于纳米导电性材料的表面的低分子共轭化合物，其他的低分子共轭化合物通过 堆积等以分子间的轨道重叠的方式进行排列（具体地说，层状排列或鲱鱼骨排列），通过这 种低分子共轭化合物的层积结构，在纳米导电性材料的分子间构建载流子通路。由此，可促 进纳米导电性材料的分子间的电子移动，因而热电转换性能提高。
[0120] 本发明中使用的低分子共轭化合物具有选自由芳香族烃环和芳香族杂环组成的 组中的至少3环稠合而成的稠多环结构。该稠多环结构不特别限定为至少3个环稠合的方 式。以芳香族烃环为例，例如有如多并苯那样以直线状或一列地稠合的方式、例如如六苯并 苯那样以环状稠合的方式、以及例如如芘那样以块状稠合的方式等。该低分子共轭化合物 只要不是具有重复结构的高分子化合物即可，若举出一例，（除后述的取代基T外的）稠多 环结构的分子量小于1000。
[0121] 低分子共轭化合物可以其全部由稠多环结构构成，也可以作为基本骨架（基本环 结构）而在其一部分中具有稠多环结构。本发明中，对低分子共轭化合物来说，由1个稠多 环结构构成的化合物、以及由1个稠多环结构和与该稠多环结构结合的取代基构成的化合 物由于容易以分子间轨道的重合更大的方式排列堆积），因此从促进分子间载流子 移动的方面出发是优选的。需要说明的是，低分子共轭化合物在其一部分中具有稠多环结 构的情况下，其1分子内具有1个或2个以上的稠多环结构，优选具有1个稠多环结构。
[0122] 从纳米导电性材料的分散性、热电转换元件的导电性和热电转换性能的方面考 虑，相对于纳米导电性材料1〇〇质量份，热电转换材料中的低分子共轭化合物的含量优选 为1质量份~500质量份、更优选为20质量份~200质量份。
[0123] 低分子共轭化合物可以单独仅使用一种，也可以合用两种以上。
[0124] 这样的低分子共轭化合物具有选自由芳香族烃环和芳香族杂环组成的组中的至 少3环稠合而成的稠多环结构。
[0125] 此处，作为芳香族烃环，只要是具有芳香性的单环的烃环即可，作为成为其基础的 环，可以举出苯环。
[0126] 作为芳香族杂环，只要是具有芳香性的单环的杂环则没有特别限定，可以适宜举 出5元环的芳香族杂环或6元环的芳香族杂环。作为5元环的芳香族杂环，例如可以举出 噻吩环、呋喃环、啦略环、咪挫环、啦挫环、嚼挫环、异嚼挫环、噻挫环、异噻挫环、三挫环、四 唑环、呋咱环。作为6元环的芳香族杂环，例如可以举出吡啶环、嘧啶环、哒嗪环、吡嗪环、三 嗪环。这些之中，从纳米导电性材料的分散性、热电转换元件的导电性和热电转换性能的方 面考虑，更优选5元环的芳香族杂环，进一步优选噻吩环、呋喃环、吡咯环。
[0127] 稠多环结构为选自由上述芳香族烃环或芳香族杂环中的任意的3个以上的环稠 合而成的结构，从容易按照在分子间轨道的重合变得更大的方式排列堆积）的方面 出发，优选为4个以上的环稠合而成的结构，另外优选为6个以下的环稠合而成的结构。
[0128] 低分子共轭化合物可以是具有构成该化合物的环全部由芳香族烃环构成的稠多 环结构的化合物、即多环芳香族烃化合物（PAH)化合物，也可以是具有至少包含1个上述芳 香族杂环的稠多环结构的化合物、即多环芳香族杂环化合物（也称为多环芳香族杂环化合 物）。该多环芳香族杂环化合物所具有的稠多环结构是从上述组中按照包含至少1个芳香 族杂环的方式所选择的至少3环稠合而成的结构。
[0129] 在低分子共轭化合物为多环芳香族烃化合物的情况下，优选不具有下述结构，即， 在构成该稠多环结构的各个芳香族烃环上稠合4个以上的其他芳香族烃环的结构。具体地 说，多环芳香族烃化合物优选具有与1环、2环或3环稠合的、至少3个芳香族烃环稠合而成 的稠多环结构，即，优选构成稠多环结构的芳香族烃环均与1环~3环中的任一者稠合，更 具体地说，优选不具有二萘嵌苯结构。
[0130] 在低分子共轭化合物为多环芳香族杂环化合物的情况下，不存在如多环芳香族烃 化合物那样的、与环的稠合方式有关的上述限制，构成稠多环结构的所有环均可以任意的 稠合方式进行稠合。另外，构成多环芳香族杂环化合物的环为芳香族杂环、以及所希望的芳 香族烃环，多环芳香族杂环化合物中包含的芳香族杂环的个数至少为1个即可，也可以是 全部的环为芳香族杂环。此时，对多环芳香族杂环化合物中包含的芳香族杂环中的5元环 的芳香族杂环的个数没有特别限定，例如可以为0个，也可以为1个，或者也可以为2个以 上，进而可以为全部。
[0131] 从纳米导电性材料的分散性、热电转换元件的导电性和热电转换性能的方面出 发，低分子共轭化合物优选为多环芳香族杂环化合物。
[0132] 低分子共轭化合物无论为多环芳香族烃化合物和多环芳香族杂环化合物中的任 一者，均优选具有下述式（1A)~（1D)中任一个式子所表示的稠多环结构。
[0133]
[0134] 式（1A)~（1D)分别为3个、4个、5个或6个环以一列地方式稠合而成的稠多环 结构。上述式中，为了便于说明，将稠多环结构的构成环分别称为"A环"~"F环"，这些环 可以相同，也可以不同。
[0135] 式（1A)~（1D)所表示的稠多环结构分别由与1个环或2个环稠合的"A环"~ "F环"构成。这样，若低分子共轭化合物具有3~6个环以一列的方式稠合而成的稠多环 结构，则认为容易排列，纳米导电性材料的分散性、热电转换元件的导电性和热电转换性能 均可进一步得到改善。
[0136] 式（1A)~（1D)所表示的稠多环结构优选C环、D环、E环和F环中的至少1个、 更优选所有环以下述式（1-1)和（1-2)所表示的稠合方式与相邻的环稠合。若C环、D环、 E环和F环以这种稠合方式稠合，则认为式（1A)~（1D)所表示的稠多环结构更容易排列， 能够以更高的水准兼顾纳米导电性材料的分散性以及热电转换元件的导电性和热电转换 性能。
[0137]
[0138] 式中，X表示碳原于或杂原于，*1和*2分别表示与相问的环裯合的成环碳原子。
[0139] 表示X的杂原子只要是能够向式（1-2)所表示的5元环的杂环赋予芳香性的原子 就没有特别限定，优选可以举出硫原子、氧原子、氮原子。
[0140] 从对于分散介质的亲和性升高、能够进一步提高纳米导电性材料的分散性的方面 出发，低分子共轭化合物优选具有取代基。即，优选具有取代基的多环芳香族杂环化合物、 以及在多环芳香族烃中导入了取代基的化合物。特别是，在低分子共轭化合物具有上述的 式（1A)~（1D)所表示的稠多环结构的情况下，这些稠多环结构的任一个环上可以具有取 代基，从对于分散介质的亲和性更高的方面出发，优选在末端的稠环、即A环和B环中的至 少一个环上具有取代基，进一步优选在A环和B环上具有取代基。需要说明的是，对取代基 的个数没有特别限定。
[0141] 作为取代基，没有特别限定，例如可以举出取代基T。
[0142] 作为取代基T，可以举出下述的取代基。
[0143] 可以举出烷基（优选碳原子数为1~20,例如甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、 辛基、癸基等）、环烷基（优选碳原子数为3~20,例如，环丙基、环戊基、环己基等）、芳基 (优选碳原子数为6~26,例如，苯基、1-萘基等）、杂环基（优选碳原子数为2~20,优选 具有至少1个氧原子、硫原子（-S-、-so-、-S02_)、氮原子、娃原子和硒原子等的5或6元环 的杂环基，例如，呋喃环基、噻吩环基、吡啶环基、咪唑环基、吲哚环基、吡咯烷环基、哌啶环 基等）、烷氧基（优选碳原子数为1~20,例如，甲氧基、乙氧基、丁氧基、辛氧基、癸氧基、苄 氧基等）、单烷基氣基或^烷基氣基（优选碳原子数为1~20,甲基氣基、乙基氣基、己基氣 基、N，N-二丙基氨基、甲基己基氨基等）、烷氧羰基（优选碳原子数为2~20,例如，辛氧基 羰基、2-乙基己氧基羰基等）、硫醚基、聚乙烯氧基（H0(CH2CH20)n-基）（n表示2以上的整 数）。
[0144] 此处，作为硫醚基，只要是通过硫原子与稠多环结构结合的有机基团即可，例如， 可以举出烧硫基（优选碳原子数为1~20,例如，甲硫基、乙硫基、异丙硫基、节硫基等）、环 烷硫基（优选碳原子数为3~20,例如，环丙硫基、环戊硫基、环己硫基、4-甲基环己硫基 等）、芳硫基（优选碳原子数为6~26，例如，苯硫基、1-萘硫基、3-甲基苯硫基、4-甲氧基 苯硫基等)〇
[0145] 另外，取代基T也可以是将两种以上的上述基团组合而成的复合取代基。例如，可 以举出被1个或2个以上的烷基、烷氧基或烷氧羰基取代的芳基等。
[0146] 取代基T优选烷基、芳基、杂环基、烷氧基、^烷基氣基、烧氧幾基、硫酿基、聚乙條 氧基和复合取代基，更优选烷基、芳基、杂环基、烷氧基、^烷基氣基、烧氧幾基和复合取代 基。
[0147] 取代基T是取代稠多环结构的氢原子的基团，不是连结低分子共轭化合物所具有 的2个以上的稠多环结构彼此的基团。这种连结2个以上的稠多环结构彼此的基团可以举 出至少为2价的取代基T，例如优选不是包含P= 0的基团、包含S= 0的基团。
[0148] 本发明中使用的低分子共轭化合物优选至少稠多环结构具有对称性，更优选包括 取代基T的取代位置和种类在内具有对称性。这样，若低分子共轭化合物具有对称性，则容 易排列，在纳米导电性材料的表面的电子的相互作用优异。此处，"对称性"是指，低分子共 轭化合物相对于某一个环或稠合部（点或线）具有为点对称、线对称、旋转对称等对称的化 学结构。例如，是指被作为稠多环结构的中心的稠合部或环所分割的多个部分结构具有相 同的化学结构。稠合部是指，进行缩合的2个环的缩合（连结）部或2个以上的环进行稠 合的碳原子或杂原子，具体地说，例如是指非那烯结构的中心碳原子、上述的式（1B)和式 (1D)中C环和D环进行稠合的碳-碳双键部分等。另外，作为稠多环结构的中心的环具体 是指例如式（1A)和式（1C)中的C环等。
[0149] 下面，示出本发明的金属络合物色素的具体例，但本发明并不限于这些。
[0150]
[0151]
[0154] 这些低分子共轭化合物也可以使用市售品，另外，也可以如后述的实施例那样适 当合成。
[0155] 〈高分子化合物〉
[0156] 除了纳米导电性材料和低分子共轭化合物外，本发明的热电转换材料根据希望还 含有高分子化合物。若本发明的热电转换材料含有高分子化合物，则本发明的热电转换材 料中的纳米导电性材料的分散性和热电转换元件的热电转换性能均可进一步得到改善。作 为这样的高分子化合物，没有特别限定，例如可以举出共轭高分子和非共轭高分子。
[0157] 因此，本发明的热电转换材料优选含有高分子化合物，更优选含有选自由共轭高 分子和非共轭高分子组成的组中的至少一种高分子化合物。在含有多个高分子化合物的情 况下，可以含有多个相同种类的高分子化合物，另外也可以含有多个不同种类的高分子化 合物，优选含有至少一种共轭高分子和至少一种非共轭高分子、即共轭高分子与非共轭高 分子的混合物。若含有这样的混合物，则除了可改善上述分散性和热电转换性能外，还可得 到易于防止由热电转换材料构成的热电转换膜从基板剥离及裂纹产生的效果。
[0158] 本发明中，高分子化合物为共聚物时，可以为嵌段共聚物、无规共聚物、交替共聚 物，或者也可以为接枝共聚物等。
[0159] 对热电转换材料中的高分子化合物的含量没有特别限定，从热电转换元件的导电 性和热电转换性能的方面考虑，在热电转换材料的总固体成分中、即热电转换层中，优选为 10质量％~80质量％、更优选为20质量％~70质量％、进一步优选为30质量％~60质 量％。
[0160] 对热电转换材料中的共轭高分子的含量没有特别限定，从热电转换元件的导电性 和热电转换性能的方面考虑，在满足上述高分子化合物的含量的范围内，在热电转换材料 的总固体成分中，优选为15质量％~70质量％、更优选为25质量％~60质量％、进一步 优选为30质量％~50质量％。
[0161] 同样地，对热电转换材料中的非共轭高分子的含量没有特别限定，从热电转换元 件的导电性和热电转换性能的方面考虑，在满足上述高分子化合物的含量的范围内，在热 电转换材料的总固体成分中，优选为20质量％~70质量％、更优选为30质量％~65质 量％、进一步优选为35质量％~60质量％。
[0162] 1?共轭高分子
[0163] 共轭高分子只要是具有主链通过31电子或孤对电子的孤电子对发生共轭的结构 的化合物就没有特别限定。作为这样的共轭结构，例如可以举出在主链上的碳-碳键中单 键和双键交替连接的结构。该共轭高分子未必需要为高分子量化合物，也可以为低聚物化 合物。
[0164] 作为这样的共轭高分子，可以举出：将噻吩系化合物、吡咯系化合物、苯胺系化合 物、乙炔系化合物、对亚苯基系化合物、对亚苯基亚乙烯基系化合物、对亚苯基亚乙炔基系 化合物、对亚芴基亚乙烯基系化合物、芴系化合物、芳香族多元胺系化合物（也称为芳基胺 系化合物）、多并苯系化合物、聚菲系化合物、金属酞菁系化合物、对亚二甲苯基系化合物、 亚乙烯基硫化物系化合物、间亚苯基系化合物、萘亚乙烯基系化合物、对亚苯基氧化物系化 合物、亚苯基硫化物系化合物、呋喃系化合物、硒吩系化合物、偶氮系化合物、金属络合物系 化合物、和在这些化合物中导入了取代基的衍生物等作为单体，并将该单体聚合或共聚而 成的具有该单体的重复结构的共轭高分子。
[0165] 这些之中，从纳米导电性材料的分散性和热电转换性能的方面考虑，优选将选自 由噻吩系化合物、吡咯系化合物、苯胺系化合物、乙炔系化合物、对亚苯基系化合物、对亚苯 基亚乙烯基系化合物、对亚苯基亚乙炔基系化合物、芴系化合物、芳基胺系化合物和在这些 化合物中导入了取代基的化合物（有时也称为衍生物）组成的组中的至少一种化合物聚合 或共聚而成的共轭高分子该共轭高分子具有上述单体的重复单元。
[0166] 作为导入上述化合物中的取代基，没有特别限制，考虑到与其他成分的相容性、能 够使用的分散介质的种类等，优选适宜选择导入能够提高共轭高分子在分散介质中的分散 性的取代基。
[0167] 作为取代基的一例，在使用有机溶剂作为分散介质的情况下，除了直链、支链或环 状的烷基、烷氧基、硫代烷基外，还优选可以使用烷氧基亚烷基氧基、烷氧基亚烷基氧基烧 基、冠醚基、芳基等。这些基团可以进一步具有取代基。另外，对取代基的碳原子数没有特 别限制，优选为1~12、更优选为4~12、特别优选碳原子数为6~12的长链的烷基、烷氧 基、硫代烷基、烷氧基亚烷基氧基、烷氧基亚烷基氧基烷基。
[0168] 另一方面，在使用水系介质作为分散介质的情况下，优选在各单体的末端或上述 取代基进一步导入羧酸基、磺酸基、羟基、磷酸基等亲水性基团。除此以外，可以导入二烷基 氨基、单烷基氨基、氨基、羧基、酯基、酰胺基、氨基甲酸酯基、硝基、氰基、异氰酸酯基、异氰 基、卤原子、全氟烷基、全氟烷氧基等作为取代基，是优选的。
[0169] 对能够导入的取代基的个数没有特别限制，考虑到共轭高分子的分散性及相容 性、导电性等，可以适宜导入1个或2个以上的取代基。
[0170] 作为将噻吩系化合物及其衍生物聚合或共聚而成的噻吩系共轭高分子，只要具有 噻吩系化合物或其衍生物作为重复结构即可，例如可以举出包含噻吩作为重复结构的聚噻 吩、包含在噻吩环中导入有取代基的噻吩系化合物的衍生物作为重复结构的共轭高分子、 和包含具有含噻吩环的稠多环结构的噻吩系化合物作为重复结构的共轭高分子。
[0171] 作为包含在噻吩环中导入有取代基的噻吩系化合物的衍生物作为重复结构的共 轭高分子，可以举出聚-3-甲基噻吩、聚-3-丁基噻吩、聚-3-己基噻吩、聚-3-环己基噻吩、 聚 _3_ (2' -乙基己基）噻吩、聚_3_辛基噻吩、聚_3_十二烷基噻吩、聚_3_ (2' -甲氧基乙 氧基）甲基噻吩、聚-3-(甲氧基乙氧基乙氧基）甲基噻吩等聚（烷基取代噻吩）系共轭 高分子；聚-3-甲氧基噻吩、聚-3-乙氧基噻吩、聚-3-己氧基噻吩、聚-3-环己氧基噻吩、 聚-3-(2'_乙基己氧基）噻吩、聚-3-十二烷基氧基噻吩、聚-3-甲氧基（二乙烯氧基）噻 吩、聚-3-甲氧基（三乙烯氧基）噻吩、聚-(3, 4-乙撑二氧噻吩）等聚（烷氧基取代噻吩） 系共轭高分子；聚-3-甲氧基-4-甲基噻吩、聚-3-己氧基-4-甲基噻吩、聚-3-十二烷基 氧基-4-甲基噻吩等聚（3-烷氧基取代-4-烷基取代噻吩）系共轭高分子；聚-3-硫代己 基噻吩、聚-3-硫代辛基噻吩、聚-3-硫代十二烷基噻吩等聚（3-硫代烷基噻吩）系共轭高 分子。
[0172] 其中，优选聚（3-烷基噻吩）系共轭高分子、聚（3-烷氧基噻吩）系共轭高分子。 关于在3位具有取代基的聚噻吩系共轭高分子，通过在噻吩环的2位、5位的键合方向而产 生各向异性。在3-取代噻吩的聚合中，生成混合物，其包括噻吩环在2位彼此键合的物质 (HH结合体：头并头）、噻吩环在2位与5位键合的物质（HT结合体：头对尾）、噻吩环在5 位彼此键合的物质（TT键接体：尾并尾）。从提高聚合物主链的平面性、容易形成聚合物间 的31-31堆积结构、使电荷容易移动的方面出发，噻吩环在2位与5位键合的物质（HT结合 体）的比例越多越好。这些键合方式的比例可通过 1H-NMR进行测定。噻吩环的2位与5位 键合的HT结合体在聚合物中的比例优选为50质量％以上、进一步优选为70质