板中的像素电极4或者公共电极同层设置，可以使制备过程简化，并且可以避免对薄膜晶体管2中的有源层21、栅极22、源极231和漏极232等导电结构在工作过程中的导电性能产生影响，从而可以避免对薄膜晶体管2的性能产生影响。
[0044]当然，紫外光遮挡层3也可以形成于薄膜晶体管2的有源层21与源漏电极23之间；当紫外光遮挡层3形成于薄膜晶体管2的有源层21与源漏电极23之间时，紫外光遮挡层3的材料可以优选为不导电材料，以避免对薄膜晶体管2的性能产生影响。
[0045]本发明还提供一种显示面板，包括上述任一实施例中的阵列基板。该显示面板中的阵列基板不会由于受到紫外光的照射而产生不良，性能稳定可靠。
[0046]本发明还提供一种显示装置，包括上述实施例中的显示面板。该显示装置中的阵列基板的性能稳定可靠，可以避免产生串扰等不良。
[0047]如图1、图2和图3所示，一种如上述任一实施例中的薄膜晶体管的制备方法，包括:
[0048]步骤SlOl，在衬底基板I上形成有源层21 ；
[0049]步骤S102，在有源层21背离衬底基板I的一侧形成紫外光遮挡层3 ;其中，有源层21在衬底基板I上的投影位于紫外光遮挡层3在衬底基板I上的投影内。
[0050]上述制备方法形成的薄膜晶体管2中，有源层21被紫外光遮挡层3完全覆盖，紫外光遮挡层3可以遮挡紫外光，因此在光配向过程中，紫外光遮挡层3可以有效减小紫外光对有源层21的影响，从而可以保证薄膜晶体管2的性能不会受到紫外光照射的影响。
[0051]如图1和图2所示，在上述实施例的基础上，一种具体的实施例中，在衬底基板I上形成有源层21之后，以及在有源层21背离衬底基板I的一侧形成紫外光遮挡层3之前，还可以包括:在有源层21背离衬底基板I的一侧形成源漏电极。
[0052]在上述实施例的基础上，一种优选的实施例中，紫外光遮挡层3的材料可以为紫外光吸收材料。紫外光吸收材料通过对紫外光的吸收作用起到遮挡紫外光的作用。
[0053]更加优选地，上述紫外光吸收材料可以为氧化铟锡。
[0054]当然，紫外光遮挡层3的材料并不限于上述实施例中的紫外光吸收材料，也可以为紫外光反射材料，例如金属材料。
[0055]一种上述任一实施例中的阵列基板的制备方法，包括如上述任一实施例中所述的薄膜晶体管的制备方法过程。
[0056]一种具体的实施例中，如图1和图2所示，当所述阵列基板还包括位于所述薄膜晶体管2的源漏电极23背离所述衬底基板I 一侧的像素电极4、且所述紫外光遮挡层3与所述像素电极4同层设置时，步骤S102，在有源层21背离衬底基板I的一侧形成紫外光遮挡层3，具体可以包括:
[0057]在所述薄膜晶体管2的源漏电极23背离所述衬底基板I的一侧形成钝化层25，在钝化层25上形成像素电极层，通过一次构图工艺形成所述像素电极4的图形和所述紫外光遮挡层3的图形。
[0058]另一种具体的实施例中，当所述阵列基板还包括位于所述薄膜晶体管2的源漏电极23背离所述衬底基板I 一侧的公共电极、且所述紫外光遮挡层3与所述公共电极同层设置时，步骤S102，在有源层21背离衬底基板I的一侧形成紫外光遮挡层3，具体可以包括:
[0059]在所述薄膜晶体管2的源漏电极23背离所述衬底基板I的一侧形成像素电极4，在像素电极4背离衬底基板I的一侧形成绝缘层，在绝缘层上形成公共电极层，通过一次构图工艺形成所述公共电极的图形和所述紫外光遮挡层3的图形。
[0060]显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
【主权项】
1.一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括位于衬底基板上的有源层，其特征在于，还包括位于所述有源层背离所述衬底基板一侧的紫外光遮挡层，且所述有源层在所述衬底基板上的投影位于所述紫外光遮挡层在所述衬底基板上的投影内。2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括位于所述有源层背离所述衬底基板一侧的源漏电极，所述紫外光遮挡层位于所述源漏电极背离所述衬底基板的一侧。3.一种阵列基板，包括衬底基板，其特征在于，还包括如权利要求1或2所述的薄膜晶体管。4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述紫外光遮挡层的材料为紫外光吸收材料。5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述紫外光吸收材料为氧化铟锡。6.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括位于所述薄膜晶体管的源漏电极背离所述衬底基板一侧的像素电极，且当所述紫外光遮挡层位于所述源漏电极背离所述衬底基板的一侧时，所述紫外光遮挡层与所述像素电极同层设置；或者， 所述阵列基板还包括位于所述薄膜晶体管的源漏电极背离所述衬底基板一侧的公共电极，且当所述紫外光遮挡层位于所述源漏电极背离所述衬底基板的一侧时，所述紫外光遮挡层与所述公共电极同层设置。7.—种显示面板，其特征在于，包括如权利要求3-6任一项所述的阵列基板。8.—种显示装置，其特征在于，包括如权利要求7所述的显示面板。9.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括: 在衬底基板上形成有源层； 在有源层背离衬底基板的一侧形成紫外光遮挡层；其中，所述有源层在所述衬底基板上的投影位于所述紫外光遮挡层在所述衬底基板上的投影内。10.如权利要求9所述的制备方法，其特征在于，在衬底基板上形成有源层之后，以及在有源层背离衬底基板的一侧形成紫外光遮挡层之前，还包括: 在所述有源层背离所述衬底基板的一侧形成源漏电极。11.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括如权利要求9或10所述的薄膜晶体管的制备方法。12.如权利要求11所述的制备方法，其特征在于，所述紫外光遮挡层的材料为紫外光吸收材料。13.如权利要求12所述的制备方法，其特征在于，所述紫外光遮挡层的材料为氧化铟锡。14.如权利要求13所述的制备方法，其特征在于，当所述阵列基板还包括位于所述薄膜晶体管的源漏电极背离所述衬底基板一侧的像素电极、且所述紫外光遮挡层与所述像素电极同层设置时，所述在有源层背离衬底基板的一侧形成紫外光遮挡层，具体包括: 在所述薄膜晶体管的源漏电极背离所述衬底基板的一侧形成像素电极层，通过一次构图工艺形成所述像素电极的图形和所述紫外光遮挡层的图形。15.如权利要求13所述的制备方法，其特征在于，当所述阵列基板还包括位于所述薄膜晶体管的源漏电极背离所述衬底基板一侧的公共电极、且所述紫外光遮挡层与所述公共电极同层设置时，所述在有源层背离衬底基板的一侧形成紫外光遮挡层，具体包括: 在所述薄膜晶体管的源漏电极背离所述衬底基板的一侧形成公共电极层，通过一次构图工艺形成所述公共电极的图形和所述紫外光遮挡层的图形。
【专利摘要】本发明涉及显示技术领域，公开一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置，其中，上述薄膜晶体管包括位于衬底基板上的有源层，还包括位于所述有源层背离所述衬底基板一侧的紫外光遮挡层，且所述有源层在所述衬底基板上的投影位于所述紫外光遮挡层在所述衬底基板上的投影内。上述薄膜晶体管中，有源层被紫外光遮挡层完全覆盖，紫外光遮挡层对紫外光有遮挡作用，因此在光配向过程中，紫外光遮挡层可以有效减小紫外光对薄膜晶体管有源层的影响，从而可以保证薄膜晶体管的性能不会受到紫外光照射的影响。
【IPC分类】H01L21/336, H01L27/12, H01L29/786, G02F1/1362, H01L21/77, G02F1/1368
【公开号】CN104952881
【申请号】CN201510227721
【发明人】宋萍, 李红敏, 薛伟, 董职福, 古宏刚, 李小和
【申请人】合肥京东方光电科技有限公司, 京东方科技集团股份有限公司
【公开日】2015年9月30日
【申请日】2015年5月6日