显示面板的像素结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明是有关于一种像素结构，且特别是有关于一种显示面板的像素结构。
【背景技术】
[0002]目前是一个3C的时代，也就是电脑(Computer)、通讯(Communicat1n)、和消费性电子产品(Consumer electronics)的时代。在这样的生活当中，市面上有许多琳玻满目的资讯设备，例如，手机、PDA、GPS、数字相机和显示器等。然而，大部分的资讯设备都是以平面显示器作为主要的沟通介面。因此，在资讯设备多样化的情况下，使得平面显示器种类的选择性也是相当多样化的，例如，液晶显示器、电浆显示器和有机发光二极体显示面板等。
[0003]有机发光二极体显示面板除了具有高亮度、省电、高对比度、快速反应时间以及低驱动电压等优点外，也符合资讯设备轻薄短小的走向。因此，近年来有机发光二极体显示面板的产品不断地推陈出新。依照有机发光二极体的驱动方式，大致上可分为被动有机发光二极体(PMOLED)显示面板与主动有机发光二极体(以下简称AM0LED)显示面板。其中，AMOLED显示面板可用于发展大尺寸的显示面板，所以备受瞩目。
[0004]然而，AMOLED显示面板含有由有机材料所形成的膜层(如:像素定义层)，其中由于有机材料具吸水特性，在高温、高电流的情形下，水气将会由像素定义层扩散至位于像素定义层周遭的内部元件(如:有机发光二极体，0LED)，使有机发光二极体失效或导致像素边缘区域产生暗区或暗点，进而使AMOLED显示面板加速劣化，降低面板的使用寿命缩短。
【发明内容】
[0005]本发明是有关于一种显示面板的像素结构，其可以避免水气经由像素定义层扩散至显示面板的内部元件而导致显示面板无法正常显示的问题。
[0006]一种显示面板的像素结构，包括主动元件、第一电极、像素定义层、披覆层、发光层以及第二电极。主动元件位于基板上。第一电极位于主动元件上方并与主动元件电性连接。像素定义层位于第一电极上，其中像素定义层具有开口以暴露出第一电极。披覆层包覆像素定义层。发光层位于开口内并覆盖被暴露出的第一电极，其中发光层与像素定义层被披覆层分离开来。第二电极位于发光层上。
[0007]基于上述，由于像素定义层被披覆层所包覆，因此不仅使像素定义层吸附水气的机会减少，更可阻挡像素定义层释放水气至显示面板的内部元件中。因此，本发明显示面板的像素结构可阻挡像素定义层中的水气向外扩散至显示面板的内部元件，以避免显示面板的内部元件因受潮失效以及/或者在像素边缘区域产生暗区或暗点，进而确保显示面板显示正常以及延长显示面板的使用寿命。
[0008]以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。
【附图说明】
[0009]图1A是本发明的一实施例的显示面板的像素结构的剖面图。
[0010]图1B是本发明图1A的实施例的局部示意图。
[0011]图2A是本发明的一实施例的显示面板的像素结构的剖面图。
[0012]图2B是本发明图2A的实施例的局部示意图。
[0013]其中，附图标记
[0014]110:基板
[0015]120:半导体层
[0016]120S:源极区
[0017]120C:通道区
[0018]120D:汲极区
[0019]125:半导体图案层
[0020]130:闸绝缘层
[0021]140:共用线
[0022]150:保护层
[0023]160:储存电极图案层
[0024]170:平坦层
[0025]180:第一电极
[0026]190:像素定义层
[0027]200:披覆层
[0028]210:发光层
[0029]220:第二电极
[0030]B:开口的底部
[0031]C:储存电容器
[0032]D:汲极
[0033]D1、D2:披覆层的厚度
[0034]G:闸极
[0035]OLED:有机发光二极体
[0036]S:源极
[0037]T:主动元件
[0038]V1:第一开口
[0039]VI’:第一次开口
[0040]V2:第二开口
[0041]V2’:第二次开口
[0042]V3:第三开口
[0043]V4:第四开口
[0044]Ws:开口的侧壁
【具体实施方式】
[0045]下面结合附图和具体实施例对本发明技术方案进行详细的描述，以更进一步了解本发明的目的、方案及功效，但并非作为本发明所附权利要求保护范围的限制。
[0046]本发明的像素结构例如是可应用于有机发光二极体显示面板之中，因此，为了详细地说明本发明的像素结构的设计，以下的说明是以单一像素结构为例以文字，并配合所附图式，来作说明。此领域技术人员应可以了解有机发光二极体显示面板的像素阵列是由多个相同或相似的像素结构所组成。因此，此领域技术人员可以根据以下针对单一像素结构的说明，而了解有机发光二极体显示面板中的像素阵列的结构或布局。在图1A与图2A中的主动元件是以与有机发光二极体电性连接的主动元件为例来说明；虽然图式中没有绘示出其他的主动元件，但实际上，其他主动元件的结构与有机发光二极体电性连接的主动元件的结构相同或相似。
[0047]图1A是本发明的一实施例的显示面板的像素结构的剖面图。为了清楚地说明本发明的实施例，图1A仅绘示出像素结构的主要构件:与有机发光二极体OLED电性连接的主动元件T、有机发光二极体OLED以及储存电容器C。也就是说，图1A省略其它构件未绘示，其中这些省略未绘示的构件可以具有所属技术领域中具有通常知识者所周知的结构，故在此不再赘述。
[0048]请参照图1A，像素结构位于基板110上，基板110的材质例如是玻璃、石英、有机聚合物或是金属等等。
[0049]像素结构包括主动元件T、半导体图案层125、共用线140、储存电极图案层160、第一电极180、像素定义层190、披覆层200、发光层210以及第二电极220。像素结构更包括闸绝缘层130、保护层150以及平坦层170。其中，半导体图案层125、共用线140以及储存电极图案层160构成储存电容器C。第一电极180、发光层210以及第二电极220构成有机发光二极体OLED。
[0050]具体来说，主动元件T位于基板110上，且包括半导体层120、闸极G、源极S以及汲极D。半导体层120以及半导体图案层125位于基板110之上，半导体层120具有源极区120S、汲极区120D以及通道区120C，且通道区120C位于源极区120S以及汲极区120D之间。其中，半导体层120以及半导体图案层125彼此不相连。半导体层120以及半导体图案层125的材质例如是非晶硅、多晶硅、微晶硅、单晶硅、有机半导体材料、氧化物半导体材料(例如:铟锌氧化物、铟锗锌氧化物、或是其它合适的材料、或上述的组合)、或其它合适的材料、或含有掺杂物(dopant)于上述材料中、或上述的组合。
[0051]闸绝缘图案130位于半导体层120以及半导体图案层125上，闸绝缘图案130具有暴露出源极区120S的第一次开口 VI’以及暴露出汲极区120D的第二次开口 V2’。闸绝缘图案130的材料包含氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、其它合适的材料、或其它合适的材料、或上述的组合。
[0052]闸极G以及共用线140分别位于半导体层120的通道区120C以及半导体图案层125之上，闸极G以及共用线140彼此不相连。其中，闸绝缘图案130位于半导体层120以及闸极G之间，且位于半导体图案层125以及共用线140之间。闸极G以及共用线140的材料包含金属、金属氧化物、有机导电材料或上述的组合。
[0053]保护层150位于闸极G以及共用线140之上。保护层150具有第一开口 Vl以及第二开口 V2，其中第一开口 Vl与第一次开口 VI’相连通以暴露出源极区120S ;第二开口V2与第二次开口 V2’相连通以暴露出汲极区120D。保护层150的材料包含无机材料(例如:氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、其它合适的材料、或上述至少二种材料的堆叠层)、有机材料(例如:聚酯类(PET)、聚烯类、聚丙酰类、聚碳酸酯类、聚环氧烷类、聚苯烯类、聚醚类、聚酮类、聚醇类、聚醛类、或其它合适的材料、或上述的组合)、或其它合适的材料、或上述的组入口 ο
[0054]源极S以及汲极D位于半导体层120之上，且储存电极图案层160位于半导体图案层125之上。其中，源极S透过第一开口 Vl以及第一次开口 VI’贯穿保护层15