单个导电天线的线330或基本上由单个导电天线的线330构成。在不同的实施例中，线330可以环绕该矩形或方形的周长多于一次，例如，两次或更多。线330的部件的对应的多样性也可以被认为是天线轨迹。在不同的实施例中，导电线330的多样性可以相互临近。
[0093]天线330可以具有内径，即最内的部件330i (即线330的被布置为临近天线载体104相对边缘的最内的部件330i)之间的最小距离，范围为约2mm到约5cm，例如，约3cm到约4.5cm，或例如约0.8cm到约3.5cm。
[0094]在不同的实施例中，天线330可以具有范围为约0.2mm到约3mm的宽度，例如约0.5mm到约3mm，例如约0.75mm到约1.5mm，例如约1mm。
[0095]在不同的实施例中，天线330可以具有范围为约I μπι到约100 μπι的厚度，例如约5 μ m到约50 μ m，例如约10 μ m到约20 μ m，例如约15 μ m。
[0096]在不同的实施例中，天线330可以使用铝或铜蚀刻技术来制作，从而天线330可以包括铝或铜。在不同的实施例中，天线330可以基本上由导电的材料构成，例如，金属、金属合金、含金属的材料、金属化合物，包括铜、铝、金、银、铂、钛、镍、锡、锌、铅、铜-镍或任何非金属电气传导材料，例如，石墨。在不同的实施例中，天线330可以包括图形化层，例如，图形化的金属层，例如图形化的铜层(例如，通过使用铜蚀刻技术来提供)。在不同的实施例中，天线330可以被印刷，例如使用银膏。
[0097]依据不同的实施例，在先被描述天线330的配置(例如在形状上、在厚度上、所采用的材料、所采用的结构)，可以允许天线330是可柔性的，从而天线330可以承受形变，如果天线载体104被弯曲，例如，由于机械负载。
[0098]依据不同的实施例，天线330可以通过蚀刻被附接至天线载体104。天线330还可以通过粘合剂、焊料、模制、印刷等等被附接到天线载体104。
[0099]在不同的实施例中，接触垫332可以被形成在天线载体104上或之上。被布置在天线载体104上的天线330可以具有至少一个接触垫332的导电连接。
[0100]在不同的实施例中，接触垫可以被形成在第二聚合物层104的相同的侧面，作为天线330。在不同的实施例中，接触垫332可以被形成在第二聚合物层104的没有天线330形成的侧面。在不同的实施例中，接触垫332可以通过穿过第二聚合物层104的过孔被连接至天线330。
[0101 ] 在不同的实施例中，多个天线330可以被布置在天线载体104上或之上或之中。例如，芯片卡主天线330和用于在芯片550 (参见图5A和/或5B)和芯片卡主天线330之间的信息的无接触传输的增益天线330可以被提供。
[0102]在不同的实施例中，天线330可以被附接至天线载体104的前侧面和天线载体104的后侧面中的至少一个。如果并且当该芯片将被安装时，该前侧面可以被定义为天线载体104的将朝向芯片550的一侧。该后侧面可以被定义为第二聚合物层104的与第二聚合物层104的前侧面相对的侧面。
[0103]如果多个天线330被形成，该天线330可以被形成在天线载体104的两侧，或多有的天线330可以被形成在天线载体104的相同的一侧。
[0104]在不同的实施例中，如图3B所示，第二聚合物层104可以额外地在中部区域而不是边缘处具有一个或多个切口 224。另外，功能、材料、尺寸可以与图3A所述的这些相似。
[0105]切口 224可以具有任意的不干扰芯片卡预期用途的形状和位置，天线载体104将被集成在该芯片卡中。例如，当形成切口 224时，天线330和接触垫332不应被损害，或如果切口在先被形成，天线330和接触垫332不应被形成在切口 224之上。
[0106]在不同的实施例中，另外的切口 224可以被例如形成在由天线330环绕的区域中、切口 224可以具有对应于与第二聚合物层104的面积(长X宽)部分的尺寸，例如达到该面积的约四分之三，例如该面积的约四分之一或该面积的五分之一。切口 224可以具有任意的形状，例如矩形或圆形。
[0107]在不同的实施例中，该额外的切口 224也可以被成型为多个较小的额外的切口224，例如分布在由天线330环绕的区域上的多个小圆224。
[0108]在不同的实施例中，该额外的切口 224可以提供额外的区域，通过该额外的区域，芯片卡衬底100的第一聚合物层102和第三聚合物层106在被布置在第二聚合物层之下和之上后，可以形成耦接，例如单片集成结构。该耦接可以在层压期间形成。在不同的实施例中，该额外的切口 224可以用于进一步提升芯片卡衬底100对于脱层的恢复力。
[0109]在不同的实施例中，如图3C所示，沿第二聚合物层104边缘形成的切口 222可以不成型为矩形。切口 222可以例如为椭圆或弧形。
[0110]另外，功能、材料、尺寸等等可以与图3A和/或3B所述的这些相似。
[0111]在不同的实施例中，不具有尖锐的内角的弧形/椭圆形切口 222可以降低第二聚合物层104的风险，例如图4中所述的在该薄片的处理期间的撕裂。
[0112]在不同的实施例中，如图3D所示，突起210可以被不规则地绕第二聚合物层104的边缘来布置。换言之，切口 222可以具有不同的长度。
[0113]在不同的实施例中，第二聚合物层104的突起210可以具有不同的形状和尺寸。例如，突起210的长LP和/或宽WP可以不同。例如，如图3D所示，一些突起210可以具有比其他突起小的长度LP。
[0114]另外，功能、材料、尺寸等等可以与图3A和/或3B所述的这些相似。
[0115]在不同的实施例中，第二聚合物层104的边缘中的一个或多个部分可以具有很少或没有突起210。大于将被形成的芯片卡衬底100的边缘的平均分数的部分，将接近该边缘的第一部分，并具有由第一聚合物层102和第三聚合物层106形成的单片集成结构。例如，第二聚合物层104的边缘的第一部分可以不具有突起，例如，该第一部分可以被设置在将被设置在将形成的芯片卡的边缘处的边缘，其将经常被首先插入到芯片读取器中。在边缘处开始的来自脱层的额外的突起可以提升芯片卡对于脱层的全部的恢复性。
[0116]在不同的实施例中，第二聚合物层104的边缘的第二部分可以具有更多的突起210以补偿第一部分中的缺少/较少的突起210的数量。
[0117]在不同的实施例中，该第一部分可以例如被布置在将要形成的芯片卡中的芯片将被布置的位置。减少邻近芯片的突起210的数量，可以降低在邻近芯片的突起处进入芯片卡(衬底)并且到达芯片的杂质、液体、化学品等等所带来的危险。
[0118]在不同的实施例中，如图4所示，该多个切口 222的数目和切口 222的长度、宽度和位置，和/或突起210的数目、长度LP、宽度WP和位置可以被选择，从而第二聚合物层104的片200 (也称为聚合物片200)被形成。该第二聚合物层104的片200可以包括布置在平面中的用于多个芯片卡衬底100的多个第二聚合物层104。在不同的实施例中，第二聚合物层104可以以两维阵列被布置在聚合物片200中。换言之，第二聚合物层104的片200可以包括第二聚合物层104的两维阵列，或基本上由第二聚合物层104的两维阵列构成。
[0119]在不同的实施例中，聚合物片104可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯，或基本上由聚对苯二甲酸乙二醇酯构成。在不同的实施例中，聚合物片104可以包括与第二聚合物层104有关的已描述的其它材料，或基本上由与第二聚合物层104有关的已描述的其它材料构成。
[0120]在不同的实施例中，切口 222可以被布置在多个第二聚合物层104的边缘上。
[0121]在不同的实施例中，第二聚合物层104的片200可以被布置在第一聚合物层102或第一聚合物层102的片与第三聚合物层106或第三聚合物层106的片之间。换言之，第一聚合物层102或第一聚合物层102的片可以被布置在第二聚合物层104的片200下方，并且第三聚合物层106或第三聚合物层106的片可以被布置在在第二聚合物层104的片200上方。分别被布置在下方/或上方的第一 /三聚合物层102/106之间的区别，或第一 /三聚合物层102/106的之间的区别是基于对应的层或片的结构:如果聚合物层102、106在其平面上被构造(例如包括用于将用于将芯片电气连接至天线330的接触垫)，或将被布置在该芯片上的防护结构，匹配第二聚合物层的片200中的的第二聚合物层104的第一 /三聚合物层102/106的片(即，关于聚合物层的数目和位置的匹配)，需要被布置在第二聚合物层104之下或之上，然而，在水平地非结构化的第一 /三聚合物层102/106的情形下，一个聚合物层102/106可以被看作被布置在第二聚合物层104之下/之上。在不同的实施例中，第一聚合物层102和第三聚合物层106中的一个可以是水平结构化层，并且第一聚合物层102和第三聚合物层106中的另一个可以是水平非结构化层。
[0122]第一聚合物层102、层200的第二聚合物层104以及第三聚合物层106可以被接合，以形成多个芯片卡衬底100或芯片卡。第一聚合物层102和第三聚合物层106可以通过接口 222接合。他们可以通过切口 222形成单片集成结构。这些层可以通过层压来接合。
[0123]在不同的实施例中，第二聚合物层104的片200在片200的处理期间分解。通过一第二聚合物层的至少部分的突起210和相邻的第二聚合物层104的至少部分的突起210，用于多个芯片卡衬底100的多个第二聚合物层104可以通过突起210相互连接。换言之，第二聚合物层104中的一个的突起210可以被连接，例如，物理连接，例如自该片和相邻的第二聚合物层104被形成。
[0124]在不同的实施例中，相邻的第二聚合物层104的突起210可以被直接连接，即一第二聚合物层104的突起结束的地方，便是相邻的第二聚合物层104的突起开始的地方。
[0125]在不同的实施例中，相邻的第二聚合物层104的突起210可以被间接地连接。例如，在一第二聚合物层104的突起210的末端和相邻的第二聚合物层104的突起210的起始端之间，利用制作第二聚合物层104的材料而形成的额外的结构442可以位于片200中，并将一第二聚合物层104的突起210连接至相邻的第二聚合物层104的突起210。在不同的实施例中，该额外的结构442还可以向相邻的额外的结构442延伸并连接相邻的额外的结构442。
[0126]在图4中，虚线440指示了分离线，例如在与第一聚合物层102和第三聚合物层106接合后(例如在层压之后)，第二聚合物层104的片200可以沿虚线440分