各个次像素。
[0062] 请继续参考图2。像素定义层120形成于像素电路结构层110上并至少部分覆盖 各个像素电路Tl、T2与T3,且像素定义层120包含有第一开口 01、第二开口 02与第三开 口 03。像素电极130分别位于第一开口 01、第二开口 02与第三开口 03中，且与像素电路 T1、T2与T3电性连接。无机发光二极管次像素P1包含粘着层140,其系设置于第一开口 01 中，且位于像素电极130上。第一有机发光二极管160、第二有机发光二极管170分别位于 第二开口 02与第三开口 03,且与像素电极130电性连接，无机发光二极管150位于第一开 口 01中，且利用粘着层140固定于像素电极130上。粘着层140可具有导电性，使得无机 发光二极管150可与像素电极130电性连接。
[0063] 请继续参考图2,第一有机发光二极管160包含第一有机层162,第一有机层162 位于像素电极130上，且第一有机层162与像素电极130电性连接，以形成第一有机发光二 极管次像素P2。第二有机发光二极管170包含第二有机层172,第二有机层172位于像素 电极层330上，且第二有机层172与像素电极130电性连接，以形成第二有机发光二极管次 像素P3。无机发光二极管150包含无机层152,无机层152与粘着层140粘接，并与像素电 极130电性连接，以形成无机发光二极管次像素P1。
[0064] 请继续参考图2,像素单元100可还包含对向电极180。对向电极180位于第一开 口 01、第二开口 02与第三开口 03中，且对向电极180与第一有机发光二极管160、第二有 机发光二极管170以及无机发光二极管150电性连接。在本实施方式中，像素电极130可 为阳极，对向电极180可为阴极。像素电路T1、T2与T3可分别电性连接至第一开口 01、第 二开口 02与第三开口 03中的像素电极130,并传送数据信号至像素电极130,以分别点亮 第一有机发光二极管160、第二有机发光二极管170以及无机发光二极管150,此时对向电 极180则可为共通电极。
[0065] 在其他实施方式中，像素电极130可为阴极，对向电极180可为阳极。此时，像素 电路Tl、T2与T3可分别电性连接至第一开口 01、第二开口 02与第三开口 03中的对向电 极180,而像素电极130可作为共通电极。
[0066] 如此一来，本实施方式的无机发光二极管150与第一有机发光二极管160、第二有 机发光二极管170可分别发出不同颜色的光，以作为像素单元100中不同颜色次像素。例 如无机发光二极管150与第一有机发光二极管160、第二有机发光二极管170发出的光线可 为红色、绿色与蓝色的任意组合，以至少形成红色次像素、绿色次像素以及蓝色次像素。因 此，本实施方式的像素单元100中，不同颜色的次像素之间，发光效率不一致（即蓝色次像 素的发光效率较低）可被改善。
[0067] 接着，为使更于理解，以下实施方式更进一步公开一种像素结构的制造方法。请参 考图2,像素结构的制造方法可包含下述步骤。
[0068] 步骤S1 :提供基板200。如图2所示，基板200可为主动元件阵列基板。
[0069] 步骤S2 :形成像素电路结构层110于基板200上。如图2所示，像素电路结构层 11〇包含多个像素电路!'1、12、13。各个像素电路11、12、13可包含晶体管晶体管。晶体管 可包含主动层、栅极、源极以及漏极等，其中栅极、源极以及漏极的材料可为金属，主动层的 材料可为非晶硅、多晶硅或金属氧化物半导体等。
[0070] 步骤S3 :形成像素定义层120于像素电路结构层110上。
[0071] 步骤S4 :图案化像素定义层，以形成第一开口 01、第二开口 02与第三开口 03,并 由第一开口 01、第二开口 02与第三开口 03露出部分像素电路结构层110。如图2所示，像 素定义层120至少部分覆盖像素电路Tl、T2、T3,且第一开口 01、第二开口 02及第三开口 03分别与像素电路Tl、T2、T3的一极（如源极或漏极）连通。
[0072] 步骤S5 :形成像素电极130于第一开口 01、第二开口 02与第三开口 03。因为第 一开口 01、第二开口 02与第三开口 03分别与像素电路T1、T2、T3的源极或漏极连通，所以 像素电极130与像素电路Tl、T2、T3的源极或漏极可电性连接。
[0073] 步骤S6 :设置无机发光二极管150于第一开口 01中。无机发光二极管150可通 过粘着层140设置于像素电极130上。在一实施方式中，粘着层140可设置于第一开口 01 中的像素电极130上，接着再利用微机械装置将无机发光二极管150转置至基板200上方， 并对准第一开口 01中的粘着层140。在另一实施方式中，粘着层140可设置于无机发光二 极管150的无机层152上，使得无机发光二极管150可通过微机械装置直接连接至第一开 口 01中的像素电极130上。
[0074] 如图2所示，无机发光二极管150可具有出光面S。像素定义层120具有背对基板 200的顶面121。当无机发光二极管150设置于第一开口 01后，由基板200的第一开口 01 中的内表面122至无机发光二极管150的出光面S的无机发光二极管垂直高度H1，小于或 等于基板200的第一开口 01中的内表面122至像素定义层200的顶面121的像素定义层 垂直高度H2。简言之，无机发光二极管150容纳于第一开口 01中，且没有突出于第一开口 01外。因此，在像素单元100后续的工艺中，可避免无机发光二极管150损坏。
[0075] 接着，进行步骤S7 :形成第一有机发光二极管160于第二开口 02中，以及形成第 二有机发光二极管170于第三开口 03中。需说明的是，第一有机发光二极管160以及第二 有机发光二极管170在无机发光二极管150之后形成。如此一来，可避免第一有机发光二 极管160以及第二有机发光二极管170在无机发光二极管150的设置过程破坏。此外，第 一有机发光二极管160、第二有机发光二极管170可分别通过至少一道蒸镀工艺或至少一 道喷墨列印工艺形成。值得注意的是，在蒸镀工艺中，可利用一遮罩裸露第二开口 02或第 三开口 03,以将第一有机发光二极管160、第二有机发光二极管170分别形成于第二开口 02 或第三开口 03。而在蒸镀工艺中，因为步骤S4中的无机发光二极管150没有突出于第一开 口 01外，所以蒸镀用的遮罩不会压坏无机发光二极管150。
[0076] 在一实施方式中，无机发光二极管150的边长可小于或等于10微米（um)，其出光 面的面积可小于或等于100平方微米（y m2)。如图2所示，无机发光二极管150可为垂直式 (VerticalType)的无机发光二极管150,其中无机层152可还包含第一半导体层231以及 第二半导体层233。在一实施方式中，第一半导体层231和第二半导体层233可直接相叠。 在另一实施方式中，第一半导体层231以及第二半导体层233可间接相叠。如图2所示，无 机层152可还包含主动层232。主动层232可位于第一半导体层231与第二半导体层233 之间，使得第一半导体层231以及第二半导体层233间接相叠。上述第一半导体层231、主 动层232以及第二半导体层233皆为无机材料所组成。
[0077] 上述无