[0177] 通式（O-B)中的各包含碳二酰亚胺基的环状结构中的原子数的优选范围分别与 上述通式（O-A)中的包含碳二酰亚胺基的环状结构中的原子数的优选范围相同。
[0178] 此处，环状碳二酰亚胺化合物是在分子内并不具有2个以上碳二酰亚胺基的第一 氮与第二氮通过连结基键结而成的环结构的芳香族碳二酰亚胺，亦即环状碳二酰亚胺化合 物为单环，自难以增粘的观点考虑，优选的是以上述通式（O-A)而表示。
[0179] 但是，自可抑制挥发、可抑制制造时产生异氰酸酯气体的观点考虑，也优选的是本 发明的环状碳二酰亚胺化合物具有多个环状结构，以上述通式（O-B)而表示。
[0180] 环状碳二酰亚胺化合物的分子量优选的是重量平均分子量为400~1500。环状碳 二酰亚胺化合物的分子量若为400以上，则挥发性小，可抑制制造时产生异氰酸酯气体，因 此优选。而且，环状碳二酰亚胺化合物的分子量的上限并无特别限定，自与羧酸的反应性的 观点考虑，优选的是1500以下。
[0181] 环状碳二酰亚胺化合物的分子量更优选的是500~1200。
[0182] 通式（O-A)或通式（O-B)所表示的环状碳二酰亚胺化合物的具体例的具体例可列 举以下的化合物。但本发明并不限定于以下的具体例。
[0183] [化 5]
[0184]
[0188]
[0191] 环状碳二酰亚胺化合物优选的是与芳香环邻接而具有至少一个-N = C = N-所表 示的结构（碳二酰亚胺基）的化合物，例如可在适当的催化剂的存在下，对有机异氰酸酯进 行加热，通过脱羧反应而制造。而且，本发明的环状碳二酰亚胺化合物可参考日本专利特开 2011-256337号公报中所记载的方法等而合成。
[0192] 在合成环状碳二酰亚胺化合物时，在与碳二酰亚胺基的第一氮与第二氮邻接的亚 芳基的邻位导入特定的体积大的取代基的方法并无特别限制，例如可利用已知的方法对烷 基苯进行硝基化，从而合成烷基经取代的硝基苯，可以其为原料而利用W02011/158958中 所记载的方法合成环状碳二酰亚胺。
[0193] 对乙烯酮亚胺化合物加以说明。
[0194] 乙烯酮亚胺化合物优选的是使用下述通式（K-A)所表示的乙烯酮亚胺化合物。
[0195] [化 9]
[0196]
[0197] 通式（K~A)中，R1及R2分别独立地表不烷基、芳基、烷氧基、烷氧基幾基、氣基幾基、 芳氧基、酰基或芳氧基羰基，R 3表示烷基或芳基。
[0198] 此处，乙烯酮亚胺化合物的除氮原子与所述氮原子上所键结的取代基以外的部分 的分子量优选的是320以上。亦即，在通式（K-A)中，#-(：( = O-R2基的分子量优选的是 320以上。乙烯酮亚胺化合物的除氮原子与所述氮原子上所键结的取代基以外的部分的分 子量优选的是320以上，更优选的是500~1500,进一步更优选的是600~1000。如上所 述将除氮原子与所述氮原子上所键结的取代基以外的部分的分子量设为上述范围内，由此 可提高支撑体与其所相接的层的密接性。其原因在于：通过使氮原子与所述氮原子所键结 的取代基除外的部分具有一定范围的分子量，具有某种程度的大体积的聚酯末端扩散至与 支撑体相接的层而发挥锚定效应（anch or effect)。
[0199] 通式（K-A)中，R1及R2所表示的烷基优选的是碳数1~20的烷基，更优选的是碳 数1~12的烷基。R 1及R2所表示的烷基可为直链也可分支也可为环状。R 1及R2所表示的 烷基可列举甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、仲丁基、异丁基、正戊基、仲戊基、 异戊基、正己基、仲己基、异己基、环己基等。其中更优选的是甲基、乙基、正丙基、异丙基、异 丁基、环己基。
[0200] 通式（K-A)中，R1及R2所表示的烷基还可进一步具有取代基。只要不使乙烯酮亚 胺基与羧基的反应性降低，则取代基并无特别限制，可同样地例示上述取代基。另外，R 1及 R2所表示的烷基的碳数表示不含取代基的碳数。
[0201] 通式（K-A)中，R1及R2所表示的芳基优选的是碳数6~20的芳基，更优选的是碳 数6~12的芳基。R 1及R2所表示的芳基可列举苯基、萘基等，其中特别优选的是苯基。
[0202] 通式（K-A)中，R1及R2所表示的芳基包含杂芳基。所谓杂芳基是指显示芳香族性 的5员、6员或7员的环或其缩合环的环构成原子的至少一个被取代为杂原子的基。杂芳基 例如可例示咪唑基、吡啶基、喹啉基、呋喃基、噻吩基、苯并噁唑基、吲哚基、苯并咪唑基、苯 并噻唑基、咔唑基、氮杂环庚三烯基。杂芳基中所含的杂原子优选的是氧原子、硫原子、氮原 子，其中优选的是氧原子或氮原子。
[0203] 通式（K-A)中，R1及R2所表示的芳基或杂芳基还可进一步具有取代基，只要不使 乙烯酮亚胺基与羧基的反应性降低，则取代基并无特别限制。另外，R1及R2所表示的芳基 或杂芳基的碳数表示不含取代基的碳数。
[0204] 通式（K-A)中，R1及R2所表示的烷氧基优选的是碳数1~20的烷氧基，更优选的 是碳数1~12的烷氧基，特别优选的是碳数2~6的烷氧基。R 1及R 2所表不的烷氧基可 为直链也可分支也可为环状。R1及R2所表示的烷氧基的优选例可列举R 1及R2所表示的烷 基的末端连结有-0-的基。R1及R2所表示的烷氧基还可进一步具有取代基，只要不使乙烯 酮亚胺基与羧基的反应性降低，则取代基并无特别限制。另外，R 1及R2所表示的烷氧基的 碳数表示不含取代基的碳数。
[0205] 通式（K-A)中，R1及R2所表示的烷氧基羰基优选的是碳数2~20的烷氧基羰基， 更优选的是碳数2~12的烷氧基羰基，特别优选的是碳数2~6的烷氧基羰基。R 1及R2所 表示的烷氧基羰基的烷氧基部可列举上述烷氧基的例子。
[0206] 通式（K-A)中，R1及R2所表示的氨基羰基优选的是碳数1~20的烷基氨基羰基、 碳数6~20的芳基氨基羰基。烷基氨基羰基的烷基氨基部的优选例可列举在R 1及R2所表 示的烷基的末端连结有-NH-的基。R1及R2所表示的烷基氨基羰基还可进一步具有取代基， 只要不使乙烯酮亚胺基与羧基的反应性降低，则取代基并无特别限制。碳数6~20的芳基 氨基羰基的芳基氨基部的优选例可列举在R 1及R2所表示的芳基的末端连结有-NH-的基。 R1及R2所表示的芳基氨基羰基还可进一步具有取代基，只要不使乙烯酮亚胺基与羧基的反 应性降低，则取代基并无特别限制。另外，R 1及R2所表示的烷基氨基羰基的碳数表示不含 取代基的碳数。
[0207] 通式（K-A)中，R1及R2所表示的芳氧基优选的是碳数6~20的芳氧基，更优选的 是碳数6~12的芳氧基。R 1及R2所表示的芳氧基的芳基部可列举上述芳基的例子。
[0208] 通式（K-A)中，R1及R2所表示的酰基优选的是碳数2~20的酰基，更优选的是碳 数2~12的酰基，特别优选的是碳数2~6的酰基。R 1及R2所表示的酰基还可进一步具有 取代基，只要不使乙烯酮亚胺基与羧基的反应性降低，则取代基并无特别限制。另外，R 1及 R2所表示的酰基的碳数表示不含取代基的碳数。
[0209] 通式（K-A)中，R1及R2所表示的芳氧基羰基优选的是碳数7~20的芳氧基羰基， 更优选的是碳数7~12的芳氧基羰基。R 1及R2所表示的芳氧基羰基的芳基部可列举上述 芳基的例子。
[0210] 通式（K-A)中，R3表示烷基或芳基。烷基优选的是碳数1~20的烷基，更优选的 是碳数1~12的烷基。R 3所表示的烷基可为直链也可分支也可为环状。R3所表示的烷基可 列举甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、仲丁基、异丁基、正戊基、仲戊基、异戊基、 正己基、仲己基、异己基、环己基等。其中更优选的是甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异 丁基、环己基。
[0211] 通式（K-A)中，R3所表示的烷基还可进一步具有取代基。只要不使乙烯酮亚胺基 与羧基的反应性降低，则取代基并无特别限制，可同样地例示上述取代基。
[0212] 通式（K-A)中，R3所表示的芳基优选的是碳数6~20的芳基，更优选的是碳数6~ 12的芳基。R 3所表示的芳基可列举苯基、萘基等，其中特别优选的是苯基。
[0213] 通式（K-A)中，R3所表示的芳基包含杂芳基。所谓杂芳基是指显示芳香族性的5 员、6员或7员的环或其缩合环的环构成原子的至少一个被取代为杂原子者。杂芳基例如可 例示咪唑基、吡啶基、喹啉基、呋喃基、噻吩基、苯并噁唑基、吲哚基、苯并咪唑基、苯并噻唑 基、咔唑基、氮杂环庚三烯基。杂芳基中所含的杂原子优选的是氧原子、硫原子、氮原子，其 中优选的是氧原子或氮原子。
[0214] 通式（K-A)中，R3所表示的芳基或杂芳基还可进一步具有取代基，只要不使乙烯酮 亚胺基与羧基的反应性降低，则取代基并无特别限制。
[0215] 另外，通式（K-A)也可包含重复单元。在这种情况下，优选的是R1或R 3的至少一 个是重复单元，所述重复单元包含乙烯酮亚胺部。
[0216] 作为乙烯酮亚胺化合物，也优选的是使用下述通式（K-B)所表示的乙烯酮亚胺化 合物。
[0217] [化 10]
[0218]
[0219] 通式（K-B)中，R1表不烷基、芳基、烷氧基、烷氧基幾基、氣基幾基、芳氧基、醜基或 芳氧基幾基。R 2表不具有L 1作为取代基的烷基、芳基、烷氧基、烷氧基幾基、氣基幾基、芳 氧基、酰基或芳氧基羰基。R3表示烷基或芳基。η表示2~4的整数，L 1表示η价连结基。 (R1-C^ = O-R2-)^L1基的分子量优选的是320以上。
[0220] 通式（K-B)中，R1与通式（K-A)中的R1同义，优选的范围也相同。
[0221] 通式（K-B)中，R2表示具有η价连结基L1的烷基、芳基、烷氧基、烷氧基羰基、氨基 幾基、芳氧基、醜基或芳氧基幾基。烷基、芳基、烷氧基、烷氧基幾基、氣基幾基、芳氧基、醜基 或芳氧基羰基与通式（K-A)中的烷基、芳基、烷氧基、烷氧基羰基、氨基羰基、芳氧基、酰基 或芳氧基羰基同义，优选的范围也相同。
[0222] 通式（K-B)中，R3与通式（K-A)中的R3同义，优选的范围也相同。
[0223] 通式（K-B)中，L1表示η价连结基，η表示2~4的整数。
[0224] 通式（K-B)中，作为L1所表示的二价连结基的具体例，例如可列举-NR S-(RS表 示氢原子、也可具有取代基的烷基或也可具有取代基的芳基，优选的是氢原子）所表示 的基、-so 2-、-C0-、经取代或未经取代的亚烷基、经取代或未经取代的亚烯基、亚炔基、 经取代或未经取代的亚苯基、经取代或未经取代的亚联苯基、经取代或未经取代的亚萘 基、-0-、-S-及-so-以及将这些2个以上组合而所得的基。
[0225] 通式（K-B)中，L1所表示的三价连结基的具体例，例如可列举自作为二价连结基的 例子而列举的连结基中的具有取代基者除去1个氢原子而所得的基。
[0226] 通式（K-B)中，作为L1所表示的四价连结基的具体例，例如例如可列举自作为二 价连结基的例子而列举的连结基中的具有取代基者除去2个氢原子而所得的基。
[0227] 通式（K-B)中，通过使L1所表示的连结基的η价为2~4,可使其为在一分子中具 有2个以上乙烯酮亚胺部的化合物，可发挥更优异的末端密封效果。而且，通过设为在一分 子中具有2个以上有乙烯酮亚胺部的化合物，可使每乙烯酮亚胺基的分子量变低，可效率 良好地使乙烯酮亚胺化合物与聚酯的末端羧基反应。另外，通过在一分子中具有2个以上 乙烯酮亚胺部，可抑制乙烯酮亚胺化合物或乙烯酮化合物挥发。
[0228] 通式（K-B)中，η更优选的是3或4。通过将η设为3或4,可使其为在一分子中 具有3个或4个乙烯酮亚胺部的化合物，可发挥更优异的末端密封效果。而且，通过将η设 为3或4,即使在使通式（K-B)中的R 1或R2的取代基的摩尔分子量变小的情况下，也可抑 制乙烯酮亚胺化合物挥发。
[0229] 作为乙烯酮亚胺化合物，也优选的是使用下述通式（K-C)所表示的乙烯酮亚胺化 合物。
[0230] [化 11]
[0232] 通式（K-C)中，R1及R 5表不烷基、芳基、烷氧基、烷氧基幾基、氣基幾基、芳氧基、 酰基或芳氧基羰基。R2及R 4表示具有L2作为取代基的烷基、芳基、烷氧基、烷氧基羰基、氨 基羰基、芳氧基、酰基或芳氧基羰基。R 3及R6表示烷基或芳基。L2表示单键或二价连结基。 R1-C^ = O-R2-L2-R4-C( = O-R5基的分子量优选的是320以上。
[0233] 通式（K-C)中，R1与通式（K-A)中的R1同义，优选的范围也相同。而且，R 5与通式 (K-A)中的R1同义，优选的范围也相同。
[0234] 通式（K-C)中，R2与通式（K-B)中的R2同义，优选的范围也相同。而且，R 4与通式 (K-B)中的R2同义，优选的范围也相同。
[0235] 通式（K-C)中，R3与通式（K-A)中的R3同义，优选的范围也相同。而且，R 6与通式 (K-A)中的R3同义，优选的范围也相同。
[0236] 通式（K-C)中，L2表示单键或二价连结基。二价连结基的具体例可列举通式（K-B) 的L 1中所例示的连结基。
[0237] 此处，乙烯酮亚胺化合物的除氮原子与所述氮原子上所键结的取代基以外的部分 的分子量优选的是320以上。乙烯酮亚胺化合物的除氮原子与所述氮原子上所键结的取代 基以外的部分的分子量若为320以上即可，优选的是400以上，更优选的是500以上。而且， 一分子中的相对于乙烯酮亚胺部数的乙烯酮亚胺化合物的摩尔分子量（摩尔分子量/乙烯 酮亚胺部数）优选的是1000以下，更优选的是500以下，进一步更优选的是400以下。通 过将乙烯酮亚胺化台物的乙烯酮亚胺部碳上的取代基的分子量及相对于乙烯酮亚胺部数 的乙烯酮亚胺化合物的摩尔分子量设定为上述范围内，可抑制乙烯酮亚胺化合物自身的挥 发，抑制密封聚酯的末端羧基时所生成的乙烯酮化合物的挥发，进一步利用低添加量的乙 烯酮亚胺化合物进行聚酯的末端羧基的密封。
[0238] 具有至少一个乙烯酮亚胺基的乙烯酮亚胺化合物例如可参考《美国化学会志 (J. Am. Chem. Soc.)》，1953, 75 (3)，第657页~第660页中所记载的方法等而合成。
[0239] 以下表示通式（K-A)~通式（K-C)所表示的乙烯酮亚胺化合物的优选的具体例， 但本发明并不限定于此。
[0240] [化 12]
[0241]
[0246] 如上述例示化合物所示，乙烯酮亚胺化合物更优选的是3官能或4官能。由此可 进一步提高末端密封效果，可有效地抑制乙烯酮亚胺化合物或乙烯酮化合物的挥发。
[0247] 而且，在如例示化合物（K-6)这样的将乙烯酮亚胺部作为环骨架而具有环状结构 的情况下，通式（K-A)~通式（K-C)中，R 1与R3连结而形成环状结构，且R3包含环骨架的亚 烷基或亚芳基。在这种情况下，R 1具有包含乙烯酮亚胺部的连结基。
[0248] 例示化合物（K-10)表示通式（K-A)~通式（K-C)的重复数η的重复单元，η表示 3以上的整数。例示化合物（Κ-10)中所示的左末端是氢原子，右末端是苯基。
[0249] -支撑体的制造方法_
[0250] 以下，对支撑体的制造方法的优选形态，列举支撑体为聚酯的情况作为例子而加 以说明。
[0251] 支撑体例如优选的是双轴延伸膜，所述双轴延伸膜是将上述聚酯熔融挤出为膜状 后，利用流延鼓（casting drum)使其冷却固化而制成未延伸膜，将所述未延伸膜在玻璃化 转变点（Tg:单位为°C )以上、（Tg+60°C)以下、在长度方向上进行1次或2次以上的合计 倍率成为3倍~6倍的延伸，其后在Tg以上、（Tg+60°C )以下，在宽度方向上进行倍率成为 3倍~5倍的延伸而成者。
[0252] 另外，还可视需要在180°C~230°C下进行1秒~60秒的热处理。
[0253] 以下，作为支撑体的制造方法的优选形态，对聚酯膜的制造方法的一例加以说明。
[0254] ?聚酯膜形成步骤：
[0255] 在聚酯膜形成步骤、亦即形成聚酯膜的步骤中，使树脂组合物中所含的聚酯与乙 烯酮亚胺化合物及碳二酰亚胺化合物的至少一个熔融而成的熔融体通过齿轮栗或滤过器， 其后，经由模头而挤出至冷却辊，使其冷却固化，由此可形成（未延伸）膜。熔融可使用挤 出机而进行，可使用单轴挤出机，也可使用双轴挤出机。
[0256] 碳二酰亚胺化台物或乙烯酮亚胺化台物可直接添加在这些挤出机中，自挤出稳定 性的观点考虑，优选的是预先与聚酯形成母胶而将其投入至挤出机中。在形成母胶的情况 下，优选的是对包含乙烯酮亚胺化合物的母胶的供给量赋予上述变动。另外，优选的是使用 母胶乙烯酮亚胺的浓度得到浓缩者，自成本的观点考虑，优选的是成膜后的膜中的浓度的2 倍~100倍，更优选的是5倍~50倍。
[0257] 优选的是在真空排气或惰性气体环境下进行挤出。由此可抑制乙烯酮亚胺、碳二 酰亚胺化合物等的分解。优选的是在挤出机的温度为所使用的聚酯的自熔点至熔点+80°C 以下进行，更优选的是熔点+l〇°C以上、熔点+70°C以下，进一步更优选的是熔点+20°C以 上、熔点+60°C以下。若不足所述范围，则树脂未能充分地熔解，另一方面若超过所述范围， 则聚酯或乙烯酮亚胺化合物、碳二酰亚胺化台物等分解而欠佳。另外，在所述挤出之前，优 选的是预先使聚酯或乙烯酮亚胺化合物、碳二酰亚胺化合物等的母胶干燥，优选的含水率 是IOppm~300ppm，更优选的是20ppm~150ppm。
[0258] 另外，所挤出的熔融体可通过齿轮栗、滤过机、多层模头而流延于流延鼓上。多层 模头的方式可适宜地使用多歧管模头、给料区块（feed block)模头的任意者。模头的形状 可为T-模头、衣架式涂布模头、鱼尾式的任意者。优选的是对此种模头的前端（模唇）赋 予如上所述的温度变动。可在流延鼓上，使用静电施加法使熔融树脂（熔体）密接于冷却 辊上。此时，优选的是对流延鼓的驱动速度赋予如上所述的变动。流延鼓的表面温度可设 为大约l〇°C~40°C。流延鼓的直径优选的是0. 5m以上5m以下，更优选的是Im以上4m以 下。流延鼓的驱动速度（最外周的线速度）优选的是lm/min以上50m/min以下，更优选的 是3m/min以上30m/min以下。
[0259] ?延伸步骤：
[0260] 通过膜形成步骤而形成的（未延伸）膜可在延伸步骤中实施延伸处理。延伸优选 的是在纵方向（Machine Direction，MD)、横方向（Transverse Direction，TD)的至少一个 上进行，更优选的是进行MD、TD的两个方向延伸，膜的物性获得平衡而优选。此种2个方 向延伸可逐次纵、横地进行，也可同时实施。在延伸步骤中，优选的是使利用冷却辊而进行 了冷却固化的（未延伸）膜在1个或2个方向上延伸，更优选的是在2个方向上延伸。在 2个方向上的延伸（双轴延伸）优选的是长度方向（MD :Machine Direction)的延伸（以 下也称为"纵延伸"）及宽度方向（TD :Transverse Direction)的延伸（以下也称为"横延 伸"）。所述纵延伸、横延伸可各进行1次，也可经过多次而实施，也可同时纵、横地延伸。
[0261] 延伸处理优选的是在膜的玻璃温度（Tg ;单位°C )以上、（Tg+60°C )以下进行，更 优选的是（Tg+3°C )以上、（Tg+40°C )以下，进一步更优选的是（Tg+5°C )以上、（Tg+30°C ) 以下。此时，优选的是如上所述地赋予温度分布。
[0262] 优选的延伸倍率是至少一个方向为280 %~500 %，更优选的是300 %~480 %，进 一步更优选的是320 %~460 %。在双轴延伸的情况下，也可纵、横均等地延伸，更优选的是 其中一个方向的延伸倍率大于另一个方向，不均等地进行延伸。可使纵（MD)、横（TD)的任 意者大。此处所谓的延伸倍率可使用以下的式而求出。
[0263] 延伸倍率（％ ) = 100X {(延伸后的长度V(延伸前的长度）}
[0264] 双轴延伸处理例如可在膜的玻璃化温度（Tg1) °C~（Tgl+60) °C下在长度方向上进 行1次或2次以上、合计倍率成为3倍~6倍的延伸，其后在（Tg1) °C~（Tg+60) °C下在宽 度方向上实施倍率成为3倍~5倍的延伸。
[0265] 纵双轴延伸处理可使用使出口侧的圆周速度变快的2对以上的夹辊而在长度方 向上进行延伸（纵延伸），而且也可利用夹盘而把持宽度方向后，使所述夹盘间的长度方向 的间隔变宽而进行延伸。
[0266] 横延伸可利用夹盘而把持膜的两端使其向正交方向（与长度方向成直角的方向） 变宽而进行（横延伸）。
[0267] 同时延伸可利用夹盘而把持之后，组合在长度方向上使夹盘间隔变宽的操作、在 宽度方向上使夹盘间隔变宽的操作而实施。
[0268] 优选的是在这些延伸步骤中组合后述的下涂层的涂布步骤。下涂层优选的是在此 种延伸步骤之前或延伸步骤之间的步骤中，通过涂布而形成于聚酯膜的表面。亦即，在本发 明中，优选的是对聚酯膜基材进行至少一次延伸。
[0269] 例如，延伸步骤与涂布步骤可通过下述的组合而实施。
[0270] (a)纵延伸一涂布一横延伸
[0271] (b)涂布一纵延伸一横延伸
[0272] (C)涂布一纵、横同时延伸
[0273] (d)纵延伸一横延伸一涂布一纵延伸
[0274] (e)纵延伸一横延伸一涂布一横延伸
[0275] 其中优选的是（a)、（b)、（C)，更优选的是（a)。所述手法的密接力最高，且设备也 变得精简化而优选。
[0276] 在延伸步骤中，在延伸处理之前或其后，优选的是延伸处理后，对膜实施热处理。 通过实施热处理，可生成微晶，使力学特性或耐久性提高。也可在180°C~240°C左右（更 优选的是200°C~230°C )下对膜实施1秒~60秒（更优选的是2秒~30秒）的热处理。
[0277] 在延伸步骤中，可在热处理后实施热松弛处理。所谓热松弛处理是对膜施加用以 应力松弛的热，使膜收缩的处理。热松弛处理优选的是在膜的MD及TD这两个方向上实 施。热松弛处理中的诸条件优选的是利用低于热处理温度的温度而进行处理，优选的是 130°C~220°C。而且，热松弛处理优选的是膜的热缩率（150°C )在MD及TD的任意者上均 为-1 %~12%，更优选的是0%~10%。另外，热缩率（150°C )可通过如下的方式求出： 切出测定方向350mm、宽50mm的样品，在样品的长度方向的两端附近以300mm的间隔附以标 记，将一端固定于调整为150°C的温度的烘箱中，使另一端自由而放置30分钟，其后在室温 下测定标记间的距离，将其长度作为L(mm)，使用所述测定值，