构。
[0069]例如，该栅极绝缘层103的材料包括选自氧化硅(S1x)、氮化硅(SiNx)和氮氧化娃(SiNxOy)中的一种或多种。
[0070]例如，该有源层104的材料可以为氧化物半导体，例如，可为氧化铟镓锌(IndiumGallium Zinc Oxide, IGZO)、氧化铟锌(Indium Zinc Oxide, IZO)、氧化锌(ZnO)等。
[0071]例如，该源极105和漏极106之间具有间隔以界定沟道区107。
[0072]例如，该钝化层108的材料包括选自氧化硅(S1x)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiNxOy)中一种或多种。
[0073]例如，该像素电极109通过形成在钝化层108之中的过孔110与漏极电性相连，例如，该像素电极的材料可以为铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)等透明金属氧化物。
[0074]需要说明的是，本发明提供的阵列基板不限于用于液晶显示面板中，例如，也可以用于有机电致发光二极管(OLED)显示面板中。
[0075]本发明实施例提供的阵列基板，在该阵列基板的制备过程中，通过将形成有源层104的工艺步骤中的光刻胶图案形成为具有不同厚度的第一光刻胶图案111，通过灰化工艺，在第一光刻胶图案111在被用作掩模刻蚀有源层104之后，去除了部分光刻胶，但保留了对应有源层104中待形成沟道区107的区域的光刻胶，得到第二光刻胶图案112 ;由此，第一光刻胶图案111起到了形成有源层104的掩模的作用，第二光刻胶图案112起到了刻蚀阻挡层的作用，保护了有源层104免于源漏(SD)刻蚀液的影响，从而可减少刻蚀阻挡层的使用，节省一次掩模(Mask)工艺，可大大简化制备工艺过程。另外，形成的第二光刻胶图案112不用单独使用一次剥离工艺，可以与后续形成源极105和漏极106的第三光刻胶图案113通过同一次剥离工艺一起剥离，进而可减少工艺步骤，降低成本。
[0076]在本发明的另一个实施例的阵列基板还可以包括公共电极，因此相应的制备方法还包括制备公共电极的步骤；该公共电极例如可以与像素电极形成在不同层上，例如形成在像素电极之上或者像素电极之下，也可以与像素电极形成在同一层上。该公共电极例如与像素电极配合以形成驱动液晶偏转的水平电场，或者该公共电极例如与像素电极配合以形成存储电容以增加显示的稳定性。形成的阵列基板可如图13或图14所示。公共电极117位于绝缘层116之上，像素电极109与公共电极117之间形成有绝缘层116或钝化层108。
[0077]实施例四
[0078]本实施例提供一种显示装置，其包括上述任一阵列基板。
[0079]例如，该显示装置可包括液晶显示装置和有机电致发光二极管显示装置。
[0080]例如，所述显示装置可以为液晶显示器、电子纸、OLED(Organic Light-EmittingD1de，有机发光二极管)显示器等显示器件以及包括这些显示器件的电视、数码相机、手机、手表、平板电脑、笔记本电脑、导航仪等任何具有显示功能的产品或者部件。
[0081]本发明实施例提供的显示装置，其包括上述阵列基板，在该阵列基板的制备过程中，通过将形成有源层104的工艺步骤中的光刻胶图案形成为具有不同厚度的第一光刻胶图案111，通过灰化工艺，在第一光刻胶图案111在被用作掩模刻蚀有源层104之后，去除部分光刻胶，但保留对应有源层104中待形成沟道区107的区域的光刻胶，得到第二光刻胶图案112。由此，第一光刻胶图案111起到了形成有源层104的掩模的作用，第二光刻胶图案112可起到刻蚀阻挡层的作用，可保护有源层104免于源漏(SD)刻蚀液的影响，从而减少刻蚀阻挡层的使用，节省了一次掩模(Mask)工艺，可大大简化制备工艺过程。另外，形成的第二光刻胶图案112不用单独使用一次剥离工艺，可以与后续形成源极105和漏极106的第三光刻胶图案113通过同一次剥离工艺一起剥离，进而减少了工艺步骤，降低了成本。
[0082]有以下几点需要说明:
[0083](I)在本发明实施例附图中，只涉及到与本发明实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。
[0084](2)为了清晰起见，在用于描述本发明的实施例的附图中，层或区域的厚度被放大。可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。
[0085](3)在不冲突的情况下，本发明的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0086]以上所述，仅为本发明的【具体实施方式】，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
【主权项】
1.一种薄膜晶体管的制备方法，包括形成薄膜晶体管的有源层、源极和漏极的步骤，其中，所述源极和所述漏极分设在所述有源层的两侧，所述源极和所述漏极之间具有间隔以界定沟道区，所述形成薄膜晶体管的有源层、源极和漏极的步骤包括: 形成有源层薄膜； 在所述有源层薄膜上形成第一光刻胶图案，所述第一光刻胶图案覆盖有源层薄膜中待形成有源层的区域，所述第一光刻胶图案包括第一厚度光刻胶和第二厚度光刻胶，所述第一厚度光刻胶的厚度大于所述第二厚度光刻胶的厚度，所述第一厚度光刻胶对应有源层薄膜中待形成沟道区的区域； 以所述第一光刻胶图案为掩模对所述有源层薄膜进行刻蚀，形成有源层； 将所述第一光刻胶图案进行灰化，以去除所述第二厚度光刻胶并减薄所述第一厚度光刻胶，形成对应有源层中待形成沟道区的区域处的第二光刻胶图案； 在所述有源层和所述第二光刻胶图案之上形成源漏电极薄膜； 在所述源漏电极薄膜上形成第三光刻胶图案； 以所述第三光刻胶图案为掩模对所述源漏电极薄膜进行刻蚀，形成源极和漏极，露出所述第二光刻胶图案；以及 将所述第二光刻胶图案和所述第三光刻胶图案剥离。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其中，所述第三光刻胶图案中覆盖源漏电极薄膜中待形成源极处的光刻胶及覆盖源漏电极薄膜中待形成漏极处的光刻胶之间的距离小于或等于对应位置处第二光刻胶图案的宽度。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其中，所述形成第一光刻胶图案包括: 在所述有源层薄膜上形成光刻胶薄膜，采用多色调掩模板对所述光刻胶薄膜进行曝光和显影，形成第一光刻胶图案，所述第一光刻胶图案包括光刻胶完全保留区域和光刻胶半保留区域， 其中，所述光刻胶完全保留区域对应有源层薄膜中待形成有源层沟道区的区域，所述光刻胶半保留区域对应待形成有源层中除了沟道区之外的其余区域。4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管的制备方法，其中，所述多色调掩模板包括半色调掩模板和灰色调掩模板。5.根据权利要求1-4任一项所述的薄膜晶体管的制备方法，其中，所述有源层材质包括氧化物半导体。6.根据权利要求1-4任一项所述的薄膜晶体管的制备方法，还包括形成栅极绝缘层的步骤，其中，所述栅极绝缘层位于所述栅极之上，所述栅极和所述栅极绝缘层在形成所述有源层薄膜之前形成。7.—种阵列基板的制备方法，包括权利要求1-6任一项所述的薄膜晶体管的制备方法。8.根据权利要求7所述的阵列基板的制备方法，还包括形成栅线和数据线的步骤，所述薄膜晶体管包括栅极，其中，所述栅线与所述薄膜晶体管的栅极电连接，所述数据线与所述薄膜晶体管的源极电连接。9.根据权利要求8所述的阵列基板的制备方法，还包括形成像素电极的步骤，所述像素电极与所述薄膜晶体管的漏极电连接。10.根据权利要求9所述的阵列基板的制备方法，还包括形成公共电极的步骤。11.一种阵列基板，采用权利要求7-10任一项所述的方法制成。12.—种显示装置，包括权利要求11所述的阵列基板。13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述显示装置包括液晶显示装置和有机电致发光二极管显示装置。
【专利摘要】薄膜晶体管及阵列基板的制备方法、阵列基板及显示装置。该薄膜晶体管的制备方法，包括在有源层薄膜上形成第一光刻胶图案，其包括第一厚度光刻胶和第二厚度光刻胶，并覆盖有源层薄膜中待形成有源层的区域；以第一光刻胶图案为掩模对有源层薄膜进行刻蚀，形成有源层；将第一光刻胶图案进行灰化，以去除第二厚度光刻胶并减薄第一厚度光刻胶，形成第二光刻胶图案；形成源漏电极薄膜，在源漏电极薄膜上形成第三光刻胶图案；并以其为掩模对源漏电极薄膜进行刻蚀，形成源极和漏极，露出第二光刻胶图案；将第二、第三光刻胶图案剥离。该制备方法使用光刻胶图案保护有源层免于源漏刻蚀液的影响，可避免刻蚀阻挡层的使用，大大简化制备工艺。
【IPC分类】H01L27/12, H01L29/786, H01L21/336
【公开号】CN105161541
【申请号】CN201510471390
【发明人】张家祥, 卢凯
【申请人】京东方科技集团股份有限公司, 北京京东方光电科技有限公司
【公开日】2015年12月16日
【申请日】2015年8月4日