薄膜晶体管及阵列基板的制备方法、阵列基板及显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明的实施例涉及一种薄膜晶体管及阵列基板的制备方法、阵列基板及显示装置。
【背景技术】
[0002]薄膜晶体管(Thin Film Transistor)是一种薄膜型的半导体开关器件，其在显示技术(液晶显示技术、有机发光二极管显示技术)、集成电路技术等领域中被广泛应用。不管是 LCD (Liquid Crystal Display)显不装置还是 OLED (Organic Light EmittingDisplay)显示装置，均设置有作为控制开关的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)。
[0003]通常，制备薄膜晶体管的步骤包括:通过构图工艺形成栅极，再形成栅极绝缘层薄膜和有源层薄膜。通过构图工艺形成有源层；在有源层待形成沟道区的对应位置上利用构图工艺形成刻蚀阻挡层。形成源漏电极薄膜并通过构图工艺形成源漏极。形成的刻蚀阻挡层可防止源漏(SD)刻蚀液对有源层沟道区的影响。然而，在有源层上方覆盖一层刻蚀阻挡层，这势必会导致制备工艺的复杂性和难度。并且，增加了一次掩模(Mask)工艺，增加了工艺步骤和成本。
【发明内容】
[0004]本发明实施例提供一种薄膜晶体管的制备方法、阵列基板及其制备方法及显示装置。该薄膜晶体管的制备方法没有单独形成刻蚀阻挡层，可节省形成刻蚀阻挡层的掩模工艺，还可节省一个剥离(Strip)工艺，可在保证有源层免于源漏刻蚀液影响的基础上大大简化工艺流程。
[0005]本发明至少一个实施例提供一种薄膜晶体管的制备方法，包括形成薄膜晶体管的有源层、源极和漏极的步骤，其中，所述源极和所述漏极分设在所述有源层的两侧，所述源极和所述漏极之间具有间隔以界定沟道区。
[0006]所述形成薄膜晶体管的有源层、源极和漏极的步骤包括:
[0007]形成有源层薄膜；
[0008]在所述有源层薄膜上形成第一光刻胶图案，所述第一光刻胶图案覆盖有源层薄膜中待形成有源层的区域，所述第一光刻胶图案包括第一厚度光刻胶和第二厚度光刻胶，所述第一厚度光刻胶的厚度大于所述第二厚度光刻胶的厚度，所述第一厚度光刻胶对应有源层薄膜中待形成沟道区的区域；
[0009]以所述第一光刻胶图案为掩模对所述有源层薄膜进行刻蚀，形成有源层；
[0010]将所述第一光刻胶图案进行灰化，以去除所述第二厚度光刻胶并减薄所述第一厚度光刻胶，形成对应有源层中待形成沟道区的区域处的第二光刻胶图案；
[0011]在所述有源层和所述第二光刻胶图案之上形成源漏电极薄膜；
[0012]在所述源漏电极薄膜上形成第三光刻胶图案；
[0013]以所述第三光刻胶图案为掩模对所述源漏电极薄膜进行刻蚀，形成源极和漏极，露出所述第二光刻胶图案；以及
[0014]将所述第二光刻胶图案和所述第三光刻胶图案剥离。
[0015]例如，在本发明一实施例提供的薄膜晶体管的制备方法中，所述第三光刻胶图案中覆盖源漏电极薄膜中待形成源极处的光刻胶及覆盖源漏电极薄膜中待形成漏极处的光刻胶之间的距离小于或等于对应位置处第二光刻胶图案的宽度。
[0016]例如，在本发明一实施例提供的薄膜晶体管的制备方法中，形成第一光刻胶图案包括:在所述有源层薄膜上形成光刻胶薄膜，采用多色调掩模板对所述光刻胶薄膜进行曝光和显影，形成第一光刻胶图案，所述第一光刻胶图案包括光刻胶完全保留区域和光刻胶半保留区域，其中，所述光刻胶完全保留区域对应有源层薄膜中待形成有源层沟道区的区域，所述光刻胶半保留区域对应待形成有源层中除了沟道区之外的其余区域。
[0017]例如，在本发明一实施例提供的薄膜晶体管的制备方法中，所述多色调掩模板包括半色调掩模板和灰色调掩模板。
[0018]例如，在本发明一实施例提供的薄膜晶体管的制备方法中，所述有源层材质包括氧化物半导体。
[0019]例如，在本发明一实施例提供的薄膜晶体管的制备方法中，还包括形成栅极绝缘层的步骤，其中，所述栅极绝缘层位于所述栅极之上，所述栅极和所述栅极绝缘层在形成所述有源层薄膜之前形成。
[0020]本发明至少一实施例还提供一种阵列基板的制备方法，包括上述任一项所述的薄膜晶体管的制备方法。
[0021]例如，在本发明一实施例提供的阵列基板的制备方法，还包括形成栅线和数据线的步骤，所述薄膜晶体管包括栅极，其中，所述栅线与所述薄膜晶体管的栅极电连接，所述数据线与所述薄膜晶体管的源极电连接。
[0022]例如，在本发明一实施例提供的阵列基板的制备方法，还包括形成像素电极的步骤，所述像素电极与所述薄膜晶体管的漏极电连接。
[0023]例如，在本发明一实施例提供的阵列基板的制备方法，还包括形成公共电极的步骤。
[0024]本发明至少一实施例还提供一种阵列基板，采用上述任一方法制成。
[0025]本发明至少一实施例还提供一种显示装置，包括上述的阵列基板。
[0026]例如，在本发明一实施例提供的显示装置中，所述显示装置包括液晶显示装置和有机电致发光二极管显示装置。
【附图说明】
[0027]为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本发明的一些实施例，而非对本发明的限制。
[0028]图1-9为本发明一实施例提供的一种薄膜晶体管的制备工艺流程图；
[0029]图10-11为本发明一实施例提供的一种阵列基板的制备工艺流程图；
[0030]图12为本发明一实施例提供的一种阵列基板的俯视示意图；
[0031]图13为本发明一实施例提供的一种阵列基板示意图；
[0032]图14为本发明一实施例提供的另一种阵列基板示意图。
[0033]附图标记:
[0034]101-衬底基板；102_栅极；103_栅极绝缘层；1040_有源层薄膜；104_有源层；1050-源漏电极薄膜；105-源极；106-漏极；107-有源层沟道区；108-钝化层；109-像素电极;110-过孔;1110_光刻胶薄膜；111-第一光刻胶图案；1111-第一厚度光刻胶；1112-第二厚度光刻胶；112_第二光刻胶图案；113_第三光刻胶图案；115_薄膜晶体管；116_绝缘层；117-公共电极；121-栅线；122-数据线。
【具体实施方式】
[0035]为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0036]除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
[0037]在本发明的实施例中，构图或构图工艺可只包括光刻工艺，或包括光刻工艺以及刻蚀步骤，或者可以包括打印、喷墨等其他用于形成预定图形的工艺。光刻工艺是指包括成膜、曝光、显影等工艺过程，利用光刻胶、掩模板、曝光机等形成图形。可根据本发明的实施例中所形成的结构选择相应的构图工艺。
[0038]在本发明的实施例中，薄膜晶体管的制备方法包括形成薄膜晶体管的有源层、源极和漏极的步骤，其中，源极和漏极分设在有源层的两侧，并且源极和漏极之间具有间隔以界定沟道区；形成薄膜晶体管的有源层、源极和漏极的步骤包括:形成有源层薄膜(有源层薄膜形成在衬底基板上)；在有源层薄膜上形成第一光刻胶图案，第一光刻胶图案覆盖有源层薄膜中待形成有源层的区域，第一光刻胶图案包括两种不同厚度的光刻胶:第一厚度光刻胶和第二厚度光刻胶，第一厚度光刻胶的厚度大于第二厚度光刻胶的厚度，第一厚度光刻胶对应有源层薄膜中待形成沟道区的区域；以第一光刻胶图案为掩模对有源层薄膜进行刻蚀，形成有源层；将第一光刻胶图案进行灰化，并减薄第一厚度光刻胶，形成对应有源层中待形成沟道区的区域处的第二光刻胶图案；在有源层和第二光刻胶图案之上形成源漏电极薄膜；在源漏电极薄膜上形成第三光刻胶图案；以第三光刻胶图案为掩模对源漏电极薄膜进行刻蚀，形成源极和漏极，露出第二光刻胶图案；以及将第二光刻胶图案和第三光刻胶图案剥离。