薄膜晶体管阵列基板的制备方法
【技术领域】
[0001]本发明显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管阵列基板的制备方法。
【背景技术】
[0002]薄膜晶体管(TFT，Thin Film Transistor)阵列面板是液晶显示装置的重要部件，薄膜晶体管通常作为开关或驱动部件。低温多晶硅薄膜晶体管因其具有画面刷新速度快、亮度高和清晰度高等优点而倍受关注。低温多晶硅薄膜晶体管通常包括形成于基板上的缓冲层、多晶硅层、形成于多晶硅层上的栅极绝缘层、设置于栅极绝缘层上的栅极，以及源极和漏极。在多晶硅层上、且在源极和漏极之间形成一沟道，通常对所述沟道所对应的多晶硅层的部位进行掺杂，以调整薄膜晶体管的阈值电压，另外，还需要对源极和漏极下方对应的多晶硅的部位进行重掺杂，形成欧姆接触层。在现有的低温多晶硅技术中，上述两个掺杂过程通常需要两道光罩来完成，具体是:在所形成的多晶硅层上先涂布第一正性光阻，使用第一道光罩对所述第一正性光阻进行曝光，使正对沟道的所述第一正性光阻分解，通过显影，洗去正对所述沟道的所述第一正性光阻，露出所述沟道所对应的多晶硅层的部位，进而对所述沟道进行掺杂；然后，再在所述多晶硅层上涂布第二正性光阻，使用第二道光罩对所述第二正性光阻进行曝光、显影，露出源极和漏极下方所对应的多晶硅层的部位，并对其进行重掺杂，从而形成欧姆接触层。这一制程中，只用正性光阻，共需要两道光罩，制程繁琐，光罩的制作成本极高，且两道光罩比一道光罩更容易引入误差。
【发明内容】
[0003]本发明所要解决的技术问题在于，提供一种薄膜晶体管阵列基板的制备方法，所述制备方法可以减少低温多晶硅薄膜晶体管制程中使用的光罩数目，降低成本的同时减少制程的误差。
[0004]为了解决上述技术问题，本发明采用以下技术方案:
[0005]本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板的制备方法，包括以下步骤:
[0006]提供一基板；
[0007]在所述基板上沉积半导体层；
[0008]在所述半导体层上生成栅极绝缘层；
[0009]在所述栅极绝缘层上涂布第一光阻，通过一光罩对所述第一光阻进行曝光，并显影，以去除一部分所述第一光阻，露出部分所述栅极绝缘层；
[0010]对所露出的所述栅极绝缘层所对应的半导体层进行掺杂，形成薄膜晶体管的沟道区，再去掉其余的所述第一光阻；
[0011]在所述栅极绝缘层上涂布第二光阻，采用所述光罩对所述第二光阻进行曝光，并显影，只保留所述沟道区所对应的所述第二光阻；
[0012]对所述半导体层进行重掺杂，形成欧姆接触区，所述欧姆接触区包括第一接触区和第二接触区，所述沟道区位于所述第一接触区和所述第二接触区之间；
[0013]在所述栅极绝缘层上形成栅极；
[0014]在所述欧姆接触区上形成源极和漏极，所述源极和所述漏极分别位于所述第一接触区和所述第二接触区。
[0015]所述第一光阻和所述第二光阻的正负性相反。
[0016]其中，所述第一光阻为负性光阻，所述第二光阻为正性光阻，所述光罩对应于所述沟道区以外的部位为透光区，曝光时紫外光透过所述透光区。
[0017]其中，所述第一光阻为正性光阻，所述第二光阻为负性光阻，所述光罩对应于所述沟道区的部位为透光区，曝光时紫外光透过所述透光区。
[0018]其中，所述半导体层为多晶硅层、锗层或砷化镓层。
[0019]其中，在所述步骤“提供一基板”和所述步骤“在所述基板上沉积半导体层”之间还包括以下步骤:
[0020]在所述基板上沉积一缓冲层。
[0021 ] 其中，所述栅极绝缘层的材质为硅的氮化物、硅的氧化物或者硅的氮氧化物。
[0022]其中，所述步骤“在所述栅极绝缘层上形成栅极”包括以下步骤:
[0023]采用物理气相沉积法在所述栅极绝缘层上沉积一金属层；
[0024]采用覆膜、曝光、显影、蚀刻等制程处理所述金属层，形成所述栅极。
[0025]其中，所述栅极的材质为铝、钨、硅化钨、钕、铬、钼、银和铜之中的至少一种。
[0026]其中，所述步骤“在所述欧姆接触区上形成源极和漏极，所述源极和所述漏极分别位于所述第一接触区和所述第二接触区”包括以下步骤:
[0027]对所述栅极绝缘层进行图形化处理，使需要形成所述源极和所述漏极的区域镂空而露出所述欧姆接触区；
[0028]在所述栅极绝缘层和所露出的所述欧姆接触区上沉积一源漏极金属层；
[0029]形成所述源极和所述漏极。
[0030]其中，在所述步骤“在所述欧姆接触区上形成源极和漏极，所述源极和所述漏极分别位于所述第一接触区和所述第二接触区”之后还包括以下步骤:
[0031]在形成所述源极和所述漏极的基板上形成一连续的钝化层；
[0032]在所述钝化层上形成过孔；
[0033]在形成所述过孔的所述钝化层上形成像素电极，所述像素电极通过所述过孔与所述源极连接。
[0034]与现有技术相比，本发明至少具有以下有益效果:本发明的薄膜晶体管阵列基板的制备方法中，在对沟道区和欧姆接触区进行掺杂时，分别使用正负性相反的第一光阻和第二光阻，从而实现采用同一道光罩进行曝光。光罩的制作成本极高，本发明采用一道光罩，与现有技术采用两道光罩相比，极大程度降低了成本；同时，由于只采用一道光罩，两次对位相同，因而减小了制程的误差。
【附图说明】
[0035]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0036]图1是本发明实施例中薄膜晶体管阵列基板的制备方法的流程图；
[0037]图2是本发明实施例中沉积半导体层时薄膜晶体管阵列基板的示意图；
[0038]图3是本发明实施例中生成图形化半导体层和栅极绝缘层时薄膜晶体管阵列基板的不意图；
[0039]图4至图6是本发明实施例中对沟道区进行掺杂的过程示意图；
[0040]图7至图9是本发明实施例中对欧姆接触区进行掺杂的过程示意图；
[0041]图10是本发明实施例中形成栅极时薄膜晶体管阵列基板的示意图；
[0042]图11和图12是本发明实施例中形成源极和漏极的过程示意图；
[0043]图13是本发明实施例中形成钝化层时薄膜晶体管阵列基板的示意图；
[0044]图14是本发明实施例中形成过孔时薄膜晶体管阵列基板的示意图；
[0045]图15是本发明实施例中形成像素电极和数据线时薄膜晶体管阵列基板的示意图。
【具体实施方式】
[0046]下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0047]此外，以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以