触区22后，将保留在所述沟道区21上的所述正性光阻221去掉。
[0076]对应于步骤S8，请参阅图10，图10是本发明实施例中形成栅极时薄膜晶体管阵列基板的不意图。
[0077]S8，在所述栅极绝缘层30上形成栅极40 ；
[0078]在本实施例中，米用物理气相沉积法在基板上沉积一金属层；米用覆膜、曝光、显影、蚀刻等制程处理所述金属层，形成所述栅极40。
[0079]所述栅极40的材质为铝、钨、硅化钨、钕、铬、钼、银和铜之中的至少一种。
[0080]对应于步骤9，请参阅图11和图12，图11和图12是本发明实施例中形成源极和漏极的过程示意图；
[0081]S9，在所述欧姆接触区22上形成源极51和漏极52，所述源极51和所述漏极52分别位于所述欧姆接触区22的第一接触区和第二接触区，包括如下步骤:
[0082]对栅极绝缘层30进行图形化处理，使需要形成所述源极51和所述漏极52的区域镂空而露出欧姆接触区22 ;
[0083]在所述栅极绝缘层30和所露出的所述欧姆接触区22上沉积一源漏极金属层，通过构图工艺将多余的源漏极金属去掉，形成所述源极51和所述漏极52。
[0084]请参阅图13、图14和图15，在本发明的一个实施例中，在所述步骤S9之后还包括以下步骤:
[0085]在形成所述源极51和所述漏极52的基板20上形成一连续的钝化层70 ;
[0086]在所述钝化层70通过构图工艺上形成过孔71 ;
[0087]在形成所述过孔71的所述钝化层70上形成像素电极90和数据线80，所述像素电极90通过过孔71与所述源极51电性相连，所述数据线80通过过孔71与所述漏极电性相连。
[0088]在本实施例中，在对沟道区和欧姆接触区进行掺杂时，分别使用负性光阻和正性光阻，从而实现采用同一道光罩进行曝光，所述光罩的透光区对应于所述欧姆接触区的位置，当使用负性光阻时，所述透光区对应的所述负性光阻发生交联反应，在显影时不会被洗掉，从而遮挡欧姆接触区，而对所述沟道区进行掺杂；当使用正性光阻时，所述光罩的所述透光区对应的所述正性光阻发生分解，在显影时被洗掉，从而露出所述欧姆接触区，此时对所述欧姆接触区进行掺杂。光罩的制作成本极高，本发明采用一道光罩，与现有技术采用两道光罩相比，极大程度降低了成本；同时，由于只采用一道光罩，两次对位相同，只是最终留下用于遮挡的光阻不同，因而减小了制程的误差。
[0089]在本发明的另一个实施例中，薄膜晶体管阵列基板的制备方法与上述实施例所述的制备方法基本相同，区别之处在于:所述第一光阻为正性光阻，所述第二光阻为负性光阻，所述光罩对应于所述沟道区的部位为透光区，曝光时紫外光透过所述透光区。
[0090]在本发明的薄膜晶体管阵列基板的制备方法中，在对沟道区和欧姆接触区进行掺杂时，分别使用正负性相反的第一光阻和第二光阻，从而实现采用同一道光罩进行曝光，降低成本的同时减少制程的误差。
[0091]以上所述的实施方式，并不构成对该技术方案保护范围的限定。任何在上述实施方式的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等，均应包含在该技术方案的保护范围之内。
【主权项】
1.一种薄膜晶体管阵列基板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤: 提供一基板； 在所述基板上沉积半导体层； 在所述半导体层上生成栅极绝缘层； 在所述栅极绝缘层上涂布第一光阻，通过一光罩对所述第一光阻进行曝光，并显影，以去除一部分所述第一光阻，露出部分所述栅极绝缘层； 对所露出的所述栅极绝缘层所对应的半导体层进行掺杂，形成薄膜晶体管的沟道区，再去掉其余的所述第一光阻； 在所述栅极绝缘层上涂布第二光阻，采用所述光罩对所述第二光阻进行曝光，并显影，只保留所述沟道区所对应的所述第二光阻，所述第二光阻的正负性和所述第一光阻的正负性相反； 对所述半导体层进行重掺杂，形成欧姆接触区，所述欧姆接触区包括第一接触区和第二接触区，所述沟道区位于所述第一接触区和所述第二接触区之间； 在所述栅极绝缘层上形成栅极； 在所述欧姆接触区上形成源极和漏极，所述源极和所述漏极分别位于所述第一接触区和所述第二接触区。2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一光阻为负性光阻，所述第二光阻为正性光阻，所述光罩对应于所述沟道区以外的部位为透光区，曝光时紫外光透过所述透光区。3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一光阻为正性光阻，所述第二光阻为负性光阻，所述光罩对应于所述沟道区的部位为透光区，曝光时紫外光透过所述透光区。4.如权利要求1至3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述半导体层为多晶硅层、锗层或砷化镓层。5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤“提供一基板”和所述步骤“在所述基板上沉积半导体层”之间还包括以下步骤: 在所述基板上沉积一缓冲层。6.如权利要求1至3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述栅极绝缘层的材质为硅的氮化物、硅的氧化物或者硅的氮氧化物。7.如权利要求1至3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述步骤“在所述栅极绝缘层上形成栅极”包括以下步骤: 采用物理气相沉积法在所述栅极绝缘层上沉积一金属层； 采用覆膜、曝光、显影、蚀刻等制程处理所述金属层，形成所述栅极。8.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述栅极的材质为铝、钨、硅化钨、钕、铬、钼、银和铜之中的至少一种。9.如权利要求1至3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述步骤“在所述欧姆接触区上形成源极和漏极，所述源极和所述漏极分别位于所述第一接触区和所述第二接触区”包括以下步骤: 对所述栅极绝缘层进行图形化处理，使需要形成所述源极和所述漏极的区域镂空而露出所述欧姆接触区； 在所述栅极绝缘层和所露出的所述欧姆接触区上沉积一源漏极金属层； 形成所述源极和所述漏极。10.如权利要求1至3任一项所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤“在所述欧姆接触区上形成源极和漏极，所述源极和所述漏极分别位于所述第一接触区和所述第二接触区”之后还包括以下步骤: 在形成所述源极和所述漏极的基板上形成一连续的钝化层； 在所述钝化层上形成过孔； 在形成所述过孔的所述钝化层上形成像素电极，所述像素电极通过所述过孔与所述源极连接。
【专利摘要】本发明公开一种薄膜晶体管阵列基板的制备方法，包括步骤：在栅极绝缘层上涂布第一光阻，通过一光罩对所述第一光阻进行曝光，并显影，以去除一部分所述第一光阻，露出部分所述栅极绝缘层；对所露出的所述栅极绝缘层所对应的半导体层进行掺杂，形成薄膜晶体管的沟道区；在所述栅极绝缘层上涂布第二光阻，采用所述光罩对所述第二光阻进行曝光，并显影，只保留所述沟道区所对应的所述第二光阻，所述第二光阻和所述第一光阻的正负性相反；对所述半导体层进行重掺杂，形成欧姆接触区。所述薄膜晶体管阵列基板的制备方法可以减少低温多晶硅薄膜晶体管制程中使用的光罩数目，降低成本的同时减少制程的误差。
【IPC分类】H01L21/77
【公开号】CN105185743
【申请号】CN201510647810
【发明人】陈归, 陈彩琴
【申请人】武汉华星光电技术有限公司
【公开日】2015年12月23日
【申请日】2015年10月9日