板201和柔性基板202,柔性基板202可为例如塑料的柔性材料，优选为 聚酰亚胺基板。
[0060] 在柔性基板202上形成缓冲层203,缓冲层203主要用于隔离水分和空气，还能优 化基板表面粗糙度，且通过控制其沉积条件，可对器件的应力进行优化。缓冲层203可为本 领域常用的缓冲层材料，包括但不限于氮化硅层、氧化硅层、氮氧化硅层等。
[0061] 在缓冲层203上形成栅极205,栅极205包括至少一种从包括铝、钇、锌、铪、钽、钛、 铬和其合金的组中选择的材料，该合金可以是MoW、AINd、AlCu、AuTi和AuCr之一。
[0062] 在栅极205上形成栅极绝缘层204,栅极绝缘层204为无机绝缘层，包括但不限于 氧化硅、氮化硅和氮氧化硅。
[0063] 在栅极绝缘层204上形成有源半导体层207,有源半导体层207位于栅极绝缘层 204和随后形成的有机导电层301之间，其可为IGZ0层，但不限于此。
[0064] 在有源半导体层207上形成刻蚀阻挡层206,以保护随后形成的源/漏电极209免 受从外部或衬底引入的湿气的影响。刻蚀阻挡层206可为本领域常用的阻挡层材料，包括 但不限于氧化硅和氮化硅。
[0065] 在刻蚀阻挡层206上形成有机导电层301，有机导电层301为高分子导电层或纳米 银丝胶材，厚度为2000A~20000A,例如为5000A。
[0066] 在有机导电层301上形成源/漏电极209,源/漏电极209可由金属形成，包括但 不限于铬、钛、铜、铝、钥、钨、镍和钼等。源/漏电极209的形状可与有机导电层301相同， 且通过接触孔与有源半导体层207相连通。
[0067] 在刻蚀阻挡层206上形成钝化层208,钝化层208可包覆源/漏电极209,用于保 护源/漏电极209,其可为本领域常用的钝化层材料，包括但不限于氧化硅和氮化硅。
[0068] 在钝化层208上形成有机平坦层210,有机平坦层210可通过如旋转涂布法形成， 有机平坦层210的材料为例如光致抗蚀剂材料或旋涂玻璃。
[0069] 在有机平坦层210上形成像素定义层211，像素定义层211的材料例如为氧化硅、 氮化硅、氧化氮硅、有机非导电聚合物或其组合，且可通过如物理气相沉积法、化学气相沉 积法及旋转涂布的制造方法所形成。
[0070] 在有机平坦层210上形成反射层212,且通过接触孔与源/漏电极209相连通，像 素定义层211部分地覆盖反射层212。反射层212 -般为ΙΤ0/金属/ΙΤ0的结构，其中的金 属可采用高反射金属，例如为Ag。
[0071] 本发明还提供制造上述柔性薄膜晶体管的方法，包括以下步骤：
[0072] 提供一柔性基板；在柔性基板上形成栅极；在栅极上形成无机绝缘层；在无机绝 缘层上形成有机导电层；以及在有机导电层上形成源/漏电极。
[0073] 根据本发明的方法，在形成所述无机绝缘层的步骤后，还包括在无机绝缘层上形 成有源半导体层。
[0074] 根据本发明的方法，利用一第一掩膜来形成有机导电层，利用一第二掩膜来形成 源/漏电极，第一掩膜和第二掩膜具有相同的图案，使得所形成的源/漏电极与有机导电层 的形状相同，以使有机导电层更好地保护源/漏电极。
[0075] 综上所述，本发明的柔性薄膜晶体管可增强无机绝缘层的保护能力，有机导电层 可有效起到缓冲的效应，避免栅极与源/漏电极间出现不正常导通，改善短路问题，从而提 高柔性薄膜晶体管的稳定性。
[0076] 本领域技术人员应当注意的是，本发明所描述的实施方式仅仅是示范性的，可在 本发明的范围内作出各种其他替换、改变和改进。因而，本发明不限于上述实施方式，而仅 由权利要求限定。
【主权项】
1. 一种柔性薄膜晶体管，其特征在于，该柔性薄膜晶体管包括： 柔性基板； 栅极，设置于所述柔性基板之上； 无机绝缘层，设置于所述栅极之上； 有机导电层，设置于所述无机绝缘层之上；以及 源/漏电极，设置于所述有机导电层之上。2. 根据权利要求1的柔性薄膜晶体管，其中所述栅极包括至少一种从包括铝、钇、锌、 铪、钽、钛、铬和其合金的组中选择的材料。3. 根据权利要求1的柔性薄膜晶体管，其中所述无机绝缘层包括至少一种从包括氧化 石圭层、氮化娃层和氮氧化娃层的组中选择的材料。4. 根据权利要求1的柔性薄膜晶体管，其中所述有机导电层为高分子导电层或纳米银 丝胶材。5. 根据权利要求4的柔性薄膜晶体管，其中所述有机导电层的厚度为 2麵A~20Q00A。6. 根据权利要求1至5中任一项的柔性薄膜晶体管，其中所述柔性薄膜晶体管还包括 有源半导体层，所述有源半导体层设置于所述无机绝缘层与所述有机导电层之间。7. -种柔性薄膜晶体管的制造方法，包括以下步骤： 提供一柔性基板； 在所述柔性基板上形成栅极； 在所述栅极上形成无机绝缘层； 在所述无机绝缘层上形成有机导电层；以及 在所述有机导电层上形成源/漏电极。8. 根据权利要求7所述的制造方法，在形成所述无机绝缘层的步骤后，还包括在所述 无机绝缘层上形成有源半导体层。9. 根据权利要求8所述的制造方法，其中利用一第一掩膜来形成所述有机导电层，利 用一第二掩膜来形成所述源/漏电极，所述第一掩膜与所述第二掩膜具有相同的图案。10. -种柔性薄膜晶体管，其特征在于，该柔性薄膜晶体管包括 柔性基板； 缓冲层，设置于所述柔性基板之上； 栅极，设置于所述缓冲层之上； 无机绝缘层，设置于所述栅极之上； 有源半导体层，设置于所述无机绝缘层之上； 刻蚀阻挡层，设置于所述有源半导体层之上； 有机导电层，设置于所述刻蚀阻挡层之上； 源/漏电极，设置于所述有机导电层之上； 钝化层，设置于所述刻蚀阻挡层之上并包覆所述源/漏电极； 有机平坦层，设置于所述钝化层之上； 反射层，设置于所述有机平坦层之上并通过一接触孔与所述源/漏电极连接；以及 像素定义层，设置于所述有机平坦层之上并部分覆盖所述反射层。11. 根据权利要求10的柔性薄膜晶体管，其中所述栅极包括至少一种从包括铝、钇、 锌、铪、钽、钛、铬和其合金的组中选择的材料。12. 根据权利要求10的柔性薄膜晶体管，其中所述无机绝缘层包括至少一种从包括氧 化硅层、氮化硅层和氮氧化硅层的组中选择的材料。13. 根据权利要求10的柔性薄膜晶体管，其中所述有机导电层为高分子导电层或纳米 银丝胶材。14. 根据权利要求13的柔性薄膜晶体管，其中所述有机导电层的厚度为 2000A~20000人。15. 根据权利要求10至14中任一项的柔性薄膜晶体管，其中所述源/漏电极和所述有 机导电层的形状相同。
【专利摘要】本发明提供一种柔性薄膜晶体管及其制造方法，该柔性薄膜晶体管包括：柔性基板；栅极，设置于所述柔性基板之上；无机绝缘层，设置于所述栅极之上；有机导电层，设置于所述无机绝缘层之上；以及源/漏电极，设置于所述有机导电层之上。本发明的柔性薄膜晶体管可增强无机绝缘层的保护能力，有机导电层可有效起到缓冲的效应，避免栅极与源/漏电极间出现不正常导通，改善短路问题，从而提高柔性薄膜晶体管的稳定性。
【IPC分类】H01L21/336, H01L29/786
【公开号】CN105304719
【申请号】CN201410345617
【发明人】陈郁仁
【申请人】上海和辉光电有限公司
【公开日】2016年2月3日
【申请日】2014年7月18日