被用来将像素电极211形成为透射电极。TC0的示例可以包括氧化铟锡(ΙΤ0)、氧化铟锌(ΙΖ0)、氧化锌(ZnO)和/或氧化铟(Ιη203)。
[0081]诸如镁(Mg)、银(Ag)、金(Au)、钙(Ca)、锂(Li)、络(Cr)、铝(A1)和/ 或铜(Cu)的金属和/或它们的合金可以用于形成透反射电极和/或反射电极。在这种情况下，透反射电极和反射电极可以具有不同的厚度。例如，透反射电极可以具有大约200nm或更小的厚度，反射电极可以具有大约300nm或更大的厚度。随着透反射电极的厚度减小，透光率和电阻皆会增大。相反，随着透反射电极的厚度增大，透光率会减小。
[0082]透反射电极和/或反射电极可以具有包括由金属或其合金制成的金属层和层叠在金属层上的透明导电氧化物层的多层结构。
[0083]根据包括在像素电极211和共电极213中的材料的种类，可以将0LED显示器100分为三种类型或种类:顶发射类型或种类、底发射类型或种类和双侧发射类型或种类。根据第一实施例，0LED显示器100是顶发射装置。例如，0LED 210可以沿着共电极213的方向发光以显示图像。为了提高顶发射0LED显示器100的发光效率，像素电极211可以是反射电极。反射电极的示例可以包括具有由ΙΤ0制成的透明导电氧化物层层叠在包括银(Ag)或由银(Ag)制成的金属层上的结构的电极。反射电极还可以具有银(Ag)、ΙΤ0和银(Ag)顺序地层叠的三层结构。
[0084]与此同时，共电极结合部231可以设置在非显示区域102的平坦化层180上。共电极结合部231可以从平坦化层180的上部延伸到共电极线230，以使共电极线230具有扩大的接触面积。共电极结合部231可以具有与像素电极211的组成和构造相同或基本相同的组成和构造，并且还可以通过与像素电极211的工艺相同或基本相同的工艺形成。
[0085]像素限定层(PDL) 190可以设置在平坦化层180上，并且可以具有暴露像素电极211的至少一部分的开口。像素电极211可以设置在由TOL 190限定的像素区域中。在这种情况下，共电极结合部231可以被TOL 190部分地覆盖，共电极结合部231的另一部分可以暴露。
[0086]PDL 190可以包括聚丙烯酸酯树脂和/或聚酰亚胺树脂等，或由聚丙烯酸酯树脂和/或聚酰亚胺树脂等制成。
[0087]发光层212可以在像素区域中设置在像素电极211上，共电极213可以设置在H)L190和发光层212上。共电极213可以与共电极结合部231接触(例如，直接接触)，因此，共电极213可以电结合到或电连接到共电极线230。
[0088]发光层212可以包括低分子量有机材料或高分子量有机材料。从空穴注入层(HIL)和空穴传输层(HTL)中选择的至少一种可以设置在像素电极211和发光层212之间，从电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中选择的至少一种可以设置在发光层212和共电极213之间。
[0089]共电极213可以被形成为透反射层。用作共电极213的透反射层可以包括含有镁(Mg)、银(Ag)、钙(Ca)、锂(Li)、络(Cr)、铝(A1)和/或铜(Cu)的至少一种金属，或者由其制成。共电极213可以具有多层结构，该多层结构包括含有镁(Mg)、银(Ag)、钙(Ca)、锂(Li)、铬(Cr)、铝(A1)和/或铜(Cu)中的至少一种的金属层和层叠在金属层上的透明导电氧化物(TC0)层的多层结构。
[0090]如上所述，0LED 210可以包括像素电极211、位于像素电极211上的发光层212和位于发光层212上的共电极213。这里，像素电极211可以用作可以是空穴注入电极的阳极，共电极213可以用作可以是电子注入电极的阴极。然而，本发明的实施例不限于此，因此，根据0LED显示器100的驱动方法，像素电极211可以是阴极，共电极213可以是阳极。
[0091]密封构件250可以设置在密封层225上，以覆盖驱动TFT 20和0LED210。包括玻璃或塑料或者由玻璃或塑料制成的透明绝缘基底可以用作密封构件250。
[0092]更详细地，密封构件250可以经过在基底110上设置在密封区域220中的密封层225面对基底110。
[0093]密封构件250可以通过密封区域220中的密封层225与基底110分隔开。密封层225可以包括例如密封剂和/或玻璃料(frit)，或者由例如密封剂和/或玻璃料制成。
[0094]虽然在上面参照图1至图3描述了第一实施例，但是本发明的实施例不限于此。
[0095]在一个实施例中，其中交替地层叠有机层和无机层的薄膜包封层可以设置在0LED210上。在这种情况下，可以省略密封构件250和密封层225。另外，从显示区域101延伸到非显示区域102的许多不同的导线可以绝缘地设置在密封层225和基底110之间，以提供信号和/或电力。
[0096]在下文中，将参照图4和图5描述根据第一实施例的显示装置的像素构造的另一示例。
[0097]详细地，图4是图1的部分“A”的局部放大图的另一示例，并示出包括在根据第一实施例的0LED显不器100中的像素的另一实施方式的布局。
[0098]图4示出三个像素。图5是图4中示出的像素之一的等效电路图。
[0099]图4中示出的每个像素可以包括驱动TFT T1、开关TFT T2、一个或更多个电容器C1和C2、扫描线SCAN [η]、数据线DATA [m]、第一电源线ELVDD、第二电源线ELVSS以及0LED。
[0100]像素还可以包括另外的扫描线SCAN[n-l]、发射控制线EM[n]、初始化电压线Vint以及包括补偿TFT T3的TFT T3、T4、T5和T6。通过初始化电压线Vint传输的初始化电压VIN可以将驱动TFT T1初始化。
[0101]开关TFT T2可以根据通过扫描线SCAN[n]传输的扫描信号进行开关操作。例如，开关TFT T2的栅电极可以结合到或连接到扫描线SCAN[n]。开关TFT T2的源电极可以结合到或连接到数据线DATA[m]。扫描线SCAN[n]和数据线DATA[m]可以沿着彼此相交(交叉)的各方向定位或设置。开关TFT T2的漏电极可以电结合或电连接到驱动TFT T1的源电极和第一电源线ELVDD。
[0102]驱动TFT T1可以根据开关TFT T2的开关操作来接收数据信号，以将驱动电流传输到0LED。
[0103]驱动TFT T1的栅电极可以结合或连接到第一电容器Cl的一个电极。第一电容器C1的另一电极可以结合或连接到第一电源线ELVDD。
[0104]第一电源线ELVDD可以与数据线DATA[m]平行或基本平行地定位或设置。驱动TFT T1的漏电极可以电结合或电连接到0LED的阳极211。第二电源线ELVSS可以结合或连接到0LED的阴极213。因此，0LED可以通过从驱动TFT T1接收驱动电流来发光。
[0105]0LED可以包括注入空穴的阳极211、注入电子的阴极213和位于阳极211与阴极213之间的发光层212。
[0106]在下文中，将参照图5更详细地描述图4中示出的像素的操作过程。
[0107]首先，在TFT T4根据通过扫描线SCAN[n-l]传输的扫描信号而处于ON(导通)状态期间，初始化电压VIN可以被供应到第一电容器C1的端部和驱动TFT T1的栅电极。
[0108]接着，开关TFT T2和补偿TFT T3可以根据通过扫描线SCAN[n]传输的扫描信号而导通。在开关TFT T2和补偿TFT T3处于ON状态期间，通过数据线DATA[m]传输的数据电压可以被传输到驱动TFT T1的源电极，并且驱动TFT T1可以为二极管连接或二极管结入口 ο
[0109]然后，由数据电压减去驱动TFT T1的阈值电压而得到的电压可以施加到驱动TFTT1的栅电极和源电极。
[0110]接着，TFT T5和T6可以通过经由发射控制线EM[n]传输的发射控制信号而导通，并且驱动TFT T1的栅电极的电压可以通过经由扫描线SCAN[n]传输的扫描信号的增强而升尚ο
[0111]在两个TFT T5和T6处于0N状态期间，第一电源线ELVDD的电压可以供应到驱动TFT T1的源电极，并且根据栅极-源极电压差的驱动电流可以流到驱动TFT Tlo驱动电流可以通过导通的TFT T6传输到0LED的阳极。
[0112]在下文中，将参照图6A至图6D更详细地描述共电极线230的构造。
[0113]图6A至图6D是示出根据本发明的第一实施例至第四实施例的显示装置的共电极线的局部平面图。
[0114]共电极线230可以包括