机材料可以暂时积聚在共电极线230的凸起236上，并且在此之后，其可以与积聚在相邻的凸起236上的光敏有机材料结合，结合后的光敏有机材料可以分散到相邻的密封区域220等中。因此，光敏有机材料不会积聚在单个地方或位置，从而形成均匀或基本均匀的有机层。
[0142]接着，如图8G所示，可以通过显影工艺形成具有开口 195的像素限定层(PDL) 190。roL 190可以是利用热固化或光固化形成的稳定的层。roL 190的形成在像素电极211上的开口 195可以与像素区域对应。另外，可以部分地暴露共电极结合部231。
[0143]接着，如图8H所示，可以在通过TOL 190的开口 195暴露的像素电极211上形成发光层212,可以在发光层212和TOL 190上形成共电极213。共电极213可以与共电极结合部231接触(例如，直接接触)。
[0144]在此之后，可以在共电极213上形成密封构件250,从而可以制造如图3中所示的0LED显示器100。
[0145]在下文中，将参照图9A和图9B描述形成共电极线230的凸起236的特征。
[0146]图9A是示出位于层间绝缘层160上的共电极线230的剖视图。与数据布线一起形成的共电极线230可以具有如图9A示出的正锥形截面。
[0147]共电极线230可以包括金属或由金属制成，平坦化层180可以仅形成在共电极线230的一个端部(例如，左侧)上(如图9B所示)。同时，可以在形成共电极线230之后在形成平坦化层180的工艺中执行显影，并可以在平坦化层180上形成像素电极211和共电极结合部231的工艺中执行显影和蚀刻。在反复执行显影和蚀刻时，有可能损坏共电极线230的暴露的端部(例如，右侧)。因此，共电极线230的暴露的端部可以具有如图9B所示的倒锥形形状239。
[0148]与此同时，为了形成H)L 190,可以将光敏有机材料涂敷到像素电极211和共电极线230。在这种情况下，光敏有机材料不应该积聚在具体的区域中，而应该流动以将TOL190形成为平滑并具有均匀或基本均匀的厚度。如图10所示，在利用一块母玻璃制造多个显示装置的工艺的实施例中，被涂敷到整个或基本整个母玻璃11的光敏有机材料应该在母玻璃11上均匀或基本均匀地流动。
[0149]在共电极线230的端部具有如图9A所示的正锥形形状的情况下，光敏有机材料可以容易地从共电极线230的端部的斜面流下。然而，当共电极线230的端部如图9B中所示具有倒锥形形状239并因此被损坏时，光敏有机材料不会容易地流下共电极线230的被损坏的端部而会积聚在共电极线230的端部处。因此，会在用于像素限定层的有机材料层中发生台阶(例如，缺陷)。
[0150]图11是示出对像素限定层的光敏有机材料的实施例进行涂敷的剖视图。如图11所示，当从喷嘴910供应的光敏有机材料没有容易地流下共电极线230的端部时，光敏有机材料会积聚在共电极线230的端部处，并且积聚的光敏有机材料会如箭头所示地朝着显示区域101逆向流动。如上所述，当光敏有机材料积聚在共电极线230的端部处时，光敏有机材料的应该合适地或期望地为hi的高度会变为h2或h3。直到光敏有机材料的高度变为h2或h3，积聚在共电极线230的端部处的光敏有机材料才会流向相邻的区域，这样，在用于像素限定层的有机材料层中会发生台阶(例如，缺陷)。因此，像素限定层会无法被形成为具有均匀或基本均匀的层厚度。因此，0LED显示器100的质量在发光方面会差。
[0151]根据本发明的一些实施例，当共电极线230的端部包括凸起236时，积聚在一个凸起236上的光敏有机材料可以与积聚在相邻的凸起236上的光敏有机材料结合，结合后的光敏有机材料可以容易地流动，因此，结合后的光敏有机材料可以在共电极线230的端部处积聚成具有合适的高度。因此，可以得到平滑且具有均匀或基本均匀的厚度的像素限定层。
[0152]根据前述，将领会的是，已经为了举例说明的目的在此描述了本公开的各种实施例，在不脱离本公开的范围和精神的情况下，可以作出各种变型。因此，在此公开的各种实施例不意图限制，本发明意图覆盖包括在权利要求及其等同物的范围和精神内的各种变型和等同布置。
【主权项】
1.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括: 基底，包括显示区域和非显示区域；以及 共电极线，位于所述基底的所述非显示区域中， 其中，所述共电极线包括: 线单元；以及 多个凸起，沿着与所述显示区域相反的方向从所述线单元突出。2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述共电极线包括金属。3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述显示区域包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅电极、半导体层、源电极和漏电极，所述共电极线包括与所述源电极和所述漏电极的材料相同的材料。4.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述多个凸起以设定的距离彼此分隔开。5.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述多个凸起以不同的距离彼此分隔开。6.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述多个凸起中的每个凸起具有设定的长度，所述长度大于相邻的凸起之间的距离。7.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于，所述长度在2μπι至2000 μm的范围内。8.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述凸起具有多边形或半圆形的形状。9.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述显示区域包括显示元件，所述显示元件包括: 像素电极，位于所述基底上； 发光层，位于所述像素电极上；以及 共电极，位于所述发光层上， 其中，所述共电极结合到所述共电极线。10.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置还包括结合到所述共电极线的共电极结合部。11.根据权利要求10所述的显示装置，其特征在于，所述共电极结合部包括与所述像素电极的材料相同的材料。12.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置还包括位于所述基底上以限定像素区域的像素限定层， 其中，所述像素电极和所述发光层位于所述像素区域中。13.—种制造显示装置的方法，其特征在于，所述方法包括: 在基底上形成显示区域和非显示区域；以及 在所述基底上的所述非显示区域中形成共电极线， 其中，所述共电极线包括: 线单元；以及 多个凸起，沿着与所述显示区域相反的方向从所述线单元突出。14.根据权利要求13所述的制造显示装置的方法，其特征在于，形成所述显示区域的步骤包括在所述基底上形成薄膜晶体管，形成所述薄膜晶体管的步骤包括: 形成半导体层； 形成与所述半导体层的至少一部分叠置的栅电极；以及 形成结合到所述半导体层的源电极和与所述源电极分隔开并结合到所述半导体层的漏电极， 其中，利用与形成所述共电极线的工艺相同的工艺来执行形成所述源电极和所述漏电极的步骤。15.根据权利要求13所述的制造显示装置的方法，其特征在于，形成所述显示区域的步骤包括形成一个或更多个显示元件， 其中，形成所述一个或更多个显示元件的步骤包括: 在所述基底上形成像素电极； 在所述像素电极上形成发光层；以及 在所述发光层上形成共电极， 其中，所述共电极结合到所述共电极线。16.根据权利要求15所述的制造显示装置的方法，其特征在于，形成所述像素电极的步骤还包括形成结合到所述共电极线的共电极结合部。17.根据权利要求16所述的制造显示装置的方法，其特征在于，所述制造显示装置的方法还包括在形成所述像素电极之后形成像素限定层。18.根据权利要求13所述的制造显示装置的方法，其特征在于，所述多个凸起以设定的距离彼此分隔开。19.根据权利要求13所述的制造显示装置的方法，其特征在于，所述多个凸起以不同的距离彼此分隔开。20.根据权利要求13所述的制造显示装置的方法，其特征在于，所述凸起具有多边形或半圆形的形状。21.根据权利要求13所述的制造显示装置的方法，其特征在于，所述多个凸起中的每个凸起具有设定的长度，所述长度大于相邻的凸起之间的距离。22.根据权利要求21所述的制造显示装置的方法，其特征在于，所述长度在2μ m至.2000 μ m的范围内。
【专利摘要】提供了显示装置和用于制造该显示装置的方法。该显示装置包括：基底，包括显示区域和非显示区域；以及共电极线，位于基底的非显示区域处。共电极线可以包括线单元和沿着与显示区域相反的方向从线单元突出的多个凸起。
【IPC分类】H01L27/32, H01L21/84
【公开号】CN105321981
【申请号】CN201510405309
【发明人】权昭罗, 高在庆
【申请人】三星显示有限公司
【公开日】2016年2月10日
【申请日】2015年7月10日
【公告号】US20160035274