发光单元的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明是有关于一种发光单元，且特别是有关于一种发光单元的制作方法。
【背景技术】
[0002]一般而言，由多个发光二极管芯片所组成的发光单元于线路基板上的串并联控制，是在线路基板进行线路布局设计时，依照电源所能提供的电压值及电流值通过串并联方式就已经规划完成。然而，发光二极管芯片的种类众多，意即每一发光二极管芯片所需的电压值与电流值皆不同，因此当发光单元配置于线路基板上时，除了不容易得到最好的发光效果外，也会因修改线路布局而影响线路基板的美观及成本考量。
[0003]举例来说，若线路基板的线路布局的初始设计为四串一并的电路设计，当进行转换效率测试需将初始设计修改成二串二并的电路设计时，由于线路布局完成之后是无法进行串并联修改，因此需通过跳线、断线或重新制作规划线路布局的方式，才能达到所需的串并联设计，此不仅增加制作成本，也增加制作时间。
【发明内容】
[0004]本发明提供一种发光单元的制作方法，其具有选择性地通过切割程序而形成不同串联、并联或串并联回路。
[0005]本发明的发光单元的制作方法，其包括以下步骤。提供半导体结构，其包括多个彼此分离的发光晶粒，其中每一发光晶粒包括发光兀件、第一电极以及第二电极，而第一电极与第二电极配置于发光元件的同一侧，且第一电极与第二电极之间具有间隔。形成封装胶体以包覆发光晶粒，其中封装胶体包覆每一发光晶粒的发光元件，而暴露出每一发光晶粒的第一电极与第二电极。形成图案化金属层于发光晶粒的第一电极与第二电极上，其中图案化金属层与发光晶粒的第一电极与第二电极直接接触，并由第一电极与第二电极延伸至封装胶体上。提供基板，其中封装胶体位于基板与发光晶粒的发光元件之间。进行切割程序，以切割半导体结构、图案化金属层、封装胶体以及基板，而至少定义出具有串联回路、并联回路或串并联回路的发光单元。
[0006]在本发明的一实施例中，上述的封装胶体内掺杂有突光材料，且突光材料包括黄色荧光粉、红色荧光粉、绿色荧光粉、蓝色荧光粉、钇铝石榴石荧光粉或上述材料的组合。
[0007]在本发明的一实施例中，上述的发光单元包括至少两个发光晶粒，一发光晶粒的第一电极通过图案化金属层而电性连接至另一发光晶粒的第二电极，而形成具有串联回路的发光单元。
[0008]在本发明的一实施例中，上述的发光单元包括至少两个发光晶粒，一发光晶粒的第一电极通过图案化金属层而电性连接至另一发光晶粒的第一电极，且一发光晶粒的第二电极通过图案化金属层而电性连接至另一发光晶粒的第二电极，而形成具有并联回路的发光单元。
[0009]在本发明的一实施例中，上述的发光单元包括至少四个发光晶粒，一发光晶粒的第一电极通过图案化金属层而电性连接至另一发光晶粒的第一电极，而一发光晶粒的第二电极与另一发光晶粒的第二电极通过图案化金属层而电性连接至又一发光晶粒的第一电极以及再一发光晶粒的第一电极，且又一发光晶粒的第二电极通过图案化金属层而电性连接至再一发光晶粒的第二电极，而形成具有串并联回路的发光单元。
[0010]在本发明的一实施例中，上述的图案化金属层的材质与每一发光晶粒的第一电极与第二电极的材质相同。
[0011]在本发明的一实施例中，上述的图案化金属层的材质与每一发光晶粒的第一电极与第二电极的材质不同。
[0012]在本发明的一实施例中，还包括:提供外部电路，配置于发光单元的下方，发光单元通过图案化金属层与外部电路电性连接。
[0013]在本发明的一实施例中，上述的外部电路包括承载板、配置于承载板上的第一外部接点与配置于承载板上的第二外部接点。发光单元通过图案化金属层分别和第一外部接点与第二外部接点电性连接。
[0014]在本发明的一实施例中，上述的外部电路包括承载板和对应图案化金属层且配置于承载板上的图案化线路层，发光单元通过图案化金属层与图案化线路层电性连接。
[0015]在本发明的一实施例中，上述的图案化金属层与图案化线路层共形地对应配置。
[0016]在本发明的一实施例中，还包括:提供散热件，配置于发光单元与外部电路之间。
[0017]在本发明的一实施例中，上述的基板的材质包括玻璃、陶瓷或蓝宝石。
[0018]基于上述，本发明是进行切割程序，以切割半导体结构、图案化金属层、封装胶体以及基板，而定义出具有串联回路、并联回路或串并联回路的发光单元。因此，使用者可依据使用需求而自行选择切割区域，而形成不同电路回路设计。故，本发明的发光单元的制作方法可让使用者具有较佳制作上的灵活度，且所形成的发光单元可具有多种不同态样的电路回路设计。
[0019]为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。
【附图说明】
[0020]图1至图5为本发明的一实施例的一种发光单元的制作方法的示意图；
[0021]图6为本发明的另一实施例的一种发光单元的剖面示意图；
[0022]图7A与图7B为本发明的又一实施例的一种发光单元的不同剖面的剖面示意图；
[0023]图8为本发明的另一实施例的一种发光单元的剖面示意图；
[0024]图9为本发明的又一实施例的一种发光单元的剖面示意图；
[0025]图10为本发明的再一实施例的一种发光单元的剖面示意图；
[0026]图11为本发明的更一实施例的一种发光单元的剖面示意图。
[0027]附图标记说明:
[0028]100a、100b、100c、100d、100e、100f、lOOg:发光单元；
[0029]110:半导体结构；
[0030]120、120a、120b、120c、120d、120e、120f、120g、120h、1201、120j、120k:发光晶粒；
[0031]122:发光元件；
[0032]124:第一电极；
[0033]126:第二电极；
[0034]130:封装胶体；
[0035]132:荧光材料；
[0036]140:图案化金属层；
[0037]150:基板；
[0038]160、160’:外部电路；
[0039]162:承载板；
[0040]164a:第一外部接点；
[0041]164b:第二外部接点；
[0042]166:散热件；
[0043]168:图案化线路层；
[0044]C、D、E:切割区域；
[0045]G:间隔。
【具体实施方式】
[0046]图1至图5为本发明的一实施例的一种发光单元的制作方法的示意图。为了方便说明起见，图1及图3为本发明的一实施例的一种半导体结构110的俯视示意图；图2为沿图1的线A-A的剖面示意图；图4为沿图3的线B-B的剖面示意图；图5为沿图3的切割区域C切割半导体结构110后沿线C’ -C’的剖面示意图。
[0047]请先同时参考图1及图2，依照本实施例的发光单元的制作方法，首先，提供半导体结构110，其包括多个彼此分离的发光晶粒120，其中每一发光晶粒120包括发光元件122、第一电极124以及第二电极126,而第一电极124与第二电极126配置于发光兀件122的同一侧，且第一电极124与第二电极126之间具有间隔G。此处,如图2所7K,本实施例的第一电极124与第二电极126实质上为共平面的设计，但并不以此为限。其中，每一发光晶粒120的发光元件122可包括基材(未示出)，以及依序配置于基材上的第一型半导体层(未示出)、发光层(未示出)以及第二型半导体层(未示出)，但并不以此为限。且每一发光晶粒120可为相同或不同光色，端视实际设计需求。第一电极124与第一型半导体层(未示出)直接接触且电性连接。第二电极126与第二型半导体层(未示出)直接接触且电性连接。
[0048]接着，请再参考图1与图2，形成封装胶体130以包覆发光晶粒120，其中封装胶体130包覆每一发光晶粒120的发光兀件122,而暴露出至少部分每一发光晶粒120的第一电极124与第二电极126。
[0049]接着，请参考图3，形成图案化金属层140于发光晶粒120的第一电极124与第二电极126上，其中图案化金属层140与发光晶粒120的第一电极124与第二电极126直接接触，并由第一电极124与第二电极126延伸至封装胶体130上。需说明的是，本实施例的图案化金属层140的材质可与每一发光晶粒120的第一电极124与第二电极126的材质可相同，其中图案化金属层140的材质与每一发光晶粒120的第一电极124与第二电极126的材质可例如是钼(Pt)、金(Au)、银(Ag)、镍(Ni)、钛(Ti)、铟(In)、锡(Sn)、铋(Bi)、上述材料的合金或上述材料的组合；或者是，图案化金属层140的材质与每一发光晶粒120的第一电极124与第二电极126的材质可不同，其中图案化金属层140的材质例如是钼、金、银、镍、钛、铟、锡、铋、上述材料的合金或上述材料的组合，而每一发光晶粒120的第一电极124与第二电极126的材质例如是钼、金、铟、锡、铋、上述材料的合金或上述材料的组合。
[0050]之后，请参考图4，提供基板150，其中封装胶体130位于基板150与发光晶粒120的发光元件122之间。此处，本实施例基板150的材质例如是玻璃、有机玻璃、陶瓷、蓝宝石或其他透光材质，其目的在于支撑半导体结构110，且有助于发光晶粒120的出光与导光效果。较佳的，基板150的材质是玻璃，易切割的特性可使处理更为简易。
[0051]最后，请同时参考图3与图5，进行切割程序，以切割半导体结构110、图案化金属层140、封装胶体130以及基板150，而至少定义出具有串联回路、并联回路或串并联回路的发光单元100a。详细来说，本实施例的切割程序是沿着图3中的切割区域C来进行切割，此时所形成的发光单元100a包括至少两个发光晶粒(图5中示意地示出四个发光晶粒，且为了方便说明起见，分别标示为120a、120b、120c、120d)。发光晶粒120a的第一电极124通过图案化金属层140而电性连接至发光晶粒120b的第二电极126 ;发光晶粒120b的第一电极