一种酸洗后二极管的清洗工艺的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及二极管领域，特别设及一种酸洗后二极管的清洗工艺。
【背景技术】
[0002] 清洗是二极管酸洗工序比较重要的部分之一，现有清洗工艺一般包括=次清洗工 艺和脱水工艺，中国专利号为201210174883. 9提出了一种二极管清洗工艺及其清洗设备， 其工艺包括超声波清洗、超声波精洗、超声波漂洗、超声波一次脱水和超声波二次脱水，该 清洗工艺是W纯水和异丙醇作为清洗脱水介质，当待清洗的二极管工件进入清洗槽内，待 清洗液浸没工件后，超声波和清洗介质共同作用，清洗剂溶解工件表面的脏物，超声波轰击 附在工件表面、缝隙、沟槽的脏物，加速脏物的溶解，达到既洁净和脱水的目的；但该工艺存 在W下缺点：当该清洗工艺，清洗过程中脏物还会有遗留，会影响产品的高溫性能。
[0003] 因此，研发一种能最大限度降低环境对电子器件造成污染且能提高产品的高溫性 能的酸洗后二极管的清洗工艺是非常有必要的。
【发明内容】
[0004] 本发明要解决的技术问题是提供一种能最大限度降低环境对电子器件造成污染 且能提高产品的高溫性能的酸洗后二极管的清洗工艺。
[0005] 为解决上述技术问题，本发明的技术方案为：一种酸洗后二极管的清洗工艺，其创 新点在于：包括如下步骤： (1) 超声波清洗：将待清洗的二极管放入到超声波清洗槽中，功率控制在1500~2000W 范围内，频率控制在30~36K监范围内，水流速度控制在15~1化/min范围内，采用电阻 大于12 Q'm,且溫度在20~40°C范围内的纯水进行超声波清洗100~150s ; (2) 超声波精洗：将经上述超声波清洗的二极管放入到超声波精洗槽中，功率控制在 1500~2000W范围内，频率控制在30~36KHZ范围内，水流速度控制在15~18L/min范围 内，采用电阻大于12 Q'm,且溫度在20~40°C范围内的纯水进行超声波精洗100~150s ; (3) 超声波漂洗：将经上述超声波精洗的二极管放入到超声波漂洗槽中，功率控制在 1500~2000W范围内，频率控制在30~36KHZ范围内，水流速度控制在15~18L/min范围 内，采用电阻大于12 Q'm,且溫度在20~40°C范围内的纯水进行超声波漂洗100~150s ; (4) 无水乙醇清洗：将经上述超声波漂洗的二极管放入到无水乙醇清洗槽中，功率控制 在1500~2500W范围内，频率控制在30~40KHZ范围内，流速度控制在16~18L/min范 围内，采用电阻大于12 Q'm,且溫度在20~40°C范围内的无水乙醇进行清洗60~120s ; (5) 无水乙醇漂洗：将经上述无水乙醇清洗的二极管放入到无水乙醇漂洗槽中，功率控 制在1500~2500W范围内，频率控制在30~40KHZ范围内，流速度控制在16~18L/min范 围内，采用电阻大于12 Q'm,且溫度在20~40°C范围内的无水乙醇进行漂洗60~120s ; (6) 超声波一次脱水：将经上述无水乙醇漂洗的二极管放入到IPA超声波一次脱洗槽 中，功率控制在1500~2000W范围内，频率控制在30~36KHZ范围内，水流速度控制在 15~18L/min范围内，采用电阻大于12 Q'm,且溫度在20~40°C范围内的异丙醇进行超声 波一次脱水100~150s ; (7)超声波二次脱水：将经超声波一次脱水的二极管放入到IPA超声波二次脱洗槽中， 功率控制在1500~2000W范围内，频率控制在30~36KHZ范围内，水流速度控制在15~ 1化/min范围内，采用电阻大于12 Q'm,且溫度在20~40°C范围内的异丙醇进行超声波二 次脱水100~150s。
[0006] 本发明的优点在于：本发明酸洗后二极管的清洗工艺，采用=道高纯水超声波清 洗，再经过两道无水乙醇清洗，清洗后用两道超声波脱水，使产品高溫性能大幅度提高；且 对纯水和乙醇加热，易于溶解忍片表面的污染物，同时整个工艺流程采用特定设备，能最大 限度降低环境对电子器件造成污染。
【具体实施方式】
[0007] 下面的实施例可W使本专业的技术人员更全面地理解本发明，但并不因此将本发 明限制在所述的实施例范围之中。 阳00引实施例1 本实施例酸洗后二极管的清洗工艺，包括如下步骤： (1) 超声波清洗：将待清洗的二极管放入到超声波清洗槽中，功率控制为1500W，频率 控制为36KHZ，水流速度控制在18L/min内，采用电阻大于12 Q ?m，且溫度在40°C的纯水进 行超声波清洗150s ; (2) 超声波精洗：将经上述超声波清洗的二极管放入到超声波精洗槽中，功率控制为 1500W，频率控制为36KHZ，水流速度控制在18L/min内，采用电阻大于12Q'm，且溫度在 40°C的纯水进行超声波精洗150s ; (3) 超声波漂洗：将经上述超声波精洗的二极管放入到超声波漂洗槽中，功率控制为 1500W，频率控制为36KHZ，水流速度控制在18L/min内，采用电阻大于12Q'm，且溫度在 40°C的纯水进行超声波漂洗150s ; (4) 无水乙醇清洗：将经上述超声波漂洗的二极管放入到无水乙醇清洗槽中，功率控 制为1500W，频率控制为40K监，流速度控制在1化/min内，采用电阻大于12 Q'm,且溫度在 40°C的无水乙醇进行清洗120s ; (5) 无水乙醇漂洗：将经上述无水乙醇清洗的二极管放入到无水乙醇漂洗槽中，功率控 制为1500W，频率控制为40K监，流速度控制在1化/min内，采用电阻大于12 Q'm,且溫度在 40°C的无水乙醇进行漂洗120s ; (6) 超声波一次脱水：将经上述无水乙醇漂洗的二极管放入到IPA超声波一次脱洗槽 中，功率控制为1500W，频率控制为36KHZ，水流速度控制在18L/min内，采用电阻大于12 Q ' m，且溫度在40°C的异丙醇进行超声波一次脱水150s; (7) 超声波二次脱水：将经超声波一次脱水的二极管放入到IPA超声波二次脱洗槽中， 功率控制为1500W，频率控制为36KHZ，水流速度控制在18L/min内，采用电阻大于12 Q'm, 且溫度在40°C的异丙醇进行超声波二次脱水150s。
[0009]实施例2 本实施例酸洗后二极管的清洗工艺，包括如下步骤： (1) 超声波清洗：将待清洗的二极管放入到超声波清洗槽中，功率控制为2000W，频率 控制为30KHZ，水流速度控制在15L/min内，采用电阻大于12 Q'm,且溫度在20°C的纯水进 行超声波清洗IOOs ; (2) 超声波精洗：将经上述超声波清洗的二极管放入到超声波精洗槽中，功率控制为 2000W，频率控制为30KHZ，水流速度控制在15L/min内，采用电阻大于12Q'm，且溫度在 20°C的纯水进行超声波精洗IOOs ; (3) 超声波漂洗：将经上述超声波精洗的二极管放入到超声波漂洗槽中，功率控制为 2000W，频率控制为30KHZ，水流速度控制在15L/min内，采用电阻大于12Q'm，且溫度在 20°C的纯水进行超声波漂洗IOOs ; (4) 无水乙醇清洗：将经上述超声波漂洗的二极管放入到无水乙