半导体制造方法
【专利说明】
[0001] 相关专利申请的交叉引用
[0002] 本公开是提交于2012年4月27日且名称为"C肥MICAL VAPOR DEPOSITION COATING, ARTICLE, AND METHOD"(化学气相沉积涂层、制品和方法）的美国专利申请 No. 13/504, 533的部分继续申请，所述专利申请要求提交于2009年10月27日且名称为 "DIMETHYLSILANE CHEMICAL VAPOR DEPOSITION COATING AND COATING PROCESS"(二甲基 硅烷化学气相沉积涂层和涂覆方法）的美国临时专利申请No. 61/255, 237和提交于2009 年 12 月 7 日且名称为"OXIDIZED VAPOR 肥POSITION COATING AND COATING PROCESS"(氧化 气相沉积涂层和涂覆方法）的美国临时专利申请No. 61/267, 228的优先权和权益；本公开 是提交于2013年 5 月 23 日且名称为"WEAR RESISTANT COATING, ARTI化E, AND MET册D"(耐 磨涂层、制品和方法）的美国专利申请No. 13/876, 328的部分继续申请，所述专利申请要求 提交于 2010 年 10 月 5 日且名称为"C肥MICAL VAPOR DEPOSITION COATING, ARTI化E, AND MET册D"(化学气相沉积涂层、制品和方法）的美国临时专利申请No. 61/389, 777和提交 于 2011 年 7 月 14 日且名称为"WEAR RESISTANT COATING, ARTI化E, AND MET册D"(耐磨涂 层、制品和方法）的美国临时专利申请No. 61/507, 650的优先权和权益；本公开并且要求 提交于 2013 年 3 月 26 日且名称为"Coated Article and Qiemical Vapor Deposition Process"(被涂覆的制品和化学气相沉积方法）的国际申请No. PCT/US13/33807的优 先权和权益，所述国际申请要求提交于2012年3月26日且名称为"Coating, Coated Article, and Method of Appl}dng a Coating"(涂层、被涂覆的制品及施加涂层的方法） 的美国临时专利申请No. 61/615, 559的优先权和权益，所有运些专利申请据此全文W引用 方式并入。
技术领域
[0003] 本公开设及半导体制造方法，更具体地讲，设及包括将官能化层定位在系统中W 便生产半导体产品的半导体制造方法。
【背景技术】
[0004] 通常，衬底的表面不包括所需的性能特征。未能包括特定的所需性能特征可导致 表面在某些环境中降解，不能满足某些性能要求，或它们的组合。例如，在某些环境中，金 属、玻璃和陶瓷表面可经受磨损和其他非期望的表面活性，诸如化学吸附、催化活性、腐蚀 侵蚀、氧化、副产物积累或粘滞和/或其他非期望的表面活性。
[0005] 非期望的表面活性可导致其他分子的化学吸附、其他分子的可逆和不可逆的物理 吸附、与其他分子的催化反应性、来自外来物质的侵蚀、表面的分子分解、衬底的物理损失、 或它们的组合。
[0006] 为了提供某些所需的性能特征，可在存在金属催化剂的情况下使娃氨化物表面与 不饱和控试剂反应。此类方法存在的缺点是：通常难W从经处理的系统完全移除该催化剂， 并且催化剂的存在可重新引入非期望的表面活性。基于无定形娃的化学气相沉积材料还易 于被苛性高抑介质所溶解，从而限制其在此类环境中的使用。
[0007] 可将涂层施加到表面W保护其免受非期望的表面活性影响。将涂层沉积在表面上 的一种已知方法是化学气相沉积（CVD)。一般来讲，CVD在受控大气和溫度条件下将来自气 相的固体材料沉积预定时间而形成涂层。CVD可包括初级处理，然后是官能化（表面反应） W添加预定分子。
[0008] 然而，尽管先前已普遍使用CVD，但包含娃、碳和氨的分子之前已被认为对于用作 CVD前体而言是非期望的或者已在存在额外沉积能量诸如等离子体和微波场的情况下结合 其他CVD前体施加。因此，之前通过热CVD技术未实现与此类分子相关的性质。
[0009] 此类缺点有碍某些领域诸如半导体制造方法中的适用性。在半导体制造方法中与 材料接触的表面上的层可导致该方法的非期望效应，诸如衬底处理中的金属离子污染和腐 蚀侵蚀。
[0010] 因此，不存在上述缺点中的一者或多者的半导体制造方法将是本领域所需的。
【发明内容】
[0011] 根据本公开的一个实施例，半导体制造方法包括提供被涂覆的制品，该被涂覆的 制品具有衬底W及通过经化学气相沉积使二甲基硅烷分解而施加到衬底上的层，所述层由 流体材料施加；然后将该被涂覆的制品定位在系统中W便生产半导体产品。
[0012] 根据本公开的另一个实施例，半导体制造方法包括提供被涂覆的制品，该被涂覆 的制品具有衬底W及通过经化学气相沉积使二甲基硅烷分解而施加到衬底上的层，所述层 由流体材料施加；然后将该被涂覆的制品定位在系统中；然后由该系统生产半导体产品。
[0013] 根据本公开的另一个实施例，半导体制造方法包括提供通过经化学气相沉积使二 甲基硅烷分解而施加的层，该层由流体材料施加；然后将该层定位在系统中；然后由系统 生产半导体产品。
[0014] 本文公开了本发明实施例的另外一些方面。根据下列附图和详细描述，本领域技 术人员将认识到并理解W上讨论的特征W及本申请的其他特征和优点。
【附图说明】
[0015] 图1示出了根据本公开一个实施例的具有涂层的制品的示意图，所述涂层具有由 材料分解所形成的层。
[0016] 图2示出了根据本公开一个实施例的方法的示意图。
[0017] 图3示出了根据本公开一个实施例的具有涂层的制品的示意图，所述涂层具有所 形成的官能化层。
[0018] 图4示出了根据本公开一个实施例的具有涂层的制品的示意图，所述涂层具有所 形成的氧化层。
[0019] 图5示出了根据本公开一个实施例的具有涂层的制品的示意图，所述涂层具有所 形成的氧化层。
[0020] 图6示出了根据本公开一个实施例的具有涂层的制品的示意图，所述涂层具有所 形成的氧化后官能化层。
[0021] 图7示出了根据本公开一个实施例的具有涂层的制品的示意图，所述涂层具有所 形成的氧化后官能化层。
[0022] 图8示出了根据本公开一个实施例的制品的俄歇电子能谱图，所述制品具有由材 料分解所形成的层。
[0023] 图9示出了根据本公开一个实施例的制品的俄歇电子能谱图，所述制品具有由材 料分解接着与水氧化所形成的层。
[0024] 图10示出了根据本公开一个实施例的制品的俄歇电子能谱图，所述制品具有所 形成的氧化后官能化层。
[0025] 图11示出了根据本公开一个实施例的具有被涂覆的表面的应用。
[00%] 只要有可能，所有附图都将使用相同的参考标号来表示相同的部件。
【具体实施方式】
[0027]本发明提供了半导体制造方法。与未能包括本文所公开的一种或多种特征的类似 概念相比，本公开的实施例允许涂层包括与硬度相关的附加性质，允许涂层包括与惰性相 关的附加性质，允许涂层包括与耐化学腐蚀性相关的附加性质，允许涂层包括与可修整性 相关的附加性质，允许涂层包括与疏水性相关的附加性质，允许涂层包括与耐抑性相关的 附加性质，允许涂层包括与防腐蚀性相关的附加性质，允许涂层包括与防粘滞性相关的附 加性质，允许涂层包括与防结焦相关的附加性质，允许涂层包括与耐磨性相关的附加性质， 允许涂层减少或消除金属离子污染，或它们的组合。 阳02引涂覆方法200(参见图2)在制品103的衬底100上形成涂层101，例如如图1中所 示。制品103包括表面105,其具有通过W可控方式沉积层102的涂覆方法10而实现的表 面性质。层102为衬底100、涂层101、制品103或它们的组合赋予表面效应。所述表面效 应通过使层102和/或涂层101扩散到衬底100的表面105中来提供。衬底100为任何合 适的衬底，诸如金属衬底（铁或非铁）、不诱钢、玻璃衬底、陶瓷衬底、陶瓷基复合材料衬底、 复合金属衬底、被涂覆的衬底、纤维衬底、锥衬底、膜、或它们的组合。在一个实施例中，如图 3中所示，涂覆方法200从层102形成官能化层110。在一个实施例中，如图4至图5中所 示，涂覆方法200从层102形成氧化层107。在一个实施例中，如图6至图7中所示，涂覆方 法200从氧化层107形成氧化后官能化层109。
[0029]参见图2,涂覆方法200包括预处理（步骤202)、分解（步骤204)、官能化（步骤 206)、氧化（步骤208)、氧化后官能化（步骤210)、官能化后氧化、或它们的组合。在一个 实施例中，涂覆方法200包括如下步骤、由如下步骤组成、或基本上由如下步骤组成：预处 理（步骤202)和分解（步骤204)。在一个实施例中，涂覆方法200包括如下步骤、由如下 步骤组成、或基本上由如下步骤组成：预处理（步骤202)、分解（步骤204)和官能化（步 骤206)。在一个实施例中，涂覆方法200包括如下步骤、由如下步骤组成、或基本上由如下 步骤组成：预处理（步骤202)、分解（步骤204)、氧化（步骤208)和氧化后官能化（步骤 210)。在一个实施例中，涂覆方法200包括如下步骤、由如下步骤组成、或基本上由如下步 骤组成：预处理（步骤202)、分解（步骤204)、官能化（步骤206)、氧化（步骤208)和氧 化后官能化（步骤210)。预处理（步骤202)是或包括用来制备室、表面105、衬底100或 它们的组合的任何合适技术。在一个实施例中，该室是化学气相沉积室，例如，其具有管路 连接W允许气体流入和流出化学气相沉积室。在另外一个实施例中，该室包括多个受控的 入口和出口，所述入口和出口被配置用于提供和移除连接到一个或多个出口管的多个气流 和/或真空。
[0030] 用于预处理（步骤202)的合适技术包括但不限于清洁、预热、隔离衬底100和/ 或表面105 ;表面处理技术；将室抽空（例如，使气体流过和/或保持室中的真空而提供受 控气氛）；吹扫/净化室（例如，使用惰性气体诸如氮气、氮气和/或氣气）或