水接触角为113.8°，而在暴露之后仅降低到110.6°。运指示高 度的热氧化抗性，高度的热氧化抗性对于其中焦炭和污垢积累是关键关注点的燃烧和污垢 环境中的应用而言是高度有利的特征。在第四条件下，所得接触角为在304不诱钢上前进 112. 14°和后退94. 47°并且所得涂层包括优异耐擦伤性和改善的EIS数据狂If = 2. 61 兆欧姆）。然而，即便玻璃试片呈透明无色的外观，疏油性降低且10W40电机用油接触角为 64.0°也指示了有机氣试剂的初始分解。
[0094]实例11 阳0巧]第^^一实例包括在450°C和30psia下将氣硅烷加入氧化层110持续约7小时W形 成氧化后官能化层109,其可由对于去离子水的接触角来度量，所述接触角为约135°至约 163°，表明具有疏水性。
[0096]实例12
[0097] 第十二实例包括在400°C下将2, 2, 3, 3, 3-五氣-1-丙醇加入氧化层107持续约10 小时。所得接触角为前进92. 22°和后退66. 12°。所得涂层显示可W经由醇（C-OH)部分 使氧化沉积物官能化。运被高接触角和适当高的低频率下EIS阻抗狂If = 1. 93兆欧姆） 所证实。设及使被涂覆的表面暴露于5%化Cl溶液的长期EIS数据显示阻抗下降。运指示 盐溶液对涂层的腐蚀效应和材料的非最佳性能。
[0098]实例13
[0099]第十=实例包括在450°C下将2, 2, 3, 3, 3-五氣-I-丙醇加入氧化层107持续约 10小时。所得接触角为前进97. 92°和后退51.05°。基础簇基硅烷材料和较多摩尔数的 有机氣试剂的较薄沉积（与实例12相比）得到EIS性能较差狂If = 56. 2千欧姆）的劣 等表面。 阳100] 实例14 阳101] 第十四实例包括在400°C下将2, 2, 3, 3, 3-五氣-1-丙醇加入非氧化层持续约4小 时。所得接触角为在304不诱钢上前进105. 67°和后退46.66°。EIS数据表明与氧化沉 积物相比，较高的低频率下阻抗狂If = 17. 8兆欧姆）和耐擦伤性的明显下降。然后将试 片在300°C下在SOpsia零空气中氧化2小时。接触角于是显著减小到54.8。，EIS阻抗也 是如此狂If =11. 2千欧姆）。氧化后的涂层的耐擦伤性是优异的。虽然运指示有可能使 用有机氣醇（经由C-OH官能团）使碳硅烷沉积物（经由Si-H)部分官能化，并且该产物的 后氧化导致耐擦伤性改善，但不利于疏水性和电阻抗。 阳102] 实例15
[0103] 第十五实例包括在400°C下将締丙基屯氣异丙基酸加入碳硅烷（即，非氧化的） 层102持续约4小时。所得涂层包括较差粘附性和较差耐擦伤性。运是经由层与締控官能 化有机氣试剂的热娃氨加成而键合到碳硅烷Si-H部分的尝试。玻璃样品具有深色片状剥 落涂层，所述涂层易于经由DI水中的超声处理移除。未被涂覆的玻璃具有磨砂外观，运指 示有机氣试剂的分解、氣化氨的形成和玻璃的蚀刻。可得出结论，较低官能化溫度可改善结 果。 阳104] 实例16 阳105] 第十六实例包括在300°C下将締丙基屯氣异丙基酸加入层102持续约4小时。所 得接触角为在304不诱钢上前进110.94°和后退88.05°。所得涂层包括良好粘附性和良 好耐擦伤性。适当高的水接触角指示一定程度的官能化。还发现了良好的耐擦伤性，运是 不同寻常的，因为通常不经氧化步骤就不能实现良好耐擦伤性。EIS数据掲示了优异阻抗， Zlf = 13. 66兆欧姆。然而，FTIR数据显示在2096. 5cm 1处适当大的Si-H伸缩，运指示与 碳娃烷基层中的Si-H部分的不完全反应。 阳106] 实例17 阳107] 第十屯实例包括在350°C下将（全氣己基）乙締加入非氧化层102持续约7小时。 所得接触角为在304不诱钢上前进107. 25°和后退92.70°。所得涂层包括优异粘附性， 包括优异耐擦伤性，并且很光滑（具有低摩擦系数）。与高度氣化的締控的娃氨加成键合机 制在运些条件下适度成功，但在2096. 3cm 1处显著的Si-H伸缩仍然很明显。阻抗数据指示 优异的性能，Zlf = 8. 84兆欧姆。疏油性是适当的，10W40电机用油接触角为53. 3。。使 用28ppb浓度硫化氨的长期吸持研究得出的惰性数据指示优异的惰性。经过=天，通过气 相色谱法（SCD检测）测试得出肥S回收率为88. 2%。 阳10引实例18 阳109] 第十八实例包括在350°C下将（全氣下基）乙締加入层102持续约7小时。所得接 触角为在304不诱钢上前进111. 93°和后退89. 10°。所得涂层包括零尘埃和明亮的颜色。 为了与所有Si-H部分反应，与实例17中的有机氣締控相比，使用较小有机氣締控。FT-IR 数据还显示在2101. 2cm-l处显著的Si-H并且EIS数据掲示较差的低频率下阻抗狂If = I. 16兆欧姆）。 阳110] 实例19 阳111] 第十九实例包括在325°C下将（全氣己基）乙締加入非氧化层102持续约7小时。 所得接触角为在304不诱钢上前进108. 62°和后退99.21°。所得涂层包括优异沉积和优 异耐擦伤性。较低的溫度（与实例17相比）既未改善与Si-H部分的反应性，也未改善EIS 测试结果狂If = 4. 77兆欧姆）。 阳11引 实例20 阳113] 第二十实例包括在325°C下将（全氣辛基）乙締加入层102持续约7小时。所得 接触角为在304不诱钢上前进112. 82°和后退89. 35°。较大的有机氣締控试剂（与实例 17相比）未提供对于接触角或EIS阻抗狂If = 6. 63兆欧姆）的附加有益效果。对于硫化 氨吸附性的后续惰性分析（使用28ppb浓度下的吸持研究）显示出差于实例17的性能。 阳114] 实例21 阳115] 第二^^一实例包括在375°C将十=氣1，1，2, 2-四氨辛基=乙氧基硅烷加入氧化 层107持续约7小时。所得接触角为316不诱钢上的113. 9°。与实例10中的氨硅烷官 能化有机氣类似物相比，使用烷氧基硅烷官能化有机氣试剂使氧化沉积物官能化可实现显 著的成本节省。该材料的热氧稳定性是优异的，其中在暴露于45(TC空气中30分钟后接触 角发生水接触角减小到106.6°。总共60分钟暴露于450°C空气中得到102. 2°的水接触 角。该稳固特征可能在经受氧化环境中加热的防结焦、防污和防粘滞环境中是高度所需的。 阳116] 实例21 阳117] 第二^^一实例包括在375°C下将=氣丙基=甲氧基硅烷加入层102持续约7小时。 所得接触角为在304不诱钢上前进98. 3°和后退59.3°。较小=氣丙基试剂的使用指示 比较大类似物要差的疏水性。另外，热氧化抗性也较差，在暴露于45(TC空气中30分钟后水 接触角减小到70. r。存在与甲氧基官能化类似物（实例20)的适当反应性，但在成本或 性能方面没有明显优势。
[0118] 虽然仅详细地示出和描述了本发明的某些特征和实施例，但在没有实质上脱离权 利要求所述主题的新颖教导和优点的前提下，本领域技术人员可想到很多修改和变化（例 如，不同元件的大小、尺寸、结构、形状和比例，W及参数数值（例如，溫度、压力等）、安装布 置、材料的使用、颜色、方位等的变化）。根据替代实施例，任何过程或方法步骤的次序或顺 序可W改变或重新排序。因此，应当理解，所附权利要求旨在覆盖落入本发明的实质精神内 的所有运样的修改和变化。此外，为了提供实施例的简练说明，可能没有描述实际实施的所 有特征（即，那些不设及目前执行本发明所预期的最佳模式的特征，或那些不设及实现所 要求保护的发明的特征）。应当理解，在任何运种实际实施（如在任何工程或设计项目中） 的开发过程中，可进行许多实施的特定决策。运样的开发工作可能是复杂的和耗时的，但对 于那些得益于本公开的普通技术人员仍然是设计、制造和加工的常规工作，而不用过多实 验。
【主权项】
1. 一种半导体制造方法，所述方法包括： 提供被涂覆的制品，所述被涂覆的制品具有衬底以及通过分解和热化学气相沉积施加 到所述衬底上的层，所述层由流体材料施加；然后 将所述被涂覆的制品定位在系统中以便生产半导体产品。2. 根据权利要求1所述的方法，其中所述分解是使二甲基硅烷分解。3. 根据权利要求1所述的方法，其中所述层包含氧化二甲基硅烷。4. 根据权利要求1所述的方法，其中所述层施加到氧化层、预处理层或它们的组合上。5. 根据权利要求3所述的方法，其中所述氧化层包含氧化碳硅烷材料。6. 根据权利要求3所述的方法，其中所述氧化层包含氧化二甲基硅烷。7. 根据权利要求6所述的方法，其中所述层包含施加到所述氧化二甲基硅烷上的三甲 基硅烷。8. 根据权利要求1所述的方法，其中所述流体材料为气体。9. 根据权利要求1所述的方法，其中所述流体材料为等离子体。10. 根据权利要求1所述的方法，其中所述被涂覆的制品是管并且所述层是所述管的 内表面，所述被涂覆的制品是配件并且所述层是所述配件的内表面，所述被涂覆的制品是 管道并且所述层是所述管道的内表面，或所述被涂覆的制品是室并且所述层是所述室壁的 内表面。11. 根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体产品包含结晶固体、多晶材料或无定 形材料。12. 根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体产品包括本征半导体。13. 根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体产品包括具有正电荷导体的非本征 半导体。14. 根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体产品选自纯元素半导体和化合物半 导体。15. 根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体产品包括由锑化铟（InSb)、砷化铟 (InAs)、磷化铟（InP)、磷化镓（GaP)、锑化镓（GaSb)、砷化镓（GaAs)、碳化硅（SiC)、氮化镓 (GaN)、锗化硅（SiGe)或硫化硒（SeS)组成的表面。
【专利摘要】本发明描述了半导体制造方法。所述半导体制造方法的一个实施例包括提供通过经化学气相沉积使二甲基硅烷分解而形成的层，所述层由流体材料施加；然后将所述层定位在系统中以便生产半导体产品。除此之外或作为另外一种选择，生产所述半导体产品和/或所述层位于衬底上。
【IPC分类】H01L21/02
【公开号】CN105390371
【申请号】CN201510520640
【发明人】J·B·马特泽拉
【申请人】西尔科特克公司
【公开日】2016年3月9日
【申请日】2015年8月21日
【公告号】EP2988327A1