薄膜晶体管基板的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种薄膜晶体管基板，尤其是一种能达到同时增加像素的存储电容且绝缘层的接触面积的薄膜晶体管基板。
【背景技术】
[0002]随着显示器技术不断进步，所有的显示设备均朝体积小、厚度薄、重量轻等趋势发展，故目前市面上主流的显示器装置已由以往的阴极射线管发展成平面显示器，如液晶显示设备或有机发光二极管显示设备等。其中，液晶显示设备或有机发光二极管显示设备可应用的领域相当多，举凡日常生活中使用的手机、笔记本电脑、摄影机、照相机、音乐播放器、行动导航装置、电视等显示设备，大多数均使用所述显示面板。
[0003]虽然液晶显示设备或有机发光二极管显示设备已为市面上常见的显示设备，特别是液晶显示设备的技术更是相当成熟，但随着显示设备不断发展且消费者对显示设备的显示质量要求日趋提高，各家厂商无不极力发展出具有更高显示质量的显示设备。其中，薄膜晶体管基板的结构，也为影响显示质量的因素之一。
[0004]有鉴于此，即便目前液晶显示设备或有机发光二极管显示设备已为市面上常见的显示设备，但仍需针对薄膜晶体管基板提出改良以期能发展出具有更佳显示质量的显示设备，以便符合消费者需求。
【发明内容】
[0005]本发明的主要目的在于提供一种薄膜晶体管基板，俾能达到同时增加像素的存储电容且绝缘层的接触面积的目的。
[0006]为达成上述目的，本发明的薄膜晶体管基板，包括:一基板；以及多个薄膜晶体管单元，设置于该基板上且分别包括:一有源层，设置于该基板上且该有源层的材料为多晶硅；一绝缘层，设置于该有源层上；以及一源极及一漏极，设置于该绝缘层上；其中该绝缘层包括一第一区域及一第二区域，其中该第一区域对应该有源层，该第二区域对应该有源层以外的区域，且该第一区域的粗糙度大于该第二区域的粗糙度。
[0007]在本发明的薄膜晶体管基板中，所述薄膜晶体管单元还分别包括一金属层，设置于该绝缘层上，且该金属层具有多个第一凸起。
[0008]在本发明的薄膜晶体管基板中，该金属层具有一第一厚度，所述第一凸起距离该金属层的一平均表面的高度与该第一厚度比为10%?30%。
[0009]在本发明的薄膜晶体管基板中，该绝缘层具有多个第二凸起。
[0010]在本发明的薄膜晶体管基板中，该绝缘层具有一第二厚度，所述第二凸起距离该绝缘层的一平均表面的高度与该第二厚度比为30%?70%。
[0011]在本发明的薄膜晶体管基板中，该绝缘层具有多个第二凸起，且至少部分所述第一凸起对应所述第二凸起。
[0012]在本发明的薄膜晶体管基板中，该有源层具有一侧边，该绝缘层对应该侧边处的曲率小于该侧边的曲率。
[0013]此外，本发明还提供另一薄膜晶体管基板，包括:一基板；以及多个薄膜晶体管单元，设置于该基板上且分别包括:一有源层，设置于该基板上且该有源层的材料为多晶硅；一绝缘层，设置于该有源层上；以及一源极及一漏极，设置于该绝缘层上；其中，该绝缘层具有多个第二凸起。
[0014]在本发明的薄膜晶体管基板中，该绝缘层具有一第二厚度，所述第二凸起距离该绝缘层的一平均表面的高度与该第二厚度比为30%?70%。
[0015]在本发明的薄膜晶体管基板中，所述薄膜晶体管单元还分别包括一金属层，设置于该绝缘层上，且该金属层具有多个第一凸起。
[0016]在本发明的薄膜晶体管基板中，该金属层具有一第一厚度，所述第一凸起距离该金属层的一平均表面的高度与该第一厚度比为10%?30%。
[0017]在本发明的薄膜晶体管基板中，至少部分该金属层的所述第一凸起对应该绝缘层的所述第二凸起。
[0018]在本发明的薄膜晶体管基板中，该绝缘层包括一第一区域及一第二区域，其中该第一区域对应该有源层，该第二区域对应该有源层以外的区域，其中该第一区域的粗糙度大于该第二区域的粗糙度。
[0019]在本发明的薄膜晶体管基板中，该有源层具有一侧边，该绝缘层对应该侧边处的曲率小于该侧边的曲率。
[0020]在本发明前述的薄膜晶体管基板中，通过将绝缘层的表面设计成具有第二凸起的凹凸起伏形状，而可增加与绝缘层接触的其他层别的接触面积，使得绝缘层与其他层别的附着力提升，而减少两者间有剥离的情形发生。此外，在本发明前述的薄膜晶体管基板中，还通过将绝缘层上的金属层设计成具有第一凸起的凹凸起伏形状，而可增加金属层的面积，而使得金属层能具有较高的电容值，进而增加像素的存储电容。
【附图说明】
[0021]图1是本发明一优选实施例的有机发光二极管显示设备剖面示意图。
[0022]图2是本发明一优选实施例的有机发光二极管显示设备的电路布线示意图。
[0023]图3是本发明一优选实施例的有机发光二极管显示设备的薄膜晶体管基板的剖面示意图。
[0024]图4是本发明一优选实施例的有机发光二极管显示设备的薄膜晶体管基板的部分剖面示意图。
[0025]图5是本发明一优选实施例的有机发光二极管显示设备的薄膜晶体管基板的部分剖面示意图。
[0026]附图标记说明:
[0027]11第一基板12第二基板
[0028]101缓冲层103有源层
[0029]1032 侧边104第一绝缘层
[0030]105第二绝缘层111第一金属层
[0031]1111第一凸起112第三绝缘层
[0032]114 第四绝缘层115保护层
[0033]115a 保护层开口116第二金属层
[0034]117 平坦层117a平坦层开口
[0035]13 封装胶14支撑元件
[0036]15 有机发光二极管单兀151第一电极
[0037]152 有机发光层153第二电极
[0038]16 像素界定层161像素开口
[0039]1041，1051，1121，1141第二凸起
[0040]104a, 105a, 112a, 114a, 11 la平均表面
[0041]1042，1052，1122，1142斜面
[0042]A 显示区B非显示区
[0043]C 电容区R1第一区域
[0044]R2 第二区域T1第一厚度
[0045]T2, T3, T4, T5第二厚度
[0046]HI, H2, H3, H4, H5高度
[0047]TFT1, TFT2薄膜晶体管元件区
【具体实施方式】
[0048]为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明作进一步的详细说明。
[0049]图1是本发明一优选实施例的有机发光二极管显示设备剖面示意图。在有机发光二极管显示设备的制作过程中，先提供一第一基板11及一第二基板12。其中，第一基板11上设置有一有机发光二极管单元15及一像素界定层16，其中每一像素界定层16设于两相邻的有机发光二极管单元15间。同时，第二基板12上则设置有多个支撑元件14，并在第二基板12的边缘先形成有一封装胶13 (在本实施例中，为一玻璃胶)，且封装胶13通过点胶及加热烧结工艺接合于第二基板12上。接着，将第一基板11及第二基板12进行对组，其中第二基板12上的支撑元件14对应于像素界定层16的未形成有像素开口 161的区域。而后，以雷射加热的方式，使封装胶13与第一基板11进行接合，而制得本实施例的有机发光二极管显示设备。
[0050]在本实施例中，第一基板11及第二基板12均为玻璃基板。此外，本实施例的有机发光二极管显示面板包括一显示区A及一非显示区B，而所谓的非显示区B即走线分布的区域。再者，在本实施例中，每一有机发光二极管单元15可分别发出红光、绿光及蓝光，但其他实施例并不仅限于此；举例来说，有机发光二极管单元15可为一白光有机发光二极管单元，在此情形下，第一基板11或第二基板12的其中一侧还需设置一彩色滤光元件(图未示)Ο
[0051]图2是本实施例的有机发光二极管显示设备的一像素单元的电路布线示意图。如图2所示，在本实施例的有机发光二极管显示设备中，每一像素单元分别包括:一扫描线、一数据线、一电容线、一电源供给线、一开关薄膜晶体管元件(如图2的开关TFT所示)、一驱动薄膜晶体管元件(如图2的驱动TFT所示)、一存储电容、及一分别与第一电极及第二电极极连接的有机发光二极管元件(如图2的OLED所示)。
[0052]图3是本实施例的有机发光二极管显示设备的薄膜晶体管基板的剖面示意图。请同时参照图1及图3,本实施例的薄膜晶体管基板包括:一第一基板11及一与第一基板11相对设置的第二基板12。在本实施例中，薄膜晶体管基板上的薄膜晶体管元件为低温多晶硅薄膜晶体管。如图3所示，在图1的显示区A中，首先，提供一第一基板11，其上方依序设置有一缓冲层101，而在缓冲层101还形成有一有源层103，其是由非晶硅雷射退火后所形成的多晶硅层。接着，在第一基板11上依序形成一第一绝缘层104、一第二绝缘层105、一第一金属层111、一第三绝缘层112、及一第四绝缘层114。其中，位于薄膜晶体管元件区TFT1，TFT2中的第一金属层111作为一栅极；而第一绝缘层104及第二绝缘层105分别作为一栅极绝缘层，其材料为本技术领域常用的绝缘层材料，如氧化硅、氮化硅等；同样的，第三绝缘层112及第四绝缘层114以可使用前述本技术领域常用的绝缘层材料。而后，再在第四绝缘层114上形成一第二金属层116。其中，位于薄膜晶体管元件区TFT1，TFT2中的第二金属层116还贯穿第三绝缘层112及第四绝缘层114，且选择性的贯穿第一绝缘层104及第二绝缘层10，而做为源极及漏极，以与有源层103电性连接。如此，则完成本实施例的薄膜晶体管基板。在本实施例中，薄膜晶体管基板包含有两个薄膜晶体管元件区TFT1，TFT2，其中薄膜晶体管元件区TFT1对应于图2的开关TFT，薄膜晶体管元件区TFT2则对应于图2的驱动TFT。此外，在本实施例中，除了薄膜晶体管元件区TFT1，TFT2外，还同时形成一电容区C，其对应于图2的存储电容。
[0053]请同时参考图1及图3，在完成薄膜晶体管基板后，再依序形成保护层115、平坦层117、一第一电极151及像素界定层16，其中第一电极151除了设置于平坦层117上还设置于平坦层117的平坦层开口 117a及保护层115的保护层开口 115a中以与第二金属层116电性连接，且像素界定层16还设有一像素开口 161。而后,在像素界定层16与