按键装置的制造方法_2

文档序号:9689019阅读:来源:国知局
提示使用者目前输入的英文文字为大写或小写,而本发明按键装置1可不局限使用于Caps Lock键,端视实际需求而定。
[0043]请参阅图2至图5,图2为本发明第一实施例按键装置1的外观示意图,图3为本发明第一实施例按键装置1的元件爆炸图,图4为图2的按键装置沿A-A’线段的剖面示意图,图5为图2的按键装置沿B-B’线段的剖面示意图。如图2至图5所示,按键装置1包含有底板10、键帽11、升降支撑机构12、发光元件13以及电路板14,键帽11设置于底板10上方,升降支撑机构12设置于底板10与键帽11之间,用以支撑键帽11相对底板10作上下运动。于此实施例中,升降支撑机构12可为剪刀脚结构(scissor mechanism),但本发明不受此限,例如升降支撑机构12亦可为火山口结构。
[0044]请再参阅图6,图6为图4的按键装置1的C部分的放大示意图。如图3至图6所示,于此实施例中,电路板14包含有第一膜层140、间隔结构141、第二膜层142以及遮光层143,第一膜层140设置于底板10上,间隔结构141设置于第一膜层140上,第二膜层142设置于间隔结构141上,即间隔结构141位于第一膜层140与第二膜层142之间。第一膜层140具有承载膜区1400、第一开关导通点1401(如图5所示)与电源接点1402。第二膜层142具有第二开关导通点1420(如图5所示)和覆盖膜区1421,覆盖膜区1421具有覆盖膜区形变结构1422,覆盖膜区形变结构1422朝上方突出而高于覆盖膜区1421以外的第二膜层142。间隔结构141形成有间隔结构通口 1410,其中,覆盖膜区形变结构1422、间隔结构通口 1410及承载膜区1400共同定义容置空间144,发光元件13设置于容置空间144内且电连接电源接点1402,也就是说覆盖膜区形变结构1422以及间隔结构通口 1410分别位于对应于发光元件13处,且间隔结构通口 1410允许发光元件13通过,以避免发光元件13与间隔结构141干涉。
[0045]此外,按键装置1可为Caps Lock键(字母大小写转换键),因应键帽11的上下运动,第一开关导通点1401与第二开关导通点1420可选择性地导通,以改变目前键盘英文字元大小写状态,进而选择性地触发发光元件13是否朝键帽11发出光线。举例来说,当键帽11第一次使第二开关导通点1420碰触第一开关导通点1401,以产生大写指令。此时,发光元件13可用以朝键帽11的破孔处(如图3所示)发出该光线,使按键装置1破孔处发光,告知使用者目前英文字母是在大写状态。当键帽11第二次使第二开关导通点1420碰触第一开关导通点1401,则取消该大写指令。此时,发光元件13熄灭,使按键装置1破孔处不发光,告知使用者目前英文字母是在小写状态。
[0046]另外,遮光层143设置于第二膜层142上,遮光层143于对应发光元件13处具有透光区域1430,发光元件13所发出的光线仅能穿过遮光层143的透光区域1430到达键帽11的破孔处,因此透过改变透光区域1430的尺寸大小或是形状,即可控制穿过透光区域1430到达键帽11的光线多寡或形状。于此实施例中,遮光层143可由印刷油墨材质所制成,且透光区域1430可以网版印刷的方式或雷射雕刻的方式成型,但本发明不受此限。
[0047]值得一提的是,于本发明中,由于覆盖膜区1421覆盖容置空间144上方,使容置空间144与电路板14上方空间没有穿过覆盖膜区1421的导通路径,因此外部的静电或是由静电枪所产生的静电无法经由发光元件13下方的电源接点140 2而进入电路板14,进而避免电路板14损坏而影响键盘1000的输入功能。然而本发明电路板14的第一膜层140、间隔结构141、第二膜层142以及遮光层143的结构设计可不仅限于上述实施例,换句话说,只要是能够使容置空间144与电路板14上方空间无法形成穿过覆盖膜区1421的导通路径的结构设计皆为本发明范畴。
[0048]举例来说,请参阅图7,图7为本发明第二实施例按键装置2的部分放大示意图。如图7所示,按键装置2与前述按键装置1的主要不同处在于,按键装置2的间隔结构141对应发光元件13处具有间隔结构形变结构1411,间隔结构形变结构1411朝上方突出且抵接覆盖膜区形变结构1422。而此实施例与上述实施例中具有相同标号的元件,其具有相同的结构设计与作用原理,为求简洁,于此不再赘述。
[0049]请参阅图8,图8为本发明第三实施例按键装置3的部分放大示意图。如图8所示,按键装置3与前述按键装置1、2的主要不同处在于,按键装置3的承载膜区1400对应发光元件13处具有承载膜区形变结构1403,承载膜区形变结构1403朝下方突出而低于承载膜区1400以外的第一膜层140,发光元件13设置于承载膜区形变结构1403上,底板10对应发光元件13处形成有底板开口 100,承载膜区形变结构1403穿设于底板开口 100中,而覆盖膜区1421对应发光元件13处不具有覆盖膜区形变结构1422,即第二膜层142为平板结构。而此实施例与上述实施例中具有相同标号的元件,其具有相同的结构设计与作用原理,为求简洁,于此不再赘述。
[0050]请参阅图9,图9为本发明第四实施例按键装置4的部分放大示意图。如图9所示,按键装置4与前述按键装置3的主要不同处在于,按键装置4的间隔结构141对应发光元件13处形成有间隔结构通口 1410,其中,覆盖膜区1421、间隔结构通口 1410及承载膜区形变结构1403共同定义容置空间144。此外,于其他实施例中,覆盖膜区1421对应发光元件13处可形成有覆盖膜区形变结构1422,覆盖膜区形变结构1422朝上方突出而高于覆盖膜区1421以外的第二膜层142,覆盖膜区形变结构1422、间隔结构通口 1410及承载膜区形变结构1403共同定义容置空间144。而此实施例与上述实施例中具有相同标号的元件,其具有相同的结构设计与作用原理,为求简洁,于此不再赘述。
[0051 ]请参阅图10,图10为本发明第五实施例按键装置5的部分放大示意图。如图10所示,按键装置5与前述按键装置4的主要不同处在于,按键装置5的覆盖膜区1421对应发光元件13处具有覆盖膜区形变结构1422,覆盖膜区形变结构1422朝上方突出而高于覆盖膜区1421以外的第二膜层142,间隔结构141对应发光元件13处具有间隔结构形变结构1411,间隔结构形变结构1411朝上方突出且抵接覆盖膜区形变结构1422。而此实施例与上述实施例中具有相同标号的元件,其具有相同的结构设计与作用原理,为求简洁,于此不再赘述。
[0052]请参阅图11,图11为本发明第六实施例按键装置6的部分放大示意图。如图11所示,按键装置6与前述按键装置1的主要不同处在于,按键装置6的间隔结构141具有承载膜区1400与电源接点1402,第二膜层142具有覆盖膜区1421,覆盖膜区1421对应发光元件13处具有覆盖膜区形变结构1422,覆盖膜区形变结构1422朝上方突出而高于覆盖膜区1421以外的第二膜层142,其中,覆盖膜区形变结构1422及承载膜区1400共同定义容置空间144。而此实施例与上述实施例中具有相同标号的元件,其具有相同的结构设计与作用原理,为求简洁,于此不再赘述。
[0053]请参阅图12,图12为本发明第七实施例按键装置7的部分放大示意图。如图12所示,按键装置7与前述按键装置6的主要不同处在于,按键装置7的承载膜区1400对应发光元件13处具有承载膜区形变结构1403,底板10对应发光元件13处形成有底板开口 100,承载膜区形变结构1403朝下方突出而低于第一膜层140,且穿设于底板开口 100中,发光元件13设置于承载膜区形变结构1403上,第一膜层140对应发光元件13处具有第一膜层形变结构1404,第一膜层形变结构1404朝下方突出且抵接承载膜区形变结构1403。此外,于其他实施例中,覆盖膜区1421对应发光元件13处亦可不具有朝上方突出的覆盖膜区形变结构1422,即第二膜层142可为平板结构。而此实施例与上述实施例中具有相同标号的元件,其具有相同的结构设计与作用原理,为求简洁,于此不再赘述。
[0054]请参阅图13,图13为本发明第八实施例按键装置8的部分放大示意图。如图13所示,按键装置8与前述按键装置7的主要不同处在于,第一膜层140对应发光元件13处形成有第一膜层通口 1405,承载膜区形变结构1403穿设于第一膜层通口 1405。此外,于其他实施例中,覆盖膜区1421对应发光元件13处亦可不具有朝上方突出之覆盖膜区形变
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