一种oled器件的封装结构、显示装置和封装方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及有机发光显示技术领域，尤其涉及有源矩阵发光二极管技术领域。更 具体地，本发明涉及一种0LED器件的封装结构、一种显示装置以及一种0LED器件的封装方 法。
【背景技术】
[0002] 相比于其它类型的显示器件(例如，液晶显示单元），0LED显示器件因其轻薄、低功 耗、高对比度、高色域等优点，作为下一代显示器被广泛研究并得到初步应用。相比于液晶 显示器件，0LED显示器件的另一个优势是，其不需要背光照明。
[0003] 然而，0LED显示器件的一个缺点为其对空气和湿度的敏感性。0LED发光层的多数 有机物质对于大气中的污染物、〇2以及水汽都十分敏感，会直接造成有机发光材料发生变 质，发光效率降低、发光异常或无法发光等问题，同时会引起金属电极的氧化和腐蚀，因此 封装技术直接影响到0LED显示器件的稳定性和寿命。
[0004] 有源矩阵发光二极管（也被称为active-matrixorganiclightemitting diode，AM0LED)比无源矩阵有机发光二极管（也被称为positive-matrixorganiclight emittingdiode，PM0LED)的能量效率更高。有源矩阵发光二极管具有良好的市场前景，然 而其封装技术也是AM0LED显示产品化的关键技术，目前很多显示面板厂商都在开发薄膜封 装(thinfilmencapsulation，TFE)技术。TFE结构上一般为两层或者以上的多层薄膜堆叠 结构，按照作用来分为无机阻水层、有机平坦化层两类。图1(a)和图1(b)为常见的三层、五 层薄膜堆叠的TFE结构。
【发明内容】
[0005]本发明的实施例提供一种0LED器件的封装结构、显示装置和封装方法，能够解决 现有封装技术中的薄膜均匀性差、对制造设备要求较高的问题。
[0006] 本发明的一个目的在于提供一种0LED器件的封装结构。
[0007] 本发明的第一方面提供了一种0LED器件的封装结构，包括:基板，在所述基板上的 0LED器件，在所述0LED器件上的第一层，其中，所述0LED器件的封装结构还包括位于第一层 外侧用于界定所述第一层的第一阻挡层，并且其中，所述第一阻挡层在其拐角位置具有冗 余部。
[0008]在一种实施方式中，所述第一阻挡层的冗余部的最大半长度在0.03-0.3mm之间。
[0009] 可选地，所述第一阻挡层的冗余部的最大半长度在0.05-0.15mm之间。
[0010] 在一种实施方式中，所述第一层在其对应于所述0LED器件拐角的位置处具有第一 斜坡形状，且在其对应于所述0LED器件边缘的位置处具有第二斜坡形状，并且其中，所述第 一斜坡形状的宽度大于所述第二斜坡形状的宽度，且宽度的差值范围在0.03-0.3mm之间。 [0011]可选地，所述第一斜坡形状的宽度和所述第二斜坡形状的宽度的差值范围在 0 · 05-0 · 15mm之间。
[0012] 在一种实施方式中，所述封装结构还包括，设置在所述0LED器件和所述第一层之 间的第一阻水层，以及设置在所述第一层上的第二阻水层。
[0013] 可选地，所述第一层、所述第一阻水层、所述第二阻水层中的至少一个，在其拐角 位置具有冗余部。
[0014] 可选地，所述第一阻挡层的冗余部、所述第一层的冗余部、所述第一阻水层的冗余 部、所述第二阻水层的冗余部中的至少一个的形状包括弧形、半圆形、方形。
[0015]可选地，所述封装结构还包括彼此交替设置的至少一个第二层和至少一个第三阻 水层，以及还包括位于所述第二层外侧用于界定所述第二层的至少一个第二阻挡层。
[0016] 可选地，所述基板为柔性基板;所述0LED器件为AM0LED器件;所述第一和第二阻水 层为无机阻水层;所述第一层为有机平坦层。
[0017] 本发明的另一个目的在于提供一种显示装置。
[0018] 本发明的第二方面提供了一种显示装置，所述显示装置设置有前述的0LED器件的 封装结构。
[0019] 本发明的又一个目的在于提供一种0LED器件的封装方法。
[0020] 本发明的第三方面提供了一种0LED器件的封装方法，包括:提供基板;在所述基板 上设置0LED器件;在所述0LED器件上通过喷墨工艺形成第一层;其中，所述方法还包括，在 所述第一层外侧形成用于界定所述第一层的第一阻挡层，以及，在所述第一阻挡层的拐角 位置设置冗余部。
[0021] 在一种实施方式中，所述封装方法还包括，将所述第一阻挡层的冗余部的最大半 长度设置在〇. 03-0.3mm之间。
[0022] 可选地，所述封装方法还包括，将所述第一阻挡层的冗余部的最大半长度设置在 0 · 05-0 · 15mm之间。
[0023]在一种实施方式中，将所述第一层在其对应于所述0LED器件拐角的位置处设置为 具有第一斜坡形状，在其对应于所述0LED器件边缘的位置处设置为具有第二斜坡形状;并 且其中，将所述第一斜坡形状的宽度设置为大于所述第二斜坡形状的宽度，且将宽度的差 值设置在〇. 03-0.3mm之间的范围。
[0024]可选地，将所述第一斜坡形状的宽度和所述第二斜坡形状的宽度的差值设置在 0.05-0.15mm之间的范围。
[0025] 可选地，所述封装方法还包括，形成在所述0LED器件和所述第一层之间的第一阻 水层;在所述第一层上形成第二阻水层。
[0026] 可选地，将所述第一层、所述第一阻水层、所述第二阻水层中的至少一个在其拐角 位置设置有冗余部。
[0027] 可选地，所述第一阻挡层的冗余部、所述第一层的冗余部、所述第一阻水层的冗余 部、所述第二阻水层的冗余部中的至少一个的形状包括弧形、半圆形、方形。
[0028]可选地，所述封装方法还包括设置彼此交替的至少一个第二层和至少一个第三阻 水层，以及还包括设置位于所述第二层外侧用于界定所述第二层的至少一个第二阻挡层。
[0029] 可选地，所述基板为柔性基板;所述0LED器件为AM0LED器件;所述第一和第二阻水 层为无机阻水层;所述第一层为有机平坦层。
[0030] 本发明的实施例提供的封装结构、显示装置和封装方法，通过在第一层外侧设置 用于界定第一层的第一阻挡层，且该第一阻挡层在其拐角位置具有冗余部，能够有效沉积 各种厚度的薄膜，所制备的薄膜均匀性较好且对制造设备要求较低。
【附图说明】
[0031] 为了更清楚地说明本发明的实施例的技术方案，下面将对实施例的附图进行简要 说明，应当知道，以下描述的附图仅仅涉及本发明的一些实施例，而非对本发明的限制，其 中：
[0032] 图1(a)和图1(b)为常见的TFE结构的截面示意图；
[0033] 图2是根据本发明的一个实施例的结构的截面示意图；
[0034] 图3(a)、图3(b)和图3(c)是示出根据本发明的一个实施例的冗余部的示意图；
[0035]图4(a)和图4(b)是示出根据本发明的一个实施例的平坦层在边缘位置和在拐角 位置的斜坡形状的图。
[0036] 图5(a)和图5(b)是示出根据本发明的另一个实施例的平坦层在边缘位置和在拐 角位置的斜坡形状的图。
【具体实施方式】
[0037]为了使本发明的实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将接合附图，对本 发明的实施例的技术方案进行清楚、完整的描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分 实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域技术人员在无需创造 性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，也都属于本发明保护的范围。
[0038] 当介绍本发明的元素及其实施例时，冠词"一"、"一个"、"该"和"所述"旨在表示存 在一个或者多个要素。用语"包含"、"包括"、"含有"和"具有"旨在包括性的并且表示可以存 在除所列要素之外的另外的要素。
[0039] 出于下文表面描述的目的，如其在附图中被标定方向那样，术语"上"、"下"、"左"、 "右