具有结合层的量子点发光二极管基板及其制备方法
【技术领域】
[0001]本发明的实施例涉及具有结合层的量子点发光二极管基板，使用这种量子点发光二极管基板的显示面板和显示设备，及其制备方法。
【背景技术】
[0002]有源矩阵有机发光二极管(AM0LED)曾被公认为有希望成为取代液晶显示器(IXD)的下一代显示，但是随着消费者的消费水平的提升，高分辨率产品成为显示产品的重点发展方向，而高分辨率的AM0LED产品很难同LCD竞争，这是因为通常采用掩模蒸发的方法制备有机发光显示的有机层结构，但是掩模蒸发方法存在着对位困难，良品率低，无法实现更小像素面积发光，无法精确控制蒸发区域等缺陷，从而无法满足目前迅速发展的对高分辨率显示的需求;而采用印刷和打印的方法取代掩模蒸发法制备的有机发光层的分辨率极其有限。因而高分辨率的AM0LED产品面临着技术难度高，产品良率低，商品价格高的问题。
[0003]量子点(Quantum Dots，QDs)，又称为纳米晶，是一种由11 — VI族或III 一 V族元素构成的纳米颗粒。量子点的粒径一般介于1?20nm之间，由于电子和空穴被量子限域，连续的能带结构变成分立的能级结构，受激后可以发射荧光。
[0004]随着量子点技术的深入发展，电致量子点发光二极管的研究日益深入，量子效率不断提升，已基本达到产业化的水平，进一步采用新的工艺和技术来实现其产业化已成为未来的趋势。为了提升0LED分辨率，需要使0LED蒸镀掩模板进一步减小Mask工艺线宽，需要更高精度的打印喷头等，这在规模化生产工艺中往往较难满足。因此，需要大规模制备量子点发光二极管的方法，其能够实现高分辨率，提升工艺良率，提升量子点的使用率。
【发明内容】
[0005]本发明至少一个实施例提供一种量子点发光二极管(QD-LED)基板、包含该量子点发光二极管(QD-LED)基板的显示面板及量子点发光二极管(QD-LED)基板的制备方法。所述量子点发光二极管(QD-LED)基板可以以高的分辨率和方便的工艺制备，适合于大规模生产。该制备方法具有提升的工艺良率，适合于大规模生产。
[0006]本发明至少一个实施例提供一种量子点发光二极管(QD-LED)基板，其包括多个亚像素发光区域，其中每个亚像素发光区域包括发光层，所述发光层包括结合层和与所述结合层结合的量子点。
[0007]例如，在本发明一个实施例提供的量子点发光二极管基板中，所述结合层含有有机树脂。
[0008]例如，在本发明一个实施例提供的量子点发光二极管基板中，所述有机树脂包括环氧树脂。
[0009]例如，在本发明一个实施例提供的量子点发光二极管基板中，所述结合层和所述量子点之间通过形成交联网络而结合，所述量子点形成量子点层。
[0010]例如，在本发明一个实施例提供的量子点发光二极管基板中，所述量子点通过嵌入所述结合层中而与所述结合层结合。
[0011]例如，在本发明一个实施例提供的量子点发光二极管基板中，所述结合层的厚度为5至50纳米。
[0012]例如，在本发明一个实施例提供的量子点发光二极管基板中，所述结合层由有机半导体材料或者有机导体材料制成。
[0013]本发明至少一个实施例还提供一种包含上述量子点发光二极管基板的显示面板。
[0014]本发明至少一个实施例还提供一种制备量子点发光二极管基板的方法，包括:
[0015]步骤1:在基板上形成结合材料的层，并对该结合材料的层进行图案化从而形成对应于多个发光亚像素区域的图案的结合层；
[0016]步骤2:在该结合层上涂覆量子点；
[0017]步骤3:通过外部引发条件，使得所述量子点与所述结合层结合，而将量子点固定在相应的发光亚像素区域中；和
[0018]步骤4:除去未结合的量子点，从而形成包含结合层和与所述结合层结合的量子点的发光层。
[0019]例如，在本发明一个实施例提供的量子点发光二极管基板的制备方法中，所述外部引发条件选自外部光引发、外部热引发、外部压力引发及其组合。
[0020]例如，在本发明一个实施例提供的量子点发光二极管基板的制备方法中，所述结合层的有机官能团可以与量子点的有机官能团相互反应，从而形成以量子点无机核为中心的交联网络
[0021]例如，在本发明一个实施例提供的量子点发光二极管基板的制备方法中，所述结合材料含有有机树脂。
[0022]例如，在本发明一个实施例提供的量子点发光二极管基板的制备方法中，所述有机树脂包括环氧树脂。
[0023]例如，在本发明一个实施例提供的量子点发光二极管基板的制备方法中，所述量子点通过嵌入所述结合层中而与所述结合层结合。
[0024]例如，在本发明一实施例提供的量子点发光二极管基板的制备方法中，所述结合层的厚度为5至50纳米。
[0025]例如，在本发明一个实施例提供的量子点发光二极管基板的制备方法中，所述结合材料包括有机半导体材料、有机导体材料或其组合。
[0026]例如，在本发明一个实施例提供的量子点发光二极管基板的制备方法中，步骤1中形成的结合层仅对应于一种颜色的发光亚像素区域的图案，所述方法包括多次重复步骤1-4，从而形成具有多种颜色的发光亚像素区域的图案。
[0027]例如，在本发明一个实施例提供的量子点发光二极管基板的制备方法中，所述方法包括仅进行一次步骤1，步骤1中形成的结合层对应于至少两种颜色的发光亚像素区域的图案，和至少两次重复步骤2-4，从而形成具有至少两种颜色的发光亚像素区域的图案。在进行至少两次重复步骤2-4时，每次进行步骤2-4形成一种颜色的发光亚像素区域的图案。这种方法可以仅进行一次步骤1，因此节约了生产成本和提高了生产效率。
[0028]例如，在本发明一个实施例提供的量子点发光二极管基板的制备方法中，量子点的有机官能团选自以下的一种或多种:能够在光照下发生交联反应的有机官能团，能够在升高的温度下发生交联反应的有机官能团，和能够在压力作用下发生交联反应的有机官能团。本申请所述的在光照下是指在紫外光(波长为lnm至400nm，例如波长为llOnm至180nm，例如波长为181至290nm，例如波长为291nm至315nm，例如波长为316nm至400nm)照射下，在近紫外光(波长为200nm至400nm)照射下，或者在能够使量子点和结合层之间发生交联反应的其他光的照射下。在一些实施方式中，结合层带有与该有机官能团能够发生交联反应的官能团。
[0029]例如，在本发明一个实施例提供的量子点发光二极管基板的制备方法中，量子点的有机官能团选自以下的一种或多种:烯基或二烯基官能团如1，7_辛二烯基、异戊二烯基、炔基或二炔基官能团如1，9_辛二炔基团、巯基、氨基、啦啶、羧酸、硫醇、酸或其任意组合。在一些实施方式中，结合层带有与该有机官能团能够发生交联反应的官能团。
【附图说明】
[0030]为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本发明的一些实施例，而非对本发明的限制。
[0031]图1A为根据本发明的实施例的量子点发光二极管显示基板的平面结构示意图，图1B为根据本发明的实施例的量子点发光二极管显示基板沿线A-A的剖面结构示意图。
[0032]图2-1至图2-20为通过加热和/或加压形成结合层和量子点层的流程图。
[0033]图3-1至图3-20为通过光照调节形成结合层和量子点层的流程图。
[0034]附图标记:
[0035]101-基板；102-电极；103-结合层材料；104-掩膜板；105-紫外光；106-结合层；107-绿色量子点；108-绿色量子点层；109-蓝色量子点；110-蓝色量子点层；111_红色量子点；112-红色量子点层；113-量子点；114-发光层；115-亚像素发光区；116-加压器；117-绿色发光层；118-蓝色发光层；119-红色发光层。
【具体实施方式】
[0036]为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0037]本发明至少一实施例提供一种量子点发光二极管(Quantum Dots-LightEmiss1n D1de，QD_LED)基板、包含所述量子点发光二极管基板的显示面板及量子点发光二极管基板的制备方法。所述量子点发光二极管基板包括多个亚像素发光区域，其中每个亚像素发光区域包括发光层，所述发光层包括结合层和与所述结合层结合的量子点。
[0038]该量子点发光二极管基板可以以高的分辨率和方便的工艺制备，适合于大规模生产。该制备方法具有提升的工艺良率，适合于大规模生产。应该理解，本申请中的术语“量子点发光二极管基板”是指含有发光二极管的基板，其中所述发光二极管包含配置为能够用于发光的量子点。因此，本申请中的发光二极管基板可以是一种阵列基板或显示基板。
[0039]本申请中的术语“量子点的有机官能团”是指存在于量子点的表面上的能够发生交联反应的有机官能团或者有机化合物。类似地，术语“结合层的有机官能团”是指存在于结合层的