层106的厚度为5至50纳米。
[0094]例如，该结合层106由有机半导体材料或者有机导体材料制成。
[0095]例如，形成的结合层106仅对应于一种颜色的发光亚像素区域的图案，该方法包括多次重复步骤3-3至图3-8，从而形成具有多种颜色的发光亚像素区域的图案。
[0096]例如，形成的结合层106对应于至少两种颜色的发光亚像素区域的图案，所述方法包括仅进行一次在基板上形成结合材料的层，并对该结合材料的层进行图案化从而形成对应于多个发光亚像素区域的图案的结合层的过程，而至少两次重复以下过程从而形成具有至少两种颜色的发光亚像素区域的图案:在该结合层上涂覆量子点;通过外部引发条件，使得所述量子点与所述结合层结合，而将量子点固定在相应的发光亚像素区域中；除去未结合的量子点，从而形成包含结合层和与结合层结合的量子点的发光层的过程。在具体的实施方式中，外部引发条件为紫外光照射。
[0097]在发生交联反应形成交联网络的情况下，结合层的有机官能团可以同量子点的有机官能团相互反应，从而形成以量子点无机核为中心的交联网状结构，而将量子点固定在相应的亚像素区。例如，量子点的有机官能团选自以下的一种或多种:能够在光照下发生交联反应的有机官能团。而结合层中的有机官能团是与量子点的官能团能够发生交联反应的官能团。比如，在光引发结合的情况下，结合层材料的官能团和量子点的官能团是两种不同的官能团，在光照下(例如紫外光，短波长可见光)能够相互反应，引起量子点交联，从而起到固定量子点的作用，官能团可选自:二烯基如1，7_辛二烯基、二炔基如1，9_辛二炔、巯基、异戊二烯等。结合层材料的官能团/量子点的官能团可以配置为例如巯基/烯基、巯基/ 二烯基、疏基/块基、疏基/一■块基、稀基/稀基、稀基/一■稀基、一■稀基/一■稀基。
[0098]本申请实施例提供的量子点发光二极管(QD-LED)基板可以以高的分辨率和方便的工艺制备，适合于大规模生产。制备所述QD-LED基板的方法具有提升的工艺良率，适合于大规模生产。
[0099]本实施例还示例性地给出一种具体的显示面板的结构和制备方法。
[0100]所述显示面板包括:衬底、TFT阵列、阴极、电子共同层、结合层、红绿蓝三色量子点亚像素、空穴共同层、阳极、封装材料以及上偏光片。制备所述显示面板的方法如下。
[0101]透明衬底采用标准方法清洗，之后依次沉积栅极金属Mo(厚度200nm)，并将其图形化;形成栅极介质Si02(厚度150nm);形成有源层IGZ0(厚度40nm)，并将其图形化;形成源漏极金属Mo(厚度200nm)，并图形化;形成钝化层Si02(厚度300nm)，并将其图形化;形成像素电极ΙΤ0(厚度40nm)，并将其图形化;最后旋涂沉积丙烯酸类树脂材料并光刻、固化出像素界定层，约1.5um，形成TFT背板部分。
[0102]如下制备光敏性可交联量子点。该量子点原料按照传统热注入法合成，其带有的配体包括三辛基膦、三辛基氧膦、油胺、油酸等配体。将绿色量子点原料、蓝色量子点原料和红色量子点原料分别与吡啶溶剂以1:5的重量比在环境条件下在搅拌下接触2小时，从而将该量子点原料的配体置换成为吡啶;然后通过离心等方法将带有吡啶配体的量子点分离。然后，将带有吡啶配体的量子点与带有单官能团的交联配体原料(巯基乙酸)反应，使吡啶配体被置换成为带有单官能团的配体，从而获得单官能团可交联的量子点(包括:绿色光敏性量子点，蓝色光敏性量子点和红色光敏性量子点)。所述单官能可交联量子点可以与带有多个烯基官能团的配体发生反应，形成交联网络。
[0103]在制备QD-LED部分前，采用等离子体处理TFT的背板表面;进而溅射或蒸镀低功函金属作为阴极，之后采用旋涂工艺制备无机电子注入层和电子传输层，如ZnO纳米颗粒或LiF等;之后涂布第一层负性光敏性结合材料，之后曝光显影定影，在绿色亚像素区保留结合材料，形成用于绿色亚像素的结合层(该结合层的表面带有烯基官能团)，而后涂布绿色光敏性量子点，采用紫外光对整体曝光，从而使得绿色光敏性量子点与结合层中的烯基官能团发生click反应，而后显影、定影形成绿色发光亚像素;类似地，涂布第二层负性光敏性结合材料，之后曝光显影定影，在蓝色亚像素区保留结合材料，形成用于蓝色亚像素的结合层(该结合层的表面带有烯基官能团)，而后再涂布蓝色光敏性量子点，采用紫外线对整体曝光，而后显影、定影形成蓝色发光亚像素；最后涂布第三层负性光敏性结合材料，之后曝光显影定影，在红色亚像素区保留结合材料，形成用于红色亚像素的结合层(该结合层的表面带有烯基官能团)，涂布红色光敏性量子点，采用紫外线对整体曝光，而后显影、定影形成红色发光亚像素；最后旋涂或蒸镀第二共同层:空穴注入层和空穴传输层，如分别旋涂PED0T:PSS和TFB等;其中空穴注入层和空穴传输层的整体厚度为50-100nm;之后蒸镀、溅射阳极金属薄层，可采用Au: ΙΤ0层等，厚度约为500-1000nm，蒸镀结束之后进行封装并切割，完成整个AM-QD-LED的显不面板。
[0104]需要说明的是，在实施例中对于形成结合层的结合材料没有特别限制，只要能够达到本发明实施例的目的即可，结合层上的可发生交联反应的官能团(例如烯基、炔基等官能团)通过在结合材料中包含具有可发生交联反应的官能团的物质如聚丁二烯或苯乙烯-马来酸酐共聚物来形成，也可以通过在结合层的表面上涂布这些物质来使得结合层的表面上具有可发生交联反应的官能团。在一些实施方式中，结合层由聚丁二烯或苯乙烯-马来酸酐共聚物形成。
[0105]该AM-QD-LED显示面板的出光方式为顶出光，可制备的亚像素最小尺寸为10-30微米，约300-800ppi。
[0106]以上所述仅是本发明的示范性实施方式，而非用于限制本发明的保护范围，本发明的保护范围由所附的权利要求确定。
【主权项】
1.一种量子点发光二极管基板，其包括多个亚像素发光区域，其中每个亚像素发光区域包括发光层，所述发光层包括结合层和与所述结合层结合的量子点。2.权利要求1的量子点发光二极管基板，其中所述结合层含有有机树脂。3.权利要求1或2的量子点发光二极管基板，其中所述有机树脂包括环氧树脂。4.权利要求1或2的量子点发光二极管基板，其中所述结合层和所述量子点之间通过形成交联网络而结合，所述量子点形成量子点层。5.权利要求1或2的量子点发光二极管基板，其中所述量子点通过嵌入所述结合层中而与所述结合层结合。6.权利要求1或2的量子点发光二极管基板，其中所述结合层的厚度为5至50纳米。7.权利要求1或2的量子点发光二极管基板，其中所述结合层由有机半导体材料或者有机导体材料制成。8.—种包含权利要求1至7中任一项的量子点发光二极管基板的显示面板。9.一种制备量子点发光二极管基板的方法，包括: 步骤1:在基板上形成结合材料的层，并对所述结合材料的层进行图案化从而形成对应于多个发光亚像素区域的图案的结合层； 步骤2:在所述结合层上涂覆量子点； 步骤3:通过外部引发条件，使得所述量子点与所述结合层结合，而将量子点固定在相应的发光亚像素区域中；和 步骤4:除去未结合的量子点，从而形成包含结合层和与所述结合层结合的量子点的发光层。10.权利要求9的方法，其中所述外部引发条件选自外部光引发、外部热引发、外部压力引发及其组合。11.权利要求9或10的方法，其中所述结合层的有机官能团可以与量子点的有机官能团相互反应，从而形成以量子点无机核为中心的交联网络。12.权利要求9至11中任一项的方法，其中所述结合材料含有有机树脂。13.权利要求12的方法，其中所述有机树脂包括环氧树脂。14.权利要求9或10所述的方法，其中所述量子点通过嵌入所述结合层中而与所述结合反云口 口 ο15.权利要求9或10所述的方法，其中所述结合层的厚度为5至50纳米。16.权利要求9或10所述的方法，其中所述结合材料包括有机半导体材料，有机导体材料或其组合。17.权利要求9或10所述的方法，其中步骤1中形成的结合层仅对应于一种颜色的发光亚像素区域的图案，所述方法包括多次重复步骤1-4，从而形成具有多种颜色的发光亚像素区域的图案。18.权利要求9或10所述的方法，其中所述方法包括仅进行一次步骤1，步骤1中形成的结合层对应于至少两种颜色的发光亚像素区域的图案，和至少两次重复步骤2-4，从而形成具有至少两种颜色的发光亚像素区域的图案。19.权利要求11所述的方法，其中量子点的有机官能团选自以下的一种或多种:能够在光照下发生交联反应的有机官能团，能够在升高的温度下发生交联反应的有机官能团，和能够在压力作用下发生交联反应的有机官能团。20.权利要求11所述的方法，其中量子点的有机官能团选自以下的一种或多种:1，7-辛二稀、1,9-辛二炔、巯基、异戊二稀、氨基、P比啶、羧酸、硫醇、酸或其任意组合。
【专利摘要】提供一种具有结合层的量子点发光二极管基板及其制备方法。所述量子点发光二极管基板包括多个亚像素发光区域，其中每个亚像素发光区域包括发光层，所述发光层包括结合层和与所述结合层结合的量子点。所述量子点发光二极管基板可以以高的分辨率和方便的工艺制备，适合于大规模生产。
【IPC分类】H01L51/50, H01L51/56
【公开号】CN105449111
【申请号】CN201610012450
【发明人】李延钊, 李重君, 陈卓, 张渊明
【申请人】京东方科技集团股份有限公司
【公开日】2016年3月30日
【申请日】2016年1月8日