且第二阈值可为I至5_。如果娃基板的第一边缘和第二边缘分别定位在离电极的Imm和3_，则这两个边缘均在其离电极的相应阈值距离内。
[0031]在一个实施例中，硅基板可定位在两个电极之间。在一个实施例中，第二硅基板可放置在溶液中。第二硅基板可与第一硅基板实质上平行且非平面。第二硅基板可放置在第一娃基板与电极之一之间。
[0032]在一个例子中，第一娃基板和第二娃基板可由晶片盒按一行保持。在一个例子中，多个硅基板可由晶片盒按一行保持在适当位置。
[0033]在162处，第一电流可传导穿过硅基板，其中第一电极或基板的放置(例如，使基板的边缘处于电极的阈值距离内)允许沿着硅基板的边缘的实质上均匀的多孔化。在一个实施例中，用于多孔化的电流密度可在0.l-50mA/cm2的范围内。在一个实施例中，实质上均匀的多孔化可被限定为沿着边缘及在硅基板的表面上均质的多孔化。硅基板的表面可为被周边边缘围绕的平坦顶部或底部表面。
[0034]在一个实施例中，第一电极可从硅基板的至少一个边缘汲取电流。在一个实施例中，第一电极可使第二电流沿着第一硅基板的第一边缘传导。第二操作162还可包括围绕第一硅基板的周边边缘的第一电极。注意，围绕可能不一定包括围绕所有每个周边边缘(例如，如图4所示)。另外，在一些实施例中(例如，如图3所示)，第二电极130可为阳极，并且第一电极133和第三电极132可为阴极。
[0035]在上述实施例中，相对于边缘放置第一电极可允许沿着硅基板的边缘的实质上均匀的多孔化。
[0036]参照图2，示出了使第一电流传导穿过第一硅基板。传导第一电流可包括使第一电流134传导穿过第一硅基板100。如图示实施例中所示，第一硅基板100定位在第二电极130与第三电极132之间。相对于第一硅基板100的周边边缘114、116(例如，在阈值距离内)放置第一电极133可允许沿着周边边缘114、116实质上均匀的多孔化，从而得到多孔层110。在一个实施例中，传导第一电流134可导致第一电极133从第一硅基板100的第一边缘114、116汲取电流。
[0037]图3延续图2的例子。如图所示，第二硅基板101可放置在第一硅基板100与第三电极132之间。第二硅基板101可与第一硅基板100实质上平行且非平面。在一个实施例中，第一电流可传导穿过第一硅基板和第二硅基板。另外，第一电极133的放置允许沿着第一硅基板100和第二硅基板101两者的第一边缘114、116实质上均匀的多孔化，从而得到第一硅基板100和第二硅基板101两者的均匀多孔层110、111。图3的配置可允许多个硅基板放置在第二电极130与第三电极132之间。第一电极133(其也可被称为分流电极)可允许第二电流136从第一硅基板100均匀流出。因此，所述的方法和配置允许在多个硅基板上执行多孔化工
-H-
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[0038]参照图4至图6，示出了硅基板以及第一电极的各种放置配置。图4示出了第一电极133a的配置，其中电极可围绕第一硅基板100的多个边缘120、121、122、123、124、125、126、127。在周边边缘的阈值距离内放置第一电极133a或分流电极可允许在使电流传导穿过第一硅基板100时沿着第一硅基板的周边边缘120、121、122、123、124、125、126、127实质上均匀的多孔化，从而得到围绕周边边缘的均匀多孔层。
[0039]在图5中，第一电极133b可处于第一硅基板100的第一边缘120的阈值距离内。因此，在第一边缘120的阈值距离内放置第一电极133b可允许在使电流传导穿过第一娃基板100时沿着第一硅基板100的第一边缘120实质上均匀的多孔化。在一个实施例中，在第一硅基板100的第二边缘121的阈值距离(与用于第一边缘的阈值距离相同或不同)内放置第一电极133b，还可包括允许在使电流传导穿过第一硅基板100时沿着第一硅基板100的第二边缘121实质上均匀的多孔化。
[0040]图6不出了另一种配置，其中第一娃基板100的约一半的周围周边边缘120、121、122、123和124位于第一电极133c的阈值距离内。可存在多种放置和配置，并且方法和设备不限于所述的那些。
[0041]图7示出了用于使第一电流传导穿过第一硅基板和第二硅基板的另一个实施例。与图3中所述的类似，可在传导第一电流134之前，将第二硅基板101定位在第一硅基板100与第三电极132之间。第二硅基板101可与第一硅基板100实质上平行且非平面。第一电流134可传导穿过第一硅基板和第二硅基板。在一些实施例中，第二电流等于第一电流(例如，安培数方面相同或大约相同，相同或大约相同的方向等)。在其他实施例中，第二电流不同于第一电流(例如，不同安培数、不同方向等)。与图3截然不同的是，图7的例子示出了离第一硅基板100和第二硅基板101两者分别的周边边缘114、116的阈值距离内放置第一电极133。例如，第一电极133或分流电极可延伸跨越第一硅基板100和第二硅基板101两者的边缘114、116或周边边缘。在另一个实施例中，可使用多个分流电极，使得分流电极中的一者或多者邻近第一硅基板100和第二硅基板101的边缘114、116。相似地，图7的第一电极133可延伸到邻近多个硅基板的多个边缘。
[0042]参照图8，示出了用于使第一电流传导穿过第一硅基板的又一个实施例。与上述类似，传导第一电流134可包括使第一电流134传导穿过第一硅基板100，所述第一硅基板100定位在第二电极130与第三电极132之间，其中相对于第一硅基板100的周边边缘114、116放置第一电极133允许沿着第一硅基板100的第一边缘114、116实质上均匀的多孔化。如图所示，第一电极133可使第三电流135沿着第一硅基板100的第一边缘114、116传导。在一个实施例中，电流可在施加在第二电极与第三电极之间的电流的+/-10%容差内。第三电流可允许沿着第一硅基板100的第一边缘114、116实质上均匀的多孔化。相似地，相对于第一硅基板100的第二边缘(例如，在阈值距离内)放置第一电极133还可包括允许沿着第一硅基板100的第二边缘的实质上均匀的多孔化，从而得到均匀的多孔层110。另外，在一些实施例中，第一电极133和第二电极130可为阳极，并且第三电极132可为阴极。
[0043]在一些实施例中，第二硅基板101可定位在第一硅基板100与第三电极132之间。与图3中所述的类似，第二硅基板101可与第一硅基板100实质上平行且非平面。第一电流134和第二电流136(其可等于第一电流)可分别传导穿过第一硅基板和第二硅基板。图8中所述的配置和方法允许多个硅基板放置在第一硅基板100与第三电极132之间。第一电极133允许第二电流136穿过第一硅基板100朝下一个硅基板(诸如图3所示的第二硅基板)均匀流动。因此，所述的方法和配置可允许在多个硅基板上执行多孔化工艺。
[0044]图9示出了另一个多孔化结构。多孔化结构140包括溶液142(例如，多孔化溶液)。在其他例子中，溶液可为化学物质，诸如氢氟酸(HF)、异丙醇(IPA)、乙醇等。第一连接器138可将第一电极133保持在适当位置并且还充当电流的导管。第二连接器137可将第二电极130保持在适当位置，其中电流还可从第二连接器137流向第二电极130。相似地，第三连接器139可将第三电极132保持在适当位置，其中第三连接器139还可充当电流的导管。第一硅基板100可定位在第二电极130与第三电极132之间，其中相对于第一硅基板100的第一边缘114、116 (例如，在阈值距离内)放置第一电极133允许沿着第一硅基板100的第一边缘114、116实质上均匀的多孔化，如以上方法中所述。多孔化槽144可包封并保持多孔化结构。
[0045]在一个实施例中，多个硅基板可放置在多孔化槽中。在一个实施例中，夹具或平面夹具可用于将多个硅基板一起保持在相同几何平面内。在一个实施例中，硅基板可由平面夹具保持在一起。在一个例子中，平面夹具中的每个硅基板可为实质上平行且平面的。在一个例子中，多个电极诸如第一电极可处于离平面夹具中的硅基板的边缘的一个或多个阈值距离内。在使第一电流传导穿过由平面夹具保持的硅基板的过程中，电极允许沿着硅基板的边缘的实质上均匀的多孔化。在另一个实施例中，多个硅基板可按一行保持在一起，例如保持在盒中。在一个例子中，盒中的每个硅基板为实质上平行且非平面。在一个例子中，第一电极可处于离第一硅基板的边缘的阈值距离内。在使第一电流传导穿过盒中的硅基板时，第一电极可允许沿着硅基板的边缘的实质上均匀的多孔化。可使用对多个硅基板批