增强的多孔化的制作方法
【技术领域】
[0001]本文所述主题的实施例整体涉及半导体、硅基板和太阳能电池。更具体地讲，所述主题的实施例涉及半导体、太阳能电池和制造工艺。
【背景技术】
[0002]半导体和基于硅的基板是广泛用于半导体和电子产业的熟知器件，适用于各种应用和器件。例如，太阳能电池(一种半导体型器件)是将太阳辐射转换为电能的熟知器件。它们可以在半导体晶片上用半导体加工技术制造。光伏电池或太阳能电池包括P型扩散区和N型扩散区。照射在太阳能电池上的太阳辐射产生迀移至扩散区的电子和空穴，从而在扩散区之间形成电压差。在背接触太阳能电池中，扩散区和与它们耦接的金属接触指均位于太阳能电池的背面上。接触区和接触指允许外部电路耦接到太阳能电池上并由太阳能电池供电。一个或多个实施例涉及光伏电池或太阳能电池和光伏制造工艺。此类工艺可包括加工硅基板以便为如下所述的后续太阳能电池工艺作准备。
【发明内容】
[0003]公开了用于在硅基板上形成多孔层的方法。所述方法可包括将第一硅基板放置在溶液中，其中第一电极处于所述第一硅基板的第一边缘的阈值距离内。所述方法还可包括使第一电流传导穿过第一硅基板，其中在第一边缘的阈值距离内放置第一电极允许沿着第一硅基板的第一边缘的实质上均匀的多孔化。所述方法还可包括在第一硅基板的第二边缘的阈值距离(相同或不同)内放置第一电极，从而允许沿着第一硅基板的第二边缘的实质上均匀的多孔化。
[0004]公开了在硅基板上形成多孔层的另一种方法。所述方法可包括将第一硅基板放置在溶液中，所述第一硅基板定位在第二电极与第三电极之间，其中第一电极沿着第一硅基板的第一周边边缘定位。所述方法还可包括使第一电流从第二电极穿过第一硅基板传导到第三电极，其中相对于第一周边边缘(例如，在阈值距离内)放置第一电极允许沿着第一娃基板的第一周边边缘的实质上均匀的多孔化。所述方法可包括相对于第一硅基板的第二周边边缘(例如，在阈值距离内)放置第一电极允许沿着第一硅基板的第二周边边缘的实质上均匀的多孔化。
[0005]公开了在硅基板上形成多孔层的又一种方法。所述方法可包括将第一硅基板放置在溶液中，所述第一硅基板定位在第二电极与第三电极之间，其中第一电极围绕第一硅基板的周边边缘。所述方法还可包括使第一电流从第二电极穿过第一硅基板传导到第三电极，其中相对于周边边缘(例如，在阈值距离内)放置第一电极允许沿着第一硅基板的周边边缘的实质上均匀的多孔化。
【附图说明】
[0006]当结合以下附图考虑时，通过参见【具体实施方式】和权利要求书可以更完全地理解所述主题，其中在所有附图中，类似的附图标记是指类似的元件。
[0007]图1为根据一些实施例用于在硅基板上形成多孔层的示例方法的流程示意图；
[0008]图2示出了根据一个实施例在第一硅基板上形成多孔层的横截面；
[0009]图3示出了根据一个实施例在第一硅基板和第二硅基板上形成多孔层的横截面；
[0010]图4至图6为根据一些实施例的第一电极和第一硅基板的示意性平面图；
[0011 ]图7示出了根据一个实施例在第一硅基板和第二硅基板上形成多孔层的横截面；
[0012]图8示出了根据一个实施例在第一硅基板上形成多孔层的横截面；
[0013]图9示出了根据一个实施例，根据用于在第一硅基板上形成多孔层的方法的多孔化结构的横截面；
[0014]图10示出了根据一个实施例，根据用于在第一硅基板上形成多孔层的方法的另一个多孔化结构的横截面；
[0015]图11示出了根据所公开的多孔化技术制造的示例太阳能电池的横截面;以及
[0016]图12示出了根据所公开的多孔化技术制造的另一个示例太阳能电池的横截面。
【具体实施方式】
[0017]以下【具体实施方式】本质上只是例证性的，并非意图限制所述主题的实施例或此类实施例的应用和用途。如本文所用，词语“示例性”意指“用作例子、实例或举例说明”。本文描述为示例性的任何实施未必理解为相比其它实施优选的或有利的。此外，并不意图受前述技术领域、【背景技术】、
【发明内容】
或以下【具体实施方式】中提出的任何明示或暗示的理论的约束。
[0018]本说明书包括对“一个实施例”或“实施例”的提及。短语“在一个实施例中”或“在实施例中”的出现不一定是指同一实施例。特定的特征、结构或特性可以任何与本公开一致的合适方式加以组合。
[0019]术语。以下段落提供存在于本公开(包括所附权利要求书)中的术语的定义和/或背景:
[0020]“包括”。该术语是开放式的。如在所附权利要求书中所用，该术语并不排除另外的结构或步骤。
[0021]“被配置为”。各种单元或组件可被描述或主张成“被配置为”执行一项或多项任务。在这样的背景下，“被配置为”用于通过指示该单元/组件包括在操作期间执行一项或多项那些任务的结构而暗示结构。因此，即使当指定的单元/组件目前不在操作(例如，未开启/激活)时，也可将该单元/组件说成是被配置为执行任务。详述某一单元/电路/组件“被配置为”执行一项或多项任务明确地意在对该单元/组件而言不援用35U.S.C.§112第六段。
[0022]如本文所用的“第一”、“第二”等这些术语用作其之后的名词的标记，而并不暗示任何类型的顺序(例如，空间、时间和逻辑等)。例如，提及“第一”太阳能电池并不一定暗示该太阳能电池是某一序列中的第一个太阳能电池;相反，术语“第一”用于区分该太阳能电池与另一个太阳能电池(例如，“第二”太阳能电池)。
[0023]“耦接以下描述是指“耦接”在一起的元件或节点或特征。如本文所用，除非另外明确指明，否则“親接”意指一个元件/节点/特征直接或间接连接至另一个元件/节点/特征(或直接或间接与其连通)，并且不一定是机械耦接。
[0024]此外，以下描述中还仅为了参考的目的使用了某些术语，因此这些术语并非意图进行限制。例如，诸如“上部”、“下部”、“上面”或“下面”等术语是指附图中提供参考的方向。诸如“正面”、“背面”、“后面”、“侧面”、“外侧”和“内侧”等术语描述在一致但任意的参照系内组件的某些部分的取向和/或位置，通过参考描述所讨论部件的文字和相关的附图可以清楚地了解这些取向和/或位置。这样的术语可以包括上面具体提及的词语、它们的衍生词语以及类似意义的词语。
[0025]虽然为了易于理解依据硅基板和半导体器件描述本公开的很多内容，但所公开的技术和结构同样适用于其他半导体结构(诸如硅晶片)及其应用(诸如光伏电池或太阳能电池中的应用)。
[0026]硅基板的多孔化工艺所面临的常见问题包括沿着边缘均匀地形成多孔层。在一个例子中，与硅基板的表面之内或之上相比，一些多孔化技术沿着边缘可获得更高多孔化。又如，与硅基板的表面之内或之上相比，一些多孔化技术在边缘处可获得更低多孔化。一些技术可包括使用圆形硅基板并移除多余边缘以形成硅晶片的所需形状和尺寸。此类技术可能较昂贵并且给硅晶片形成工艺增加了额外步骤。为了解决以上难点，提供了各种技术以便在硅基板上形成实质上均匀的多孔层。
[0027]图1示出了在硅基板上形成多孔层的示例方法的实施例的流程图。在各种实施例中，图1的方法可包括与图示相比额外的(或更少的)框图。
[0028]如在160处所示，硅基板可放置在溶液中，其中电极可邻近硅基板的边缘和/或在硅基板的边缘的阈值距离内。在一个例子中，边缘可被称为周边边缘，其中边缘可以指周边边缘。在一些实施例中，硅基板可为非圆形硅基板。在其他实施例中，硅基板可为正方形、矩形、三角形、梯形或任何多边形形状。在一个例子中，硅基板可具有大约在100微米-1毫米范围内的厚度。
[0029]在一个实施例中，硅基板可放置在多孔化溶液中。在一些实施例中，硅基板可放置在包含选自由氢氟酸(HF)、异丙醇(IPA)和乙醇构成的组的化学物质的溶液中。在一个实施例中，溶液可包括氢氟酸(HF)与异丙醇(IPA)的组合或氢氟酸(HF)与乙醇的组合。
[0030]在一个实施例中，电极(例如，第一电极)可相对于硅基板的边缘定位。注意，基板及其边缘可相似地相对于电极(例如，如果电极固定在适当位置的话)定位。在一个实施例中，电极可定位在硅基板的边缘或第一边缘的阈值距离内，诸如0.5至5毫米内。在一个实施例中，电极可相对于硅基板的另一个边缘或第二边缘放置。例如，电极可在离第二边缘的与离第一边缘相同的阈值距离内。在另一个实施例中，不同阈值距离可适用于第二边缘。例如，第一阈值可为0.5至2mm，并