r>[0038]因此，针对现有技术，为实现多个通孔位置处的刻蚀选择比均匀，可以使盖板上的中圈区域和外圈区域内各个通孔靠近盖板的中心区域设置，以增大该各个通孔对应的反应区域的大小，同时可以降低中心区域内通孔的反应区域的大小，这可以补偿盖板外圈区域内各个通孔位置处的刻蚀选择比较低，以及中心区域内通孔位置处刻蚀选择比较高，从而使得各个通孔位置处的刻蚀选择比均匀，进而可以提高单次工艺的良品率。
[0039]优选地，各个反应区域的面积相等，也就是说，盖板上各个通孔周边的环形盖板上表面的大小相等，这可以在机台刻蚀均匀性好的情况下避免由于盖板上各个通孔对应的反应区域的面积大小不相等而影响片间刻蚀均匀性。
[0040]在本实施例中，在机台刻蚀均匀性好的情况下，也可以多个通孔在盖板上从中心向边缘均匀设置，盖板周向上且靠近盖板边缘的各个通孔对应的反应区域的面积与其他通孔对应的反应区域的面积之间的误差范围在3?5%。
[0041]为实现多个通孔在盖板上从中心向边缘均匀设置。具体地，多个通孔中一个通孔201设置在盖板20的中心位置，其他通孔设置在以中心位置处通孔201的中心为中心的N个圈层内，N为> 2的整数，如图2所示，N = 2 ;沿盖板20由中心向边缘的多个圈层依次称之为第η个圈层，I < η < N，且η为整数；其中，M个通孔沿盖板20的周向间隔且均匀设置在第I个圈层内，M为彡3的整数，M个通孔的中心连线形成正M边形，如图2所示，M = 6 ；η*Μ个通孔沿盖板20的周向间隔设置在第η个圈层内，该η*Μ个通孔的中心连线形成正M边形；并且，每个通孔和与之相邻的每个通孔之间的中心距L相等。在这种情况下，盖板周向上且靠近盖板边缘的各个通孔为第N圈层内的各个通孔，也就是，如图2中所示的第2圈层内的各个通孔203。
[0042]在本实施例中，位于盖板20的中心位置的通孔201和位于第I?N_1个圈层内的各个通孔对应的反应区域的面积等于正M边形内的盖板上表面积的二分之一；位于第N个圈层内的各个通孔对应的反应区域的面积等于与之相邻的各个通孔的中心线形成的图形内的盖板上表面积的二分之一 +(盖板的总上表面积一第N个圈层内N*M个通孔的中心线形成的图形内的盖板上表面积)/ (N*M)。
[0043]下面结合图3a_图3c详细描述本实施例提供的盖板各个通孔一一对应的反应区域的面积大小的计算方式。具体地，位于第I圈层内的6个通孔202的中心连线形成正六边形，如图2所示的虚线所示，在这种情况下，位于中心位置的通孔201对应的反应区域的面积等于第I圈层内各个通孔202形成的正六边形内的盖板上表面积的二分之一，也就是，图3a中所示的阴影面积的二分之一。位于第I圈层内的各个通孔202对应的反应区域的面积等于与之相邻的各个通孔的中心连线形成的正六边形内的盖板上表面积的二分之一，也就是，图3b中所示的阴影面积的二分之一，因此，中心位置的通孔201和第I圈层内各个通孔对应的反应区域的面积大小相等。位于第2圈层内的各个通孔203对应的反应区域的面积等于与之相邻的3个通孔的中心连线的形成的图形内的盖板上表面积的二分之一+十二分之一的(盖板总上表面积一第2圈层内各个通孔的中心连线形成的正六边形内的盖板上表面积)，也就是，图3c中的阴影面积A的二分之一 +阴影面积的B的十二分之一，在实际应用中，可以使得第2圈层内的各个通孔对应的反应区域的面积与中心位置和第I圈层内各个通孔的面积的误差范围在3?5%。
[0044]可以理解，盖板上通孔的设置数量与相邻两个通孔的中心距L成反比，因此，在实际应用中，应在保证各个通孔位置处的刻蚀选择比趋于均匀的前提下，尽可能地减小相邻两个通孔的中心距L的取值，以尽可能地提高通孔的设置数量，从而可以提高单次工艺的工艺数量。
[0045]需要说明的是，本发明并不局限于上述计算各个通孔对应的反应区域面积大小的方法，在实际应用中，可以采用其他计算方法进行计算各个通孔反应区域的面积大小。例如，可以采用如下计算方法:计算如图3a所示的阴影面积为中心位置的通孔201对应的反应区域的面积，而图3b所示的阴影面积为第I圈层的各个通孔202对应的反应区域的面积，而第2圈层的各个通孔203对应的反应区域的面积为阴影面积A和十二分之一的阴影面积B之和。
[0046]还需要说明的是，在本实施例中，在机台刻蚀均匀性好的情况下，盖板上多个通孔采用如图2所示的方式设置分布。但是，本发明并不局限于此，在实际应用中，也可以在机台刻蚀均匀性好的情况下，该板上多个通孔采用其他方式来实现各个通孔对应的反应区域的面积大小区域相等，在此不一一列举。
[0047]另外需要说明的是，在实际应用中，若机台设备的刻蚀均匀性差，即存在偏心的情况下，同样可以采用本发明实施例提供的盖板，根据与通孔一一对应的各个反应区域的面积大小和与之对应的通孔位置处的刻蚀选择比大小成正相关关系，设置盖板上多个通孔的位置分布来实现改变各个通孔位置处的刻蚀选择比的大小，以改善甚至消除上述刻蚀机台设备的偏心问题，从而提高片间刻蚀选择比的均匀性。
[0048]作为另外一个技术方案，本实施例还提供一种承载装置，该承载装置包括托盘和盖板，托盘用于承载多个基片，盖板采用本发明上述实施例提供的盖板。
[0049]本实施例提供的承载装置，其通过采用本实施例提供上述盖板，可以单次工艺的片间刻蚀均匀性，从而可以提高单次工艺的良品率。
[0050]可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
【主权项】
1.一种盖板，用于将多个基片固定在托盘上，且在所述盖板上表面设置有多个贯穿所述盖板厚度的通孔，各个通孔与所述托盘的用于承载各个基片的承载位一一对应，其特征在于，所述盖板上表面采用可消耗等离子体中仅与掩膜发生反应的自由基的材料制成；并且， 所述盖板上表面包括多个反应区域，各个反应区域为一一对应地位于各个通孔周边的环形区域，并且各个反应区域的面积大小和与之对应的通孔位置处的刻蚀选择比大小成正相关关系。2.根据权利要求1所述的盖板，其特征在于，各个所述反应区域的面积相等。3.根据权利要求1所述的盖板，其特征在于，所述盖板采用铝材料制成。4.根据权利要求1所述的盖板，其特征在于，所述基片包括蓝宝石衬底。5.根据权利要求1所述的盖板，其特征在于，所述多个通孔在所述盖板上从中心向边缘均匀设置，所述盖板周向上且靠近所述盖板边缘的各个通孔对应的反应区域的面积与其他通孔对应的反应区域的面积之间的误差范围在3?5%。6.根据权利要求5所述的盖板，其特征在于，所述多个通孔中一个通孔设置在所述盖板的中心位置，其他所述通孔设置在以中心位置处通孔的中心为中心的N个圈层内，N为^ 2的整数；沿所述盖板由中心向边缘的多个所述圈层依次称之为第η个圈层，Kn^N,且η为整数；其中 M个所述通孔沿所述盖板的周向间隔且均匀设置在第I个圈层内，M为> 3的整数，M个所述通孔的中心连线形成正M边形； η*Μ个通孔沿所述盖板的周向间隔设置在第η个圈层内，该η*Μ个通孔的中心连线形成正M边形；并且 每个通孔和与之相邻的每个通孔之间的中心距相等。7.根据权利要求6所述的盖板，其特征在于，位于所述盖板的中心位置的所述通孔和位于第I?N-1个圈层内的各个所述通孔对应的反应区域的面积等于正M边形内的盖板上表面积的二分之一； 位于所述第N个圈层内的各个所述通孔对应的反应区域的面积等于与之相邻的各个通孔的中心线形成的图形内的盖板上表面积的二分之一 +(盖板的总上表面积一第N个圈层内Ν*Μ个通孔的中心线形成的图形内的盖板上表面积)/(Ν*Μ)。8.根据权利要求6或7所述的盖板，其特征在于，N= 2，且M = 6。9.一种承载装置，包括托盘和盖板，所述托盘用于承载多个基片，所述盖板叠置在所述托盘上，用以将所述基片固定在所述托盘上，其特征在于，所述盖板采用权利要求1-8任意一项所述的盖板。
【专利摘要】本发明提供了一种盖板及承载装置，该盖板用于将多个基片固定在托盘上，且在盖板的表面设置有多个贯穿盖板厚度的通孔，各个通孔与托盘的用于承载各个基片的承载位一一对应，盖板采用可消耗等离子体中仅与掩膜发生反应的自由基的材料制成；并且，盖板上表面包括多个反应区域，各个反应区域为一一对应地位于各个通孔周边的环形区域，并且各个反应区域的面积大小和与之对应的通孔位置处的刻蚀选择比大小成正相关关系。本发明提供的盖板，其可以提高单次工艺的片间刻蚀均匀性，从而可以提高单次工艺的良品率。
【IPC分类】H01L33/52, H01L33/48
【公开号】CN105576101
【申请号】CN201410532503
【发明人】张君, 李兴存
【申请人】北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
【公开日】2016年5月11日
【申请日】2014年10月10日...