监控hdp腔室漏率的方法及系统的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体制造领域，特别涉及一种监控HDP腔室漏率的方法及系统。
【背景技术】
[0002]半导体集成电路制造工艺中，高密度等离子体制程(HDP，High Dense Plasmaprocess)由于良好的填孔能力，广泛应用于STI(Shallow Trench Insulat1n)和PMD(Pre-Metal Dielectric)介质层填充。
[0003]HDP制程的反应压力只有2?1utorr，腔室需要非常好的密闭性，如果有微漏会直接导致压力变化，影响颗粒，溅射率等参数，对产品缺陷，填孔能力都会造成重大影响。在实际的生产作业中，Ο-ring破损，Top nozzle裂缝等都会导致腔室微漏，这些零件都在PM的时候检查，或者在腔室空闲状态下，利用机台自带程式，手动漏率(Leak rate)检查，一般在PM前后或者日常，相对耗时并且不能实时监控，产品风险较大，但如果在制程作业中破损，由于目前的漏率点检需要手动操作，不能够有效及时地发现问题，产品的风险较大。
[0004]如图1所示，为了使腔体达到长膜所需的最优环境，clean(清洗，用于清除沉积在chamber内的薄膜)过程是必不可少的环节，在c lean之后进行Purge (净化)&Pump (抽气)的步骤，从而去除残留的颗粒。
【发明内容】
[0005]本发明的目的在于提供一种监控HDP腔室漏率的方法及系统，能够自动漏率监控，降低产品风险。
[0006]为解决上述问题，本发明提供一种监控HDP腔室漏率的方法，包括:
[0007]对HDP腔室进行清冼和净化；
[0008]在净化之后对HDP腔室进行抽气，以使HDP腔室达到真空极限；
[0009]侦测达到真空极限后的HDP腔室和第二预设时间后的HDP腔室的压力变化；
[0010]根据所述压力变化计算HDP腔室漏率。
[0011 ]进一步的，在上述方法中，在净化之后对HDP腔室进行抽气，以使HDP腔室达到真空极限，包括:
[0012]在净化之后对HDP腔室进行第一预设时间的抽气。
[0013]进一步的，在上述方法中，所述第一预设时间为2?10分钟。
[0014]进一步的，在上述方法中，所述第二预设时间为3?10分钟。
[0015]进一步的，在上述方法中，侦测达到真空极限后的HDP腔室和第二预设时间后的HDP腔室的压力变化，包括:
[0016]侦测达到真空极限后的HDP腔室的压力Pl;
[0017]关闭栗与HDP腔室之间的隔离门阀第二预设时间T后，再次侦测HDP腔室的压力P2;
[0018]比较Pl和P2的压力变化。
[0019]进一步的，在上述方法中，根据所述压力变化计算HDP腔室漏率，包括通过如下计算HDP腔室漏率:
[0020]HDP 腔室漏率=(Ρ2_Ρ1)/Τ。
[0021 ]根据本发明的另一面，还提供一种监控HDP腔室漏率的系统，包括:
[0022]清冼和净化模块，用于对HDP腔室进行清冼和净化；
[0023]抽气模块，用于在净化之后对HDP腔室进行抽气，以使HDP腔室达到真空极限；
[0024]侦测模块，用于侦测达到真空极限后的HDP腔室和第二预设时间后的HDP腔室的压力变化；
[0025]计算模块，用于根据所述压力变化计算HDP腔室漏率。
[0026]进一步的，在上述系统中，所述抽气模块，用于在净化之后对HDP腔室进行第一预设时间的抽气。
[0027]进一步的，在上述系统中，所述第一预设时间为2?10分钟。
[0028]进一步的，在上述系统中，所述第二预设时间为3?10分钟。
[0029]进一步的，在上述系统中，所述侦测模块，用于侦测达到真空极限后的HDP腔室的压力Pl;关闭栗与HDP腔室之间的隔离门阀第二预设时间T后，再次侦测HDP腔室的压力Ρ2;及比较Pl和Ρ2的压力变化。
[0030]进一步的，在上述系统中，所述计算模块，用于通过如下计算HDP腔室漏率:
[0031]HDP 腔室漏率=(Ρ2_Ρ1)/Τ。
[0032]与现有技术相比，本发明通过优化清洗(clean)之后的净化(purge)和pump(抽气)过程，在净化之后通过比较长时间栗抽和长时间密闭腔室，并侦测达到真空极限后的HDP腔室和第二预设时间后的HDP腔室的压力变化，计算腔室漏率，打破现有的单一手动漏率监测模式，实现自动漏率监控，及时发现问题，降低产品风险。
【附图说明】
[0033]图1是现有的使腔体达到长膜所需的最优环境的原理图；
[0034]图2是本发明一实施例的监控HDP腔室漏率的方法的流程图；
[0035]图3是本发明一实施例的监控HDP腔室漏率的方法的原理图；
[0036]图4是本发明一实施例的监控HDP腔室漏率的系统的模块图。
【具体实施方式】
[0037]为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和【具体实施方式】对本发明作进一步详细的说明。
[0038]如图2和3所示，本发明提供一种监控HDP腔室漏率的方法，包括:
[0039]步骤SI，对HDP腔室进行清冼和净化；
[0040]步骤S2，在净化之后对HDP腔室进行抽气，以使HDP腔室达到真空极限；
[0041 ] 步骤S3，侦测达到真空极限后的HDP腔室和第二预设时间后的HDP腔室的压力变化；
[0042]步骤S4，根据所述压力变化计算HDP腔室漏率。本实施例通过优化清洗(clean)之后的净化(purge)和pump (抽气)过程，在净化之后通过比较长时间栗抽和长时间密闭腔室，并侦测达到真空极限后的HDP腔室和第二预设时间后的HDP腔室的压力变化，计算腔室漏率，打破现有的单一手动漏率监测模式，实现自动漏率监控，及时发现问题，降低产品风险。
[0043]优选的，步骤S2，在净化之后对HDP腔室进行抽气，以使HDP腔室达到真空极限，包括:
[0044]在净化之后对HDP腔室进行第一预设时间的抽气。
[0045]优选的，如图3所示，所述第一预设时间为2?10分钟。
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