具有改善的电气特性的薄膜晶体管的制作方法
【专利说明】
[0001] 相关申请的交叉引用
[0002] 本申请要求于2014年12月10日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第 10-2014-0177373号的优先权，通过引用将其全部内容结合于本文中。
技术领域
[0003] 本发明设及薄膜晶体管。
【背景技术】
[0004] 通常，诸如液晶显示器或者有机发光显示器的平板显示器包括多对电场生成电极 W及设置在多对电场生成电极之间的电光活性层。液晶显示器包括作为电光活性层的液晶 层，并且有机发光显示器包括作为电光活性层的有机发光层。
[0005] 一对电场生成电极连接至典型的开关元件W接收电信号，并且电光活性层将电信 号转换为光信号W显示图像。
[0006] 在平板显示器中，薄膜晶体管（TFT)用作开关元件，并且在平板显示器中设置信 号线，诸如传输用于控制薄膜晶体管的扫描信号的栅极线和传输要施加至像素电极的信号 的数据线。
【发明内容】
[0007] 在一个方面中，本文所公开的薄膜晶体管具有均匀的电气特性。
[0008] 在另一方面中，本文所公开的薄膜晶体管具有降低的功耗。
[0009] 本发明构思的另外的方面W及特征将在W下描述中阐述，并且基于本公开内容对 于本领域中的普通技术人员将变得显而易见。
[0010] 根据实施方式，薄膜晶体管包括：半导体层；第一金属氧化物层，与半导体层接触 并且具有比半导体层的导热率低的导热率；W及第二金属氧化物层，与第一金属氧化物层 接触并且具有比第一金属氧化物层的导热率高的导热率。
[0011] 根据另一实施方式，薄膜晶体管包括：半导体层；第一金属氧化物层，与半导体层 接触并且具有比半导体层的导热率低的导热率；W及金属层，与第一金属氧化物层接触。
[0012] 第二金属氧化物层可具有比半导体层的导热率高的导热率。
[0013] 薄膜晶体管可包括接触第二金属氧化物层的金属层。
[0014] 薄膜晶体管可进一步包括第=金属氧化物层，第=金属氧化物层具有比第一金属 氧化物层的导热率高的导热率。金属层可布置在第二金属氧化物层与第=金属氧化物层之 间。金属层可布置在第一金属氧化物层与第=金属氧化物层之间。
[0015] 第一金属氧化物层可具有比半导体层的蚀刻率高的蚀刻率。
[0016] 第二金属氧化物层可具有比第一金属氧化物层的蚀刻率高的蚀刻率。
[0017] 金属层可具有比第=金属氧化物层的蚀刻率高的蚀刻率。
[001引第S金属氧化物层可具有比第二金属氧化物层的蚀刻率高的蚀刻率。
[0019] 第一金属氧化物层可由第一材料制成，半导体层由第二材料制成，并且薄膜晶体 管包括其中第一材料和第二材料混合的混合层。混合层可具有比半导体层的导热率低的导 热率。
[0020] 混合层可布置在半导体层与第一金属氧化物层之间。
[0021] 半导体层可包括沟道部分和布置在沟道部分周围的外围部分，并且第一金属氧化 物层接触外围部分而不接触沟道部分。
[0022] 薄膜晶体管可包括接触沟道部分的第一金属氧化物层。
[0023] 接触沟道部分的第一金属氧化物层可比接触外围部分的第一金属氧化物层薄。
[0024] 本公开的薄膜晶体管可通过改善电气特性的散布性（dispersion)而呈现均匀的 电气特性。
[0025] 本公开的薄膜晶体管可降低功耗。
[00%] 根据本发明构思的实施方式的薄膜晶体管可解决显示装置的稱色劣势的问题。
[0027] 根据本发明构思的效果不限于本文明确公开的内容。
【附图说明】
[0028] 通过W下结合附图进行的详细描述，本发明的W上及其他目标、特征和优点将变 得更加显而易见，其中：
[0029] 图1是根据本公开的实施方式的薄膜晶体管基板的示意性布局图；
[0030] 图2是沿着图1的线11-11'截取的示意性截面图；W及
[0031] 图3、图4、图5、图6、图7、图8、图9、图10和图11是根据本公开的另一实施方式 的薄膜晶体管基板的示意性截面图。
【具体实施方式】
[0032] 在下文中，现将参考附图更全面地描述示例性实施方式；然而，它们可体现为不同 的形式并且不应被解释为限于本文中阐述的实施方式。更确切地说，提供运些实施方式使 得本公开将是彻底和完整的，并且将向本领域的技术人员充分地传达示例性实施。
[0033] 在附图中，为了说明的简洁起见，可夸大元件和区域的尺寸。还应当理解的是，当 层或元件被称为"在"另一元件或基板"上"时，其可直接在另一其他元件或基板上，或者可 存在中间元件。此外，应当理解，当元件被称为"连接"或"禪接"至另一个元件时，其可直 接连接或禪接至另一个元件，或者也可存在一个或多个中间元件。此外，还应当理解的是， 当层被称为"在"两个层"之间"时，其可W是两个层之间的唯一层，或者也可存在一个或多 个中间层。相反，当元件被称为例如"直接在"另一元件或层"上"、"直接连接至"或者"直 接禪接至"另一元件或层时，则不存在中间元件或中间层。如本文中所使用的，连接可指元 件彼此物理地、电气地和/或流动地连接。
[0034] 贯穿全文，相似的参考标号指代相似的元件。如本文中所使用的，术语"和/或"包 括一个或多个相关列出项的任何组合和所有组合。
[0035] 应当理解，尽管在本文中可使用术语第一、第二、第=等来描述各种元件、部件、区 域、层和/或部分，但是运些元件、部件、区域、层和/或部分不应受运些术语限制。运些术 语仅用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一个元件、部件、区域、层或部分区分开。因 此，在不背离本实施方式的教导的前提下，下面所讨论的第一元件、第一部件、第一区域、第 一层或第一部分可被称为第二元件、第二部件、第二区域、第二层或第二部分。
[0036] 为了便于描述，本文中可使用诸如"下方"、"下部"、"下面"、"上方"、"上部"等的 空间相对术语来描述如在图中所示的一个元件或特征相对其他元件或特征的关系。应当 理解，空间相对术语旨在包含除了图中描绘的方位之外的在使用或操作中的装置的不同方 位。例如，如果图中的装置被翻转，则被描述为相对于其他元件或特征在"下方"或"下面" 的元件将被定位为相对于其他元件或特征在"上方"。因此，示例性术语"下方"可包括上方 和下方两个方位。装置可被另外地被定位（旋转90度或者处于其他方位）并且相应地解 释本文所用的空间相对描述符。
[0037] 本文中使用的术语只是为了描述【具体实施方式】的目的，并非旨在限制。如本文中 使用的，除非在上下文中另有明确表示，否则单数形式"一"、"一个"和"该"旨在也包括复数 形式。应进一步理解，当在本说明书中使用术语"包括（comprise)"、"包括（comprising)"、 "包含（include)"和/或"包含（including)"时，规定指定特征、整体、操作、元件和/或部 件的存在，但并不排除一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组合的 存在或添加。
[0038] 在下文中，将参照附图详细地描述本发明的实施方式。
[0039] 图1是根据本发明的实施方式的薄膜晶体管基板的示意性布局图，W及图2是沿 着图1的线II-II'截取的示意性截面图。
[0040] 参照图1和图2,根据实施方式的薄膜晶体管基板可包括绝缘基板110、栅极线化、 栅电极124、栅极绝缘层140、半导体层154、数据线化、第一阻挡层NPL源电极173、漏电极 175、纯化层180 W及像素电极191。源电极173和漏电极175中的每一个可包括接触第一 阻挡层NPL的第二阻挡层17化或175p、金属层173q或175q W及封盖层17化或175r。
[0041] 在描述中，第一阻挡层WL包括第一金属氧化物，并且可被称为"第一金属氧化物 层"。在描述中，第二阻挡层17化或175P包括第二金属氧化物，并且可被称为"第二金属氧 化物层"。在描述中，封盖层17化或175r包括第=金属氧化物，并且可被称为"第=金属氧 化物层"。
[0042] 薄膜晶体管基板可具有其中栅极线化、栅电极124、栅极绝缘层140、半导体层 154、第一阻挡层NPL数据线化、源电极173、漏电极175、纯化层180化及像素电极191依 次层压在绝缘基板110上的结构。源电极173和漏电极175中的每一个可具有其中第二阻 挡层17化或175p、金属层173q或175q W及封盖层17化或175r依次层压在第一阻挡层 NPL上的结构。
[0043] 绝缘基板110可由透明玻璃或者合成树脂形成。 W44] 栅极线化可传输栅极信号，并且可沿着水平方向Dl在绝缘基板110上延伸。栅 电极124可从栅极线化朝向像素电极191突出。在未限制的实例中，栅极线化和栅电极 124可由诸如侣（Al)或侣合金的侣类金属、诸如银（Ag)或银合金的银类金属、诸如铜（化） 或铜合金的铜类金属、诸如钢（Mo)或钢合金的钢类金属、铭（化）、铁灯i)或粗灯a)制成。 W45] 栅极绝缘层140可布置在绝缘基板110与栅电极124上。栅极绝缘层140可覆盖 栅极线化和栅电极124的整个表面。栅极绝缘层140可包括第一绝缘层140a和第二绝缘 层14化。在未限制的实例中，第一绝缘层140a可比第二绝缘层14化厚。第一绝缘层140a 可由具有约4(说O甚的厚度的氮化娃（Si化）形成，并且第二绝缘层14化可由具有约500A 的厚度的氧化娃（Si化）形成。