薄膜晶体管基板及其制造方法

薄膜晶体管基板及其制造方法
【专利摘要】本发明提供了薄膜晶体管基板及其制造方法。薄膜晶体管基板包括开关元件，该开关元件包括：栅电极，电连接到在第一方向上延伸的栅线；有源图案，交叠栅电极；源电极，设置在有源图案上并电连接到在交叉第一方向的第二方向上延伸的数据线；以及漏电极，与源电极间隔开。薄膜晶体管基板还包括：有机层，设置在开关元件上；第一电极，设置在有机层上；以及第二电极，交叠第一电极，并电连接到漏电极。第二电极的厚度比第一电极的厚度厚。
【专利说明】
薄膜晶体管基板及其制造方法
技术领域
[0001] 本公开的示范性实施方式设及薄膜晶体管基板W及制造该薄膜晶体管基板的方 法。
【背景技术】
[0002] 通常，液晶显示化CD)装置包括显示基板、上基板W及插设在显示基板与上基板之 间的液晶层。多个信号线和多个薄膜晶体管形成在显示基板上。
[0003] 为了在LCD装置上显示图像，液晶显示面板通常使用扭转向列(TN)模式。为了保证 宽视角，液晶显示面板可W W不同的模式诸如面线转换(PLS)模式操作。
[0004] PLS模式的液晶显示面板形成像素电极和交叠像素电极的公共电极。电场施加在 像素电极和公共电极之间W改变液晶分子的取向从而表现灰度级。
[0005] PLS模式的液晶显示面板的像素电极经由接触孔电连接到漏电极。在具有低分辨 率的液晶显示面板中，有机层没有被接触孔暴露。然而，在具有高分辨率的液晶显示面板 中，有机层可W被接触孔暴露用于增大开口率。
[0006] 当有机层被暴露时，有机层的表面会在形成接触孔的工艺中被损伤。有机层可能 由于有机层的表面上的损伤而变成亲水性的，因此也0被吸收到有机层的表面。结果，会形 成活性未填充区域(active unfilled area,AUA)。

【发明内容】

[0007] 本公开的示范性实施方式提供能够减小电阻并增大透射率的显示基板W及制造 该显示基板的方法。
[000引在根据一个实施方式的示范性实施方式中，一种薄膜晶体管基板包括开关元件， 该开关元件包括:栅电极，电连接到在第一方向上延伸的栅线;有源图案，交叠栅电极;源电 极，设置在有源图案上并电连接到在交叉第一方向的第二方向上延伸的数据线；W及漏电 极，与源电极间隔开。薄膜晶体管基板还包括:有机层，设置在开关元件上;第一电极，设置 在有机层上；W及第二电极，交叠第一电极，并电连接到漏电极。第二电极的厚度比第一电 极的厚度厚。
[0009] 在示范性实施方式中，薄膜晶体管基板还可W包括设置在第一电极和第二电极之 间W使第一电极和第二电极绝缘的纯化层。
[0010] 在示范性实施方式中，纯化层可包括暴露漏电极的一部分和有机层的一部分的接 触孔。
[00川在示范性实施方式中，有机层的表面可W具有崎帳不平的结构（bumpy Struc化re)。有机层的表面的凸块(bump)的平均高度可W小于300A。
[0012] 在示范性实施方式中，第二电极可W包括透明导电材料。
[0013] 在示范性实施方式中，第二电极的厚度可W大于750A且小于1000A。
[0014] 在根据一个实施方式的薄膜晶体管基板的示范性实施方式中，薄膜晶体管基板包 括开关元件，该开关元件包括:栅电极，电连接到在第一方向上延伸的栅线;有源图案，交叠 栅电极;源电极，设置在有源图案上并电连接到在交叉第一方向的第二方向上延伸的数据 线；W及漏电极，与源电极间隔开。薄膜晶体管基板还包括:有机层，设置在开关元件上;第 一电极，设置在有机层上;第二电极，交叠第一电极，并电连接到漏电极;纯化层，设置在第 一电极和第二电极之间W使第一电极和第二电极绝缘，并包括暴露漏电极的一部分和有机 层的一部分的接触孔;W及覆盖图案，设置在接触孔中W覆盖有机层的暴露部分。
[0015] 在示范性实施方式中，覆盖图案可W覆盖有机层的暴露部分和漏电极的暴露部 分。
[0016] 在示范性实施方式中，覆盖图案可W设置在与第一电极相同的层上。
[0017] 在示范性实施方式中，覆盖图案可W与第一电极绝缘并电连接到第二电极。
[0018] 在示范性实施方式中，第一电极和第二电极可W包括透明导电材料。
[0019] 在示范性实施方式中，其中有机层的表面可W具有崎帳不平的结构。有机层的表 面的凸块的平均高度可W小于300A。
[0020] 在根据实施方式的制造薄膜晶体管基板的方法的示范性实施方式中，该方法包 括:在基底基板上形成栅极金属图案，该栅极金属图案包括在第一方向上延伸的栅线和电 连接到栅线的栅电极;形成交叠栅电极的有源图案;在有源图案上形成数据金属图案，该数 据金属图案包括在交叉第一方向的第二方向上延伸的数据线、与栅线电连接的源电极W及 与源电极间隔开的漏电极;在数据金属图案上形成有机层;在有机层上形成第一电极;在第 一电极上形成纯化层;通过利用具有大于7kW且小于13kW的功率蚀刻纯化层W形成暴露漏 电极的一部分和有机层的一部分的接触孔；W及在纯化层上形成电连接到漏电极的第二电 极。
[0021] 在示范性实施方式中，第二电极的厚度可W比第一电极的厚度厚。
[0022] 在示范性实施方式中，第二电极厚厚度可W大于750A且小于1000A。
[0023] 在示范性实施方式中，形成第一电极还可W包括设置在与第一电极相同的层上的 覆盖图案。
[0024] 在示范性实施方式中，覆覆盖图案可W覆盖有机层的暴露部分。
[0025] 在示范性实施方式中，覆盖图案可W覆盖有机层的暴露部分和漏电极的暴露部 分。
[0026] 在示范性实施方式中，覆盖图案可W与第一电极绝缘并电连接到第二电极。
[0027] 在示范性实施方式中，第一电极、第二电极和覆盖图案可W包括透明导电材料。
[0028] 根据本示范性实施方式，纯化层通过相对低功率的干蚀刻形成。因此，有机层的表 面的损伤可W被减小，减少有机层的表面的崎帳不平结构的形成。结果，此0可W不被吸收 到有机层的表面，防止活性未填充区域(AUA)的形成。
[0029] 此外，根据一个实施方式的像素电极PE的厚度大于巧OA且小于1000A，因此像 素电极PE可W整个地覆盖有机层130的暴露部分。此外，覆盖图案覆盖有机层的暴露部分。
【附图说明】
[0030] 通过参照附图详细描述本公开的示范性实施方式，本公开的W上和其他的特征和 优点将变得更加明显，附图中：
[0031] 图1是示出根据本公开的示范性实施方式的薄膜晶体管基板的平面图；
[0032] 图2是沿图1的线1-1'截取的截面图；
[0033] 图3至图12是示出制造图2的薄膜晶体管的方法的截面图；
[0034] 图13是示出根据本公开的示范性实施方式的薄膜晶体管基板的平面图；
[0035] 图14是沿图13的线11-11'截取的截面图；
[0036] 图15至图20是示出制造图14的薄膜晶体管的方法的截面图；
[0037] 图21是示出根据本公开的示范性实施方式的薄膜晶体管基板的平面图；
[0038] 图22是沿图21的线III-Iir截取的截面图；W及
[0039] 图23至图28是示出制造图22的薄膜晶体管的方法的截面图。
【具体实施方式】
[0040] 在下文，将参照附图详细地解释本公开。
[0041] 图1是示出根据本公开的示范性实施方式的薄膜晶体管基板的平面图。图2是沿图 1的线1-1'截取的截面图。参照图1和图2,根据示范性实施方式的薄膜晶体管基板10包括： 基底基板100、包括栅线化和栅电极GE的栅极金属图案、包括数据线化的数据金属图案、栅 极绝缘物110、有源图案AP、第一纯化层120、有机层130、公共电极CE、第二纯化层160 W及像 素电极PE。栅线化在第一方向Dl上延伸。在一个实施方式中，栅线化具有包括铜（Cu)、银 (Ag)、铭(吐）、钢(Mo)、侣(Al)、铁(Ti)、儘(Mn) W及其混合物的单层结构。在另一些实施方 式中，栅线化具有多层结构，该多层结构具有包括彼此不同的材料的多个层。例如，栅线化 可W包括铜层和设置在铜层上和/或下的铁层。栅线化电连接到开关元件的栅电极GE。此 夕h栅线GL的部分可W形成栅电极GE。
[0042] 栅极绝缘层110形成在栅线(；L和栅电极GE上。栅极绝缘层110可W包括无机材料诸 如娃氧化物(SiOx)和/或娃氮化物(SiNx)。在一个实施方式中，栅极绝缘层110包括娃氧化 物(SiOx)，并可W具有约5:0:0A的厚度。在另一个实施方式中，栅极绝缘层110包括包含彼 此不同的材料的多个层。
[0043] 有源图案AP形成在栅极绝缘层110上。根据一个实施方式，有源图案AP包括半导体 图案和欧姆接触图案。欧姆接触图案形成在半导体图案上。半导体图案可W包括娃半导体 材料。例如，半导体图案可W包括非晶娃(a-Si:H)。欧姆接触图案可W插设在半导体图案和 源电极SE之间，并可W插设在半导体图案和漏电极DE之间。欧姆接触图案可W包括n+非晶 娃(n+a-Si:H)。
[0044] 数据金属图案可W设置在有源图案AP上。根据一个实施方式，数据金属图案包括 数据线化、源电极SE和漏电极DE。在一个实施方式中，数据金属图案具有包括铜（Cu)、银 (Ag)、铭(吐）、钢(Mo)、侣(Al)、铁(Ti)、儘(Mn) W及其混合物的单层结构。在另一个实施方 式中，数据金属图案具有多层结构，该多层结构具有包含彼此不同的材料的多个层。
[0045] 第一纯化层120可W形成在数据金属图案上。第一纯化层120可W包括无机材料诸 如娃氧化物(SiOx)和/或娃氮化物(Si化）。例如，第一纯化层120包括娃氧化物(SiOx),并可 W具有约500A的厚度。此外，第一纯化层120可W包括包含彼此不同的材料的多个层。
[0046] 有机层130设置在第一纯化层120上。有机层130平坦化薄膜晶体管基板10的上表 面W防止由于台阶可能发生的问题诸如信号线的断开。有机层130可W是包括有机材料的 绝缘层。例如，有机层130可W是具有红色、绿色、蓝色或白色的滤色器层。
[0047] 公共电极CE可W设置在有机层130上。公共电极CE可W包括透明导电材料，诸如铜 锡氧化物（ITO)和铜锋氧化物（IZO)。此外，公共电极CE可W包括铁(Ti)和/或钢铁(MoTi)。 公共电压可W施加到公共电极CE。
[0048] 第二纯化层160可W形成在公共电极CE上。第二纯化层160可W包括无机材料诸如 娃氧化物(SiOx)和/或娃氮化物(SiNx)。在一个实施方式中，第二纯化层160包括娃氧化物 (Si化），并可W具有约500A的厚度。在另一个实施方式中，第二纯化层160可W包括包含 彼此不同的材料的多个层。
[0049] 公共电极孔CH可W穿过公共电极CE形成。公共电极孔CH部分地暴露漏电极DE和有 机层130。有机孔OH可W穿过有机层130形成。有机孔OH部分地暴露漏电极DE。纯化孔PH可W 穿过第二纯化层160形成。纯化孔PH部分地暴露漏电极DE和有机层130。
[0050] 纯化孔PH可W通过干蚀刻形成。在一个实施方式中，纯化孔PH可W通过利用大于 7kW且小于13kW的功率的干蚀刻形成。优选地，纯化孔PH可W通过利用IOkW的功率的干蚀刻 形成。
[0051] 当第二纯化层160被干蚀刻时，有机层130的暴露部分会被损伤。此外，作为对有机 层130的表面的损伤的结果，有机层130的表面会具有崎帳不平的结构(bumpy Strueture)。 结果，出0可W吸收到有机层的损伤表面，形成活性未填充区域(AUA)。
[0052] 然而，根据本公开的第二纯化层160通过相对低的功率例如IOkW的功率的干蚀刻 形成。第二纯化层160的利用相对低的功率的干蚀刻减小损伤和有机层130的表面上的崎帳 不平的结构的形成。因此，出0没有被吸收到有机层的表面，因此可W防止活性未填充区域 (AUA)的形成。
[0053] 像素电极PE形成在第二纯化层160上。像素电极PE可W包括透明导电材料，诸如铜 锡氧化物（ITO)和铜锋氧化物（IZO)。此外，像素电极PE可W包括铁(Ti)和/或钢铁(MoTi)。 像素电极PE可W具有狭缝形状。像素电极PE交叠公共电极CE。因此，施加在像素电极PE和公 共电极CE之间的电场改变液晶分子的取向W表现灰度极。
[0054] 在本示范性实施方式中，像素电极PE的厚度可W大于750朵并且小于10腑集。像 素电极PE覆盖有机层130的暴露部分。当第二纯化层160被干蚀刻时，有机层130的暴露表面 会被损伤而形成崎帳不平的结构。当像素电极PE的厚度小于550A时，像素电极PE可W不 整个地覆盖有机层130的暴露表面。因此，此0可W被吸收到有机层的表面，形成活性未填充 区域(AUA)。
[0055] 根据一个实施方式，像素电极PE的厚度大于750A并且小于IOOQA。像素电极PE 整个地覆盖有机层130的暴露部分。结果，此0可W不被吸收到有机层的表面，防止活性未填 充区域(AUA)的形成。
[0056] 图3至图12是示出制造图2的薄膜晶体管的方法的截面图。参照图3,栅电极GE形成 在基底基板100上。例如，栅极金属层形成在基底基板100上并被图案化W形成栅线化和栅 电极GE。栅极金属图案可W包括栅线化和栅电极GE。基底基板100的示例可W包括玻璃基 板、石英基板、娃基板、塑料基板等。
[0057]此后，栅极绝缘层110形成为覆盖栅线化和栅电极GE。栅极绝缘层110可W包括无 机绝缘材料。例如，栅极绝缘层110包括娃氧化物(SiOx)或娃氮化物(SiNx)。在一个实施方 式中，栅极绝缘层110包括娃氧化物(SiOx),并可W具有约500A的厚度。此外，栅极绝缘层 110可W具有多层结构，该多层结构具有包含彼此不同的材料的多个层。
[005引参照图4,有源图案AP和数据金属图案形成在栅极绝缘层110上。数据金属图案可 W包括数据线化、源电极SE和漏电极DE。此后，第一纯化层120可W形成在其上形成有数据 金属图案的基底基板100上。
[0059] 有源图案AP形成在栅极绝缘层110上。有源图案AP可W包括半导体图案和欧姆接 触图案。欧姆接触图案形成在半导体图案上。半导体图案可W包括娃半导体材料。例如，半 导体图案可W包括非晶娃(a-Si:H)。欧姆接触图案可W插设在半导体图案和源电极SE之 间，并可W插设在半导体图案和漏电极DE之间。欧姆接触图案可W包括n+非晶娃(n+a-Si: H)〇
[0060] 数据金属图案可W设置在有源图案AP上。数据金属图案可W包括数据线化、源电 极SE和漏电极DE。在一个实施方式中，数据金属图案具有包括铜(Cu)、银(Ag)、铭(Cr)、钢 (Mo)、侣(A1)、铁(Ti)、儘(Mn) W及其混合物的单层结构。在另一个实施方式中，数据金属图 案具有多层结构，该多层结构具有包含彼此不同的材料的多个层。
[0061] 第一纯化层120可W形成在数据金属图案上。第一纯化层120可W包括无机材料诸 如娃氧化物(SiOx)和/或娃氮化物(SiNx)。在一个实施方式中，第一纯化层120包括娃氧化 物(SiOx),并可W具有约5;(K)A的厚度。在另一个实施方式中，第一纯化层120包括包含彼 此不同的材料的多个层。
[0062] 参照图5,有机层130形成在第一纯化层120上。此后，有机层130被图案化W形成有 机孔0H。
[0063] 有机层130设置在第一纯化层120上。有机层130平坦化薄膜晶体管基板10的上表 面W防止由于台阶可能发生的问题诸如信号线的断开。有机层130可W是包括有机材料的 绝缘层。例如，有机层130可W是具有红色、绿色、蓝色或白色的滤色器层。有机孔OH部分地 暴露漏电极DE。
[0064] 参照图6,公共电极CE形成在其上形成有有机孔OH的基底基板100上。此后，公共电 极孔CH穿过公共电极CE形成。公共电极CE可W包括透明导电材料，诸如铜锡氧化物（ITO)和 铜锋氧化物（IZO)。此外，公共电极CE可W包括铁(Ti)和/或钢铁(MoTi)。公共电压可W施加 到公共电极CE。公共电极CE的厚度可W小于550A。公共电极孔CH部分地暴露漏电极DE和有 机层130。
[0065] 参照图7,第二纯化层160形成在其上形成有公共电极孔CH的基底基板100上。此 后，第二纯化层160被图案化W形成纯化孔PH。第二纯化层160可W包括无机材料诸如娃氧 化物（SiOx)和/或娃氮化物（SiNx)。在一个实施方式中，第二纯化层160包括娃氧化物 (Si化），并可W具有约SOOA的厚度。在另一个实施方式中，第二纯化层160包括包含彼此 不同的材料的多个层。第二纯化层160可W覆盖漏电极DE的暴露部分、第一纯化层120的暴 露部分、有机层130的暴露部分和公共电极CE。
[0066] 纯化孔PH可W通过干蚀刻形成。在一个实施方式中，纯化孔PH通过利用大于7kW且 小于13kW的功率的干蚀刻形成。优选地，纯化孔PH可W通过利用IOkW的功率的干蚀刻形成。
[0067] 当第二纯化层160被干蚀刻时，有机层130的暴露部分会被损伤而在有机层130的 表面上形成崎帳不平的结构。结果，此0可W被吸收到有机层的表面，形成活性未填充区域 (AUA)O
[0068] 根据一个实施方式的第二纯化层160通过利用相对低功率例如IOkW的干蚀刻形 成。第二纯化层160的相对低功率的干蚀刻减小对有机层130的表面的损伤和在有机层130 的损伤表面上的崎帳不平的结构的形成。结果，此0可W不被吸收到有机层的表面，防止活 性未填充区域(AUA)的形成。
[0069] 参照图8,当第二纯化层利用相对高的功率被干蚀刻时，示出有机层130的表面。当 第二纯化层利用高功率被干蚀刻时，有机层130的暴露部分会被损伤。此外，由于有机层130 的表面被损伤，所W有机层130的表面会具有崎帳不平的结构。为了与低功率的干蚀刻比 较，第一高度dl (在高功率的干蚀刻之后的有机层130的表面上的凸块(bump)的平均高度） 为约2184A。此后，像素电极PE形成在有机层130的暴露部分上。然而，由于有机层130的表 面可W具有崎帳不平的结构，所W像素电极PE可W不整个地覆盖有机层130的暴露部分。因 此，出0可W被吸收到有机层的表面，形成活性未填充区域(AUA)。
[0070] 参照图9,当第二纯化层利用相对低功率被干蚀刻时，示出有机层130的表面。当第 二纯化层利用相对低的功率被干蚀刻时，有机层130的暴露部分的损伤可W减小，减少有机 层130的表面上的崎帳不平的结构的形成。第二高度d2(在低功率的干蚀刻之后有机层130 的表面上的凸块的平均高度）小于300乂，例如约251或。根据一个实施方式，第二纯化层 160通过利用具有大于7kW并且小于13kW(优选地IOkW)的功率被干蚀刻。
[0071] 参照图10,透明电极层170形成在其上形成有纯化孔PH的基底基板100上。透明电 极层170可W包括透明导电材料，诸如铜锡氧化物（ITO)和铜锋氧化物（IZ0)。此外，透明电 极层170可W包括铁(Ti)和/或钢铁(MoTi)。
[0072] 在一个实施方式中，透明电极层170的厚度大于75QA并且小于lOOOA。透明电极 层170覆盖有机层130的暴露部分。当第二纯化层160被干蚀刻时，有机层130的暴露部分会 被损伤而在有机层130的表面上形成崎帳不平的结构。当透明电极层170的厚度小于550A 时，透明电极层170可W不整个地覆盖有机层130的暴露部分。结果，此0可W被吸收到有机 层的表面，形成活性未填充区域(AUA)。
[0073] 根据一个实施方式中，根据一个实施方式的透明电极层170的厚度大于750A并 且小于1000A。透明电极层170可W整个地覆盖有机层130的暴露部分。结果，也0可W不被 吸收到有机层的表面，防止活性未填充区域(AUA)的形成。
[0074] 参照图11，当像素电极阳的厚度小于550A时示出有机层130的表面。像素电极PE 覆盖有机层130的暴露部分。当第二纯化层被干蚀刻时，有机层130的暴露部分会被损伤而 在有机层130的表面上形成崎帳不平的结构。当像素电极PE的厚度小于550A时，像素电极 PE可W不整个地覆盖有机层130的暴露部分。结果，出0可W被吸收到有机层的表面，形成活 性未填充区域(AUA)。
[0075] 参照图12,当像素电极阳的厚度大于巧0藻并且小于1000 A时示出有机层130的 表面。当根据一个实施方式的像素电极PE的厚度大于750A并且小于1000 A时，像素电极 PE可W整个地覆盖有机层130的暴露部分。结果，此0可W不被吸收到有机层的表面，防止活 性未填充区域(AUA)的形成。
[0076] 参照图12,透明电极层170被图案化W形成像素电极PE。像素电极PE可W包括透明 导电材料，诸如铜锡氧化物（ITO)和铜锋氧化物（IZO)。此外，像素电极PE可W包括铁(Ti) 和/或钢铁(MoTi)。像素电极PE可W具有狭缝形状。像素电极PE交叠公共电极CE。施加在像 素电极PE和公共电极CE之间的电场改变液晶分子的取向W表现灰度极。
[0077] 图13是示出根据示范性实施方式的薄膜晶体管基板的平面图。图14是沿图13的线 11-11'截取的截面图。参照图13和图14,根据示范性实施方式的薄膜晶体管基板20包括:基 底基板1100、包括栅线化和栅电极GE的栅极金属图案、包括数据线化的数据金属图案、栅极 绝缘层1110、有源图案AP、第一纯化层1120、有机层1130、公共电极CE、第二纯化层1160W及 像素电极PE。
[007引栅线化在第一方向Dl上延伸。在一个实施方式中，栅线化具有包括铜（Cu)、银 (Ag)、铭(吐）、钢(Mo)、侣(Al)、铁(Ti)、儘(Mn) W及其混合物的单层结构。在另一个实施方 式中，栅线化具有多层结构，该多层结构具有包括彼此不同的材料的多个层。例如，栅线化 可W包括铜层和设置在铜层上和/或下的铁层。栅线化电连接到开关元件的栅电极GE。此 夕h栅线GL的部分可W形成栅电极GE。
[0079] 栅极绝缘层1110形成在栅线化和栅电极GE上。栅极绝缘层1110可W包括无机材料 诸如娃氧化物(SiOx)和/或娃氮化物(SiNx)。在一个实施方式中，栅极绝缘层1110包括娃氧 化物(SiOx)，并可W具有约500A的厚度。在另一个实施方式中，栅极绝缘层1110包括包含 彼此不同的材料的多个层。
[0080] 有源图案AP形成在栅极绝缘层1110上。根据一个实施方式，有源图案AP包括半导 体图案和欧姆接触图案。欧姆接触图案形成在半导体图案上。半导体图案可W包括娃半导 体材料。例如，半导体图案可W包括非晶娃(a-Si:H)。欧姆接触图案可W插设在半导体图案 和源电极SE之间，并可W插设在半导体图案和漏电极DE之间。欧姆接触图案可W包括n+非 晶娃(n+a-Si :H)。
[0081] 数据金属图案可W设置在有源图案AP上。根据一个实施方式，数据金属图案包括 数据线化、源电极SE和漏电极DE。在一个实施方式中，数据金属图案具有包括铜（Cu)、银 (Ag)、铭(吐）、钢(Mo)、侣(Al)、铁(Ti)、儘(Mn) W及其混合物的单层结构。在另一个实施方 式中，数据金属图案具有多层结构，该多层结构具有包含彼此不同的材料的多个层。
[0082] 第一纯化层1120可W形成在数据金属图案上。第一纯化层1120可W包括无机材料 诸如娃氧化物(SiOx)和/或娃氮化物(SiNx)。例如，第一纯化层1120包括娃氧化物(SiOx)， 并可W具有约500A的厚度。此外，第一纯化层1120可W包括包含彼此不同的材料的多个 层。
[0083] 有机层1130设置在第一纯化层1120上。有机层1130平坦化薄膜晶体管基板20的上 表面W防止由于台阶可能发生的问题诸如信号线的断开。有机层1130可W是包括有机材料 的绝缘层。例如，有机层1130可W是具有红色、绿色、蓝色或白色的滤色器层。
[0084] 公共电极CE可W设置在有机层1130上。公共电极CE可W包括透明导电材料，诸如 铜锡氧化物（ITO)和铜锋氧化物（IZO)。此外，公共电极CE可W包括铁（Ti)和/或钢铁 (MoTi)。公共电压可W施加到公共电极CE。
[0085] 覆盖图案CP设置在有机层1130上。覆盖图案CP覆盖有机层1130的暴露表面。覆盖 图案CP可W设置在与公共电极CE相同的层上。覆盖图案CP可W包括透明导电材料，诸如铜 锡氧化物（ITO)和铜锋氧化物（IZO)。此外，覆盖图案CP可W包括铁(Ti)和/或钢铁(MoTi)。
[0086] 第二纯化层1160可W形成在公共电极CE上。第二纯化层1160可W包括无机材料诸 如娃氧化物(SiOx)和/或娃氮化物(Si化）。在一个实施方式中，第二纯化层1160包括娃氧化 物(SiOx)，并可W具有约500A的厚度。在另一个实施方式中，第二纯化层1160包括包含彼 此不同的材料的多个层。
[0087] 公共电极孔CH可W穿过公共电极CE形成。公共电极孔CH部分地暴露漏电极DE和有 机层1130。有机孔OH可W穿过有机层1130形成。有机孔OH部分地暴露漏电极DE。纯化孔PH可 W穿过第二纯化层1160形成。纯化孔Kl部分地暴露漏电极DE和有机层1130。
[0088] 覆盖图案CP不覆盖漏电极DE。覆盖图案CP与公共电极CE绝缘并电连接到像素电极 阳。覆盖图案CP设置在公共电极孔CH中W交叠有机孔OH的一部分和纯化孔PH的一部分。
[0089] 覆盖图案CP覆盖有机层1130的暴露表面。结果，此0可W不被吸收到有机层1130的 表面，防止活性未填充区域(AUA)的形成。
[0090] 纯化孔PH可W通过干蚀刻形成。在一个实施方式中，纯化孔PH可W通过利用大于 7kW且小于13kW的功率的干蚀刻形成。优选地，纯化孔PH可W通过利用IOkW的功率的干蚀刻 形成。
[0091 ]当第二纯化层1160被干蚀刻时，有机层1130的暴露部分会被损伤。然而，覆盖图案 CP覆盖有机层1130的暴露表面，防止对有机层1130的表面的损伤。结果，此0可W不被吸收 到有机层的表面，防止活性未填充区域(AUA)的形成。
[0092] 像素电极PE形成在第二纯化层1160上。像素电极PE可W包括透明导电材料，诸如 铜锡氧化物（ITO)和铜锋氧化物（IZO)。此外，像素电极PE可W包括铁（Ti)和/或钢铁 (MoTi)。像素电极PE可W具有狭缝形状。像素电极PE交叠公共电极CE。因此，施加在像素电 极PE和公共电极CE之间的电场改变液晶分子的取向W表现灰度极。
[0093] 图15至图20是示出制造图14的薄膜晶体管的方法的截面图。参照图15,栅电极GE 形成在基底基板1100上。例如，栅极金属层形成在基底基板1100上并被图案化W形成栅线 化和栅电极GE。栅极金属图案可W包括栅线化和栅电极GE。基底基板1100的示例可W包括 玻璃基板、石英基板、娃基板、塑料基板等。
[0094] 此后，栅极绝缘层1110形成为覆盖栅线化和栅电极GE。栅极绝缘层1110可W包括 无机绝缘材料。例如，栅极绝缘层1110包括娃氧化物(SiOx)或娃氮化物(Si化）。在一个实施 方式中，栅极绝缘层1110包括娃氧化物(SiOx),并可W具有500A的厚度。在另一个实施方 式中，栅极绝缘层1110具有多层结构，该多层结构具有包括彼此不同的材料的多个层。 [00M] 参照图16,有源图案AP和数据金属图案形成在栅极绝缘层1110上。数据金属图案 可W包括数据线化、源电极SE和漏电极DE。此后，第一纯化层1120可W形成在其上形成有数 据金属图案的基底基板1100上。
[0096] 有源图案AP形成在栅极绝缘层1110上。有源图案AP可W包括半导体图案和欧姆接 触图案。欧姆接触图案形成在半导体图案上。半导体图案可W包括娃半导体材料。例如，半 导体图案可W包括非晶娃(a-Si:H)。欧姆接触图案可W插设在半导体图案和源电极SE之 间，并可W插设在半导体图案和漏电极DE之间。欧姆接触图案可W包括n+非晶娃(n+a-Si: H)〇
[0097] 数据金属图案可W设置在有源图案AP上。数据金属图案可W包括数据线化、源电 极SE和漏电极DE。在一个实施方式中，数据金属图案具有包括铜(Cu)、银(Ag)、铭(Cr)、钢 (Mo)、侣(A1)、铁(Ti)、儘(Mn) W及其混合物的单层结构。在另一个实施方式中，数据金属图 案具有多层结构，该多层结构具有包含彼此不同的材料的多个层。
[0098] 第一纯化层1120可W形成在数据金属图案上。第一纯化层1120可W包括无机材料 诸如娃氧化物(SiOx)和/或娃氮化物(SiNx)。在一个实施方式中，第一纯化层1120包括娃氧 化物(SiOx),并可W具有约500A的厚度。在另一个实施方式中，第一纯化层1120包括包含 彼此不同的材料的多个层。
[0099] 参照图17,有机层1130形成在第一纯化层1120上。此后，有机层1130被图案化W形 成有机孔0H。有机层1130设置在第一纯化层1120上。有机层1130平坦化薄膜晶体管基板20 的上表面W防止由于台阶可能发生的问题诸如信号线的断开。有机层1130可W是包括有机 材料的绝缘层。例如，有机层1130可W是具有红色、绿色、蓝色或白色的滤色器层。有机孔OH 部分地暴露漏电极DE。
[0100] 参照图18,公共电极CE和覆盖图案CP形成在其上形成有有机孔OH的基底基板1100 上。公共电极CE包括公共电极孔CH。公共电极孔CH穿过公共电极CE形成。公共电极CE可W包 括透明导电材料，诸如铜锡氧化物(ITO)和铜锋氧化物(IZ0)。此外，公共电极CE可W包括铁 (Ti)和/或钢铁(MoTi)。公共电压可W施加到公共电极CE。公共电极CE的厚度可W小于 的0沒。公共电极孔CH部分地暴露漏电极DE和有机层1130。
[0101] 覆盖图案CP设置在有机层1130上并覆盖有机层1130的暴露部分。覆盖图案CP可W 设置在与公共电极CE相同的层上。覆盖图案CP可W包括透明导电材料，诸如铜锡氧化物 (口0)和铜锋氧化物（IZO)。此外，覆盖图案CP可W包括铁(Ti)和/或钢铁(MoTi)。
[0102] 覆盖图案CP不覆盖漏电极DE。覆盖图案CP与公共电极CE绝缘并电连接到像素电极 PE。覆盖图案CP设置在公共电极孔CH中W交叠有机孔OH的一部分。覆盖图案CP覆盖有机层 1130的暴露部分。结果，此0没有被吸收到有机层的表面，防止活性未填充区域(AUA)的形 成。
[0103] 参照图19,第二纯化层1160形成在其上形成有公共电极孔CH的基底基板1100上。 此后，第二纯化层1160被图案化W形成纯化孔PH。第二纯化层1160可W包括无机材料诸如 娃氧化物(SiOx)和/或娃氮化物(Si化）。在一个实施方式中，第二纯化层1160包括娃氧化物 (SWx)，并可W具有约500A的厚度。在另一个实施方式中，第二纯化层1160包括包含彼此 不同的材料的多个层。第二纯化层1160可W覆盖漏电极DE的暴露部分、第一纯化层1120的 暴露部分、有机层1130的暴露部分和公共电极CE。
[0104] 纯化孔PH可W通过干蚀刻形成。在一个实施方式中，纯化孔PH通过利用大于7kW且 小于13kW的功率的干蚀刻形成。优选地，纯化孔PH可W通过利用IOkW的功率的干蚀刻形成。
[0105] 参照图20,透明电极层1170形成在其上形成有纯化孔PH的基底基板1100上。透明 电极层1170可W包括透明导电材料，诸如铜锡氧化物(ITO)和铜锋氧化物(IZO)。此外，透明 电极层1170可W包括铁(Ti)和/或钢铁(MoTi)。
[0106] 参照图20,透明电极层1170被图案化W形成像素电极PE。像素电极PE可W包括透 明导电材料，诸如铜锡氧化物(ITO)和铜锋氧化物(IZO)。此外，像素电极PE可W包括铁(Ti) 和/或钢铁(MoTi)。像素电极PE可W具有狭缝形状。像素电极PE交叠公共电极CE。施加在像 素电极PE和公共电极CE之间的电场改变液晶分子的取向W表现灰度极。
[0107] 图21是示出根据示范性实施方式的薄膜晶体管基板的平面图。图22是沿图21的线 III-Iir截取的截面图。参照图21和图22,根据示范性实施方式的薄膜晶体管基板30包括 基底基板2100、包括栅线化和栅电极GE的栅极金属图案、包括数据线化的数据金属图案、栅 极绝缘层2110、有源图案AP、第一纯化层2120、有机层2130、公共电极CE、第二纯化层2160W 及像素电极PE。
[0108] 栅线化在第一方向Dl上延伸。在一个实施方式中，栅线化具有包括铜（Cu)、银 (Ag)、铭(吐）、钢(Mo)、侣(Al)、铁(Ti)、儘(Mn) W及其混合物的单层结构。在另一个实施方 式中，栅线化具有多层结构，该多层结构具有包括彼此不同的材料的多个层。例如，栅线化 可W包括铜层和设置在铜层上和/或下的铁层。栅线化电连接到开关元件的栅电极GE。此 夕h栅线GL的部分可W形成栅电极GE。
[0109] 栅极绝缘层2110形成在栅线化和栅电极GE上。栅极绝缘层2110可W包括无机材料 诸如娃氧化物(SiOx)和/或娃氮化物(SiNx)。在一个实施方式中，栅极绝缘层2110包括娃氧 化物(SiOx),并可W具有约500A的厚度。在另一个实施方式中，栅极绝缘层2110包括包含 彼此不同的材料的多个层。
[0110] 有源图案AP形成在栅极绝缘层2110上。根据一个实施方式，有源图案AP包括半导 体图案和欧姆接触图案。欧姆接触图案形成在半导体图案上。半导体图案可W包括娃半导 体材料。例如，半导体图案可W包括非晶娃(a-Si:H)。欧姆接触图案可W插设在半导体图案 和源电极SE之间，并可W插设在半导体图案和漏电极DE之间。欧姆接触图案可W包括n+非 晶娃(n+a-Si:H)。
[0111] 数据金属图案可W设置在有源图案AP上。根据一个实施方式，数据金属图案可W 包括数据线化、源电极SE和漏电极DE。在一个实施方式中，数据金属图案具有包括铜(Cu)、 银(Ag)、铭(Cr)、钢(Mo)、侣(A1)、铁(Ti)、儘(Mn) W及其混合物的单层结构。在另一个实施 方式中，数据金属图案具有多层结构，该多层结构具有包含彼此不同的材料的多个层。
[0112] 第一纯化层2120可W形成在数据金属图案上。第一纯化层2120可W包括无机材料 诸如娃氧化物(SiOx)和/或娃氮化物(SiNx)。例如，第一纯化层2120包括娃氧化物(SiOx), 并可W具有约500A的厚度。此外，第一纯化层2120可W包括包含彼此不同的材料的多个 层。
[0113] 有机层2130设置在第一纯化层2120上。有机层2130平坦化薄膜晶体管基板30的上 表面W防止由于台阶可能发生的问题诸如信号线的断开。有机层2130可W是包括有机材料 的绝缘层。例如，有机层2130可W是具有红色、绿色、蓝色或白色的滤色器层。
[0114] 公共电极CE可W设置在有机层2130上。公共电极CE可W包括透明导电材料，诸如 铜锡氧化物（ITO)和铜锋氧化物（IZO)。此外，公共电极CE可W包括铁（Ti)和/或钢铁 (MoTi)。公共电压可W施加到公共电极CE。
[0115] 覆盖图案CP设置在有机层2130上。覆盖图案CP覆盖有机层2130的暴露表面。覆盖 图案CP可W设置在与公共电极CE相同的层上。覆盖图案CP可W包括透明导电材料，诸如铜 锡氧化物（ITO)和铜锋氧化物（IZO)。此外，覆盖图案CP可W包括铁(Ti)和/或钢铁(MoTi)。
[0116] 第二纯化层2160可W形成在公共电极CE上。第二纯化层2160可W包括无机材料诸 如娃氧化物(SiOx)和/或娃氮化物(Si化）。在一个实施方式中，第二纯化层2160包括娃氧化 物(SiOx)，并可W具有约500A的厚度。在另一个实施方式中，第二纯化层2160包括包含彼 此不同的材料的多个层。
[0117] 公共电极孔CH可W穿过公共电极CE形成。公共电极孔CH部分地暴露漏电极DE和有 机层2130。有机孔OH可W穿过有机层2130形成。有机孔OH部分地暴露漏电极DE。纯化孔PH可 W穿过第二纯化层2160形成。纯化孔PH部分地暴露漏电极DE和有机层2130。
[0118] 覆盖图案CP覆盖有机层2130和漏电极DE。覆盖图案CP与公共电极CE绝缘并电连接 到像素电极PE。覆盖图案CP设置在公共电极孔CH中W整个地交叠有机孔OH和纯化孔PH。
[0119] 覆盖图案CP覆盖有机层2130的暴露表面。结果，此0可W不被吸收到有机层2130的 表面，防止活性未填充区域(AUA)的形成。
[0120] 纯化孔PH可W通过干蚀刻形成。在一个实施方式中，纯化孔PH可W通过利用大于 7kW且小于13kW的功率的干蚀刻形成。优选地，纯化孔PH可W通过利用IOkW的功率的干蚀刻 形成。
[0121] 当第二纯化层2160被干蚀刻时，有机层2130的暴露部分会被损伤。然而，覆盖图案 CP覆盖有机层2130的暴露表面，防止对有机层2130的表面的损伤。结果，此0可W不被吸收 到有机层的表面，防止活性未填充区域(AUA)的形成。
[0122] 像素电极PE形成在第二纯化层2160上。像素电极PE可W包括透明导电材料，诸如 铜锡氧化物（ITO)和铜锋氧化物（IZO)。此外，像素电极PE可W包括铁（Ti)和/或钢铁 (MoTi)。像素电极PE可W具有狭缝形状。像素电极PE交叠公共电极CE。因此，施加在像素电 极PE和公共电极CE之间的电场改变液晶分子的取向W表现灰度极。
[0123] 图23至图28是示出制造图22的薄膜晶体管的方法的截面图。参照图23,栅电极GE 形成在基底基板2100上。例如，栅极金属层形成在基底基板2100上并被图案化W形成栅线 化和栅电极GE。栅极金属图案可W包括栅线化和栅电极GE。基底基板2100的示例可W包括 玻璃基板、石英基板、娃基板、塑料基板等。
[0124] 此后，栅极绝缘层2110形成为覆盖栅线化和栅电极GE。栅极绝缘层2110可W包括 无机绝缘材料。例如，栅极绝缘层2110包括娃氧化物(SiOx)或娃氮化物(Si化）。在一个实施 方式中，栅极绝缘层2110包括娃氧化物(SiOx),并可W具有500A的厚度。在另一个实施方 式中，栅极绝缘层2110具有多层结构，该多层结构具有包括彼此不同的材料的多个层。
[0125] 参照图24,有源图案AP和数据金属图案形成在栅极绝缘层2110上。数据金属图案 可W包括数据线化、源电极SE和漏电极DE。此后，第一纯化层2120可W形成在其上形成有数 据金属图案的基底基板2100上。
[0126] 有源图案AP形成在栅极绝缘层2110上。有源图案AP可W包括半导体图案和欧姆接 触图案。欧姆接触图案形成在半导体图案上。半导体图案可W包括娃半导体材料。例如，半 导体图案可W包括非晶娃(a-Si:H)。欧姆接触图案可W插设在半导体图案和源电极SE之 间，并可W插设在半导体图案和漏电极DE之间。欧姆接触图案可W包括n+非晶娃(n+a-Si: H)〇
[0127]数据金属图案可W设置在有源图案AP上。数据金属图案可W包括数据线化、源电 极SE和漏电极DE。在一个实施方式中，数据金属图案具有包括铜(Cu)、银(Ag)、铭(Cr)、钢 (Mo)、侣(A1)、铁(Ti)、儘(Mn) W及其混合物的单层结构。在另一个实施方式中，数据金属图 案具有多层结构，该多层结构具有包含彼此不同的材料的多个层。
[01%]第一纯化层2120可W形成在数据金属图案上。第一纯化层2120可W包括无机材料 诸如娃氧化物(SiOx)和/或娃氮化物(SiNx)。在一个实施方式中，第一纯化层1120包括娃氧 化物(SiOx),并可W具有约500A的厚度。在另一个实施方式中，第一纯化层2120包括包含 彼此不同的材料的多个层。
[0129] 参照图25,有机层2130形成在第一纯化层2120上。此后，有机层2130被图案化W形 成有机孔0H。有机层2130设置在第一纯化层2120上。有机层2130平坦化薄膜晶体管基板30 的上表面W防止由于台阶可能发生的问题诸如信号线的断开。有机层2130可W是包括有机 材料的绝缘层。例如，有机层2130可W是具有红色、绿色、蓝色或白色的滤色器层。有机孔OH 部分地暴露漏电极DE。
[0130] 参照图26,公共电极CE和覆盖图案CP形成在其上形成有有机孔OH的基底基板2100 上。公共电极CE包括公共电极孔CH。公共电极孔CH穿过公共电极CE形成。公共电极CE可W包 括透明导电材料，诸如铜锡氧化物(ITO)和铜锋氧化物(IZ0)。此外，公共电极CE可W包括铁 (Ti)和/或钢铁(MoTi)。公共电压可W施加到公共电极CE。公共电极CE的厚度可W小于 巧OA。公共电极孔CH部分地暴露漏电极DE和有机层1130。
[0131] 覆盖图案CP设置在有机层2130上并覆盖有机层2130的暴露部分和漏电极DE的暴 露部分。覆盖图案CP可W设置在与公共电极CE相同的层上。覆盖图案CP可W包括透明导电 材料，诸如铜锡氧化物（ITO)和铜锋氧化物（IZO)。此外，覆盖图案CP可W包括铁(Ti)和/或 钢铁(MoTi)。
[0132] 覆盖图案CP覆盖有机层2130和漏电极DE。覆盖图案CP与公共电极CE绝缘并电连接 到像素电极PE。覆盖图案CP设置在公共电极孔CH中W整个地交叠有机孔OH和纯化孔PH。
[0133] 覆盖图案CP覆盖有机层2130的暴露部分。结果，此0可W不被吸收到有机层2130的 表面，防止活性未填充区域(AUA)的形成。
[0134] 参照图27,第二纯化层2160形成在其上形成有公共电极孔CH的基底基板2100上。 此后，第二纯化层2160被图案化W形成纯化孔PH。第二纯化层2160可W包括无机材料诸如 娃氧化物(SiOx)和/或娃氮化物(Si化）。在一个实施方式中，第二纯化层2160包括娃氧化物 (Si化），并可W具有约500A的厚度。在另一个实施方式中，第二纯化层2160包括包含彼此 不同的材料的多个层。第二纯化层2160可W覆盖有机层2130的暴露部分和公共电极CE。
[0135] 纯化孔PH可W通过干蚀刻形成。在一个实施方式中，纯化孔PH通过利用大于7kW且 小于13kW的功率的干蚀刻形成。优选地，纯化孔PH可W通过利用IOkW的功率的干蚀刻形成。
[0136] 参照图28,透明电极层2170形成在其上形成有纯化孔PH的基底基板2100上。透明 电极层2170可W包括透明导电材料，诸如铜锡氧化物(ITO)和铜锋氧化物(IZ0)。此外，透明 电极层2170可W包括铁(Ti)和/或钢铁(MoTi)。
[0137] 参照图28,透明电极层2170被图案化W形成像素电极PE。像素电极PE可W包括透 明导电材料，诸如铜锡氧化物(ITO)和铜锋氧化物(IZO)。此外，像素电极PE可W包括铁(Ti) 和/或钢铁(MoTi)。像素电极PE可W具有狭缝形状。像素电极PE交叠公共电极CE。施加在像 素电极PE和公共电极CE之间的电场改变液晶分子的取向W表现灰度极。
[0138] 根据一个实施方式，纯化层通过相对低的功率形成。因此，有机层的表面的损伤可 W被减小，防止有机层的表面上的崎帳不平结构的形成。结果，此0可W不被吸收到有机层 的表面，防止活性未填充区域(AUA)的形成。
[0139] 根据一个实施方式，像素电极PE的厚度大于750A并且小于1000A，像素电极PE 整个地覆盖有机层130的暴露部分。此外，覆盖图案覆盖有机层的暴露部分。结果，此0可W 不被吸收到有机层的表面，防止活性未填充区域(AUA)的形成。
[0140] W上是对本公开的说明而不应被解释为对其进行限制。尽管已经描述了本公开的 示范性实施方式，但是本领域技术人员将容易地理解，在示范性实施方式中可W有许多变 型，而在实质上没有背离本公开的新颖教导和优点。因此，所有运样的变型旨在被包括在本 公开的范围内。在权利要求中，方法加功能的条款意在覆盖运里所述的执行所述功能的结 构W及结构等价物和等价结构。因此，将理解，W上是对本公开的说明，而不应被解释为限 于所公开的具体示范性实施方式，对公开的示范性实施方式W及其他示范性实施方式的修 改旨在被包括在所附权利要求的范围内。本公开的范围可W通过权利要求确定，权利要求 的等同物被包括在其中。
【主权项】
1. 一种薄膜晶体管基板，包括： 开关元件，包括栅电极、有源图案、源电极和漏电极，该栅电极电连接到在第一方向上 延伸的栅线，该有源图案交叠所述栅电极，该源电极设置在所述有源图案上并电连接到在 交叉所述第一方向的第二方向上延伸的数据线，该漏电极与所述源电极间隔开； 有机层，设置在所述开关元件上； 第一电极，设置在所述有机层上；W及 第二电极，交叠所述第一电极并电连接到所述漏电极，并且 其中所述第二电极的厚度比所述第一电极的厚度厚。2. 如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中所述有机层的表面具有崎帳不平的结构， 并且所述有机层的表面的凸块的平均高度小于300A。3. 如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中所述第二电极的厚度大于750备且小于 100緣。4. 一种薄膜晶体管基板，包括： 开关元件，包括栅电极、有源图案、源电极和漏电极，该栅电极电连接到在第一方向上 延伸的栅线，该有源图案交叠所述栅电极，该源电极设置在所述有源图案上并电连接到在 交叉所述第一方向的第二方向上延伸的数据线，该漏电极与所述源电极间隔开； 有机层，设置在所述开关元件上； 第一电极，设置在所述有机层上； 第二电极，交叠所述第一电极，并电连接到所述漏电极； 纯化层，设置在所述第一电极和所述第二电极之间W绝缘所述第一电极和所述第二电 极，并包括暴露所述漏电极的一部分和所述有机层的一部分的接触孔;W及 覆盖图案，设置在所述接触孔中W覆盖所述有机层的暴露部分。5. 如权利要求4所述的薄膜晶体管基板，其中所述覆盖图案覆盖所述有机层的暴露部 分和所述漏电极的暴露部分。6. 如权利要求4所述的薄膜晶体管基板，其中所述有机层的表面具有崎帳不平的结构， 并且所述有机层的表面的凸块的平均高度小于300A。7. -种制造薄膜晶体管基板的方法，该方法包括： 在基底基板上形成栅极金属图案，该栅极金属图案包括在第一方向上延伸的栅线和电 连接到所述栅线的栅电极； 形成交叠所述栅电极的有源图案； 在所述有源图案上形成数据金属图案，该数据金属图案包括在交叉所述第一方向的第 二方向上延伸的数据线、与所述栅线电连接的源电极W及与所述源电极间隔开的漏电极； 在所述数据金属图案上形成有机层； 在所述有机层上形成第一电极； 在所述第一电极上形成纯化层； 通过利用具有大于7kW且小于13kW的功率蚀刻所述纯化层W形成暴露所述漏电极的一 部分和所述有机层的一部分的接触孔;W及 在所述纯化层上形成电连接到所述漏电极的第二电极。8. 如权利要求7所述的方法，其中形成所述第一电极还包括： 形成设置在与所述第一电极相同的层上的覆盖图案。9. 如权利要求8所述的方法，其中所述覆盖图案覆盖所述有机层的暴露部分。10. 如权利要求8所述的方法，其中所述覆盖图案覆盖所述有机层的暴露部分和所述漏 电极的暴露部分。
【文档编号】G02F1/1362GK105938839SQ201610122283
【公开日】2016年9月14日
【申请日】2016年3月3日
【发明人】金炳容, 田雄淇, 金显镇, 宋溱镐
【申请人】三星显示有限公司