一种阵列基板及显示面板的制作方法

文档序号:10577670阅读:135来源:国知局
一种阵列基板及显示面板的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种阵列基板及显示面板,其中阵列基板包括基板;设置在基板上的图案化的中间层;以及设置在图案化的中间层上的无图案化的像素电极层,像素电极层对应图案化的中间层形成凹陷区和凸出区。采用本发明的阵列基板可以有效的改善暗纹的问题。
【专利说明】
_种阵列基板及显不面板
技术领域
[0001]本发明涉及显示技术领域,特别是涉及一种阵列基板及显示面板。
【背景技术】
[0002]当前显示器的发展迅速,按照其显示原理可分为液晶显示器、等离子显示器、有机电致发光显示器等。
[0003]在液晶显示器的各种显示模式中,垂直排列(VA)显示模式因具有良好的视角而受到市场欢迎,一般来说VA显示模式采用多畴设计,而当前实现多畴设计有两种模式:一是像素电极的裂缝形成侧向电场的PVA模式;而是像素单元中的凸起使得液晶分子形成多畴排列的MVA模式,然而在两种模式中,液晶显示器都存在暗纹或显示不佳的问题。

【发明内容】

[0004]本发明的目的在于提供一种阵列基板及显示面板,以解决使用现有阵列基板的显示面板上出现暗纹的问题。
[0005]为解决上述问题,本发明提出一种阵列基板,该阵列基板包括:基板;设置在基板上的图案化的中间层;以及设置在图案化的中间层上的无图案化的像素电极层,像素电极层对应图案化的中间层形成凹陷区和凸出区。
[0006]其中,图案化的中间层为沟槽结构或条状结构。
[0007]其中,沟槽结构包括凹槽和凸起,像素电极层对应凹槽形成凹陷区,像素电极层对应凸起形成凸出区。
[0008]其中,条状结构包括条块和条块之间的狭缝,像素电极层对应条块形成凸出区,像素电极层对应狭缝形成凹陷区。
[0009]其中,图案化的中间层为鱼骨状图案。
[0010]其中,图案化的中间层为有源层。
[0011]其中,有源层与像素电极层之间设置有钝化层。
[0012]其中,有源层的材料为非晶硅或铟镓锌氧化物。
[0013]为解决上述技术问题,本发明还提出一种显示面板,该显示面板包括上述阵列基板。
[0014]其中,显示面板进一步包括对应阵列基板设置的彩色滤光片基板,以及设置在阵列基板和彩色滤光片基板之间的液晶层。
[0015]本发明阵列基板包括:基板,设置在基板上的图案化的中间层,以及设置在图案化的中间层上的无图案化的像素电极层,像素电极层对应图案化的中间层形成凹陷区和凸出区。本发明阵列基板中的像素电极层为无图案化的,即块状像素电极层,不存在狭缝,使用该阵列基板的显示面板不会出现暗纹、显示亮度和对比度不佳的问题。
【附图说明】
[0016]图1是本发明阵列基板第一实施方式的结构示意图;
[0017]图2是本发明阵列基板第二实施方式的结构示意图;
[0018]图3是图2所示阵列基板第二实施方式像素电极层的俯视图;
[0019]图4是图2所示阵列基板第二实施方式的制作流程图;
[0020]图5是本发明显示面板一实施方式的结构示意图。
【具体实施方式】
[0021]为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案,下面结合附图和【具体实施方式】对发明所提供的一种阵列基板及显示面板做进一步详细描述。
[0022]参阅图1,图1是本发明阵列基板第一实施方式的结构示意图,本实施方式阵列基板100包括基板11、中间层12、像素电极层13。
[0023]中间层12为图案化的中间层12,即形成中间层12的过程包括能够实现图案化的刻蚀工艺。无图案化的像素电极层13则形成在中间层12上,像素电极层13对应图案化的中间层12形成凸出区131和凹陷区132。
[0024]具体来说图案化的中间层12可以为条状结构(如图1(A))或沟槽结构(如图1(B))。
[0025]条状结构的中间层12包括条块121和条块121之间形成的狭缝122,即在刻蚀工艺中,将狭缝122处的中间层12完全去除。对于此类中间层12,像素电极层13上对应条块121形成凸出区131,对应于狭缝122形成凹陷区132。
[0026]沟槽结构的中间层12则包括凸起121和凹槽122,凹槽122处还保留有较薄的中间层12,即在刻蚀工艺中,只是将凹槽122处的中间层12部分去除。对于该类中间层12,像素电极层13上对应凸起121形成凸出区131,对应凹槽122形成凹陷区132。
[0027]无论是对于条状结构或沟槽结构的中间层12,像素电极层13均在其上形成具有凸出区131和凹陷区132的块状电极,保证使用该阵列基板100的显示面板中的液晶均能发生翻转,显不面板不会出现暗纹。
[0028]具体到应用中,中间层12与像素电极层13之间还可以设置别的层,像素电极层13可以直接沉积在中间层12上,也可以不直接沉积在中间层12上。
[0029]本实施方式阵列基板包括基板,设置在基板上的图案化的中间层,以及设置在图案化的中间层上的无图案化的像素电极层,像素电极层对应图案化的中间层形成凹陷区和凸出区。其中像素电极层为无图案化的,即为块状像素电极层,不存在狭缝,使用该阵列基板的显示面板不会出现暗纹、显示亮度和对比度不佳的问题。
[0030]请参阅图2,图2是本发明阵列基板第二实施方式的结构示意图,本实施方式阵列基板200包括玻璃基板21,以及在玻璃基板21上依次形成的栅极22、栅极绝缘层23、有源层24、阻挡层25、源/漏极26、钝化层27和像素电极层28。
[0031]其中,有源层24为本发明中图案化的中间层,像素电极层28设置在有源层24上方,对应于有源层24形成有凸出区281和凹陷区282,本实施方式中的有源层24为条状结构,当然也可为沟槽结构,具体来说图案化的有源层24为鱼骨状图案。相应的像素电极层28的凸出区281和凹陷区282也构成鱼骨状图案的纹路,可参阅图3,图3是图2所示阵列基板第二实施方式像素电极层的俯视图。
[0032]对于本实施方式阵列基板200,其制造过程可参阅图4,图4是图2所示阵列基板第二实施方式的制作流程图,该制造过程包括以下步骤。
[0033]S401:在玻璃基板上形成栅极和栅极绝缘层。
[0034]采用物理气相沉积及湿法刻蚀工艺在玻璃基板21上形成栅极22,然后采用化学气相沉积及干法刻蚀工艺形成栅极绝缘层23。
[0035]S402:栅极绝缘层上形成图案化的有源层。
[0036]在栅极绝缘层23上形成图案化的有源层24,主要是在阵列基板对应的显示区域形成该有源层24,以使得对应该图案化有源层24的像素电极层28具有凸出区281和凹陷区282,该图案化的有源层24为条状结构的鱼骨状图案,形成有源层24的材料可以为非晶硅或铟镓锌氧化物(IGZO)。
[0037]S403:形成具有开口的阻挡层。
[0038]在形成图案化的有源层24后,采用化学气相沉积及干法刻蚀工艺形成阻挡层25,该阻挡层25为刻蚀阻挡层25,即在后续刻蚀工艺中起到阻挡作用,避免已形成的有源层24又被刻蚀。由于后续形成的源/漏极26需要与有源层24电性连接,因此在阻挡层25上还形成两开口,以分别供源极和漏极与有源层24接触。
[0039]S404:阻挡层上形成源/漏极,源/漏极均通过阻挡层的开口与有源层电性连接。
[0040]源极和漏极为同一种金属,因此在本步骤S404中同时形成,具体来说,首先采用物理气相沉积一金属层,然后通过湿法刻蚀工艺对该金属层进行图案化处理,以形成源极和漏极。在沉积金属层时,由于阻挡层25上具有开口,因此金属层可沉积于开口中,以实现与有源层24的电性连接。
[0041 ] S405:形成具有开口的钝化层。
[0042]为延缓金属的源/漏极26的氧化,继续形成一钝化层27,由于后续形成的像素电极层28需要与漏极电性连接,因此在钝化层27上还形成一开口,使得像素电极层28能够通过该开口与漏极接触。具体来说钝化层的形成采用化学气相沉积和干法刻蚀工艺。
[0043]S406:形成像素电极层,像素电极层通过钝化层的开口与漏极电性连接。
[0044]本实施方式中像素电极层28由铟锡氧化物(ITO)采用物理气相沉积法制得,ITO能够沉积于钝化层27的开口中,实现与漏极的电性连接。
[0045]由于本实施方式中形成的有源层24为条状结构,因此形成在其上方的阻挡层25、钝化层27以及像素电极层28均有凸出区和凹陷区,对于像素电极层28,对应于有源层24的条块,其形成凸出区281,对应于有源层24的狭缝,其形成有凹陷区282。
[0046]本实施方式中所形成的像素电极层28为具有凸出区281和凹陷区282的块状像素电极层,不存在狭缝,因此,使用该阵列基板200的显示面板不会出现暗纹、显示亮度和对比度不佳的问题。
[0047]请参阅图5,图5是本发明显示面板一实施方式的结构示意图,本实施方式显示面板500包括阵列基板51、彩色滤光片基板52以及液晶层53。
[0048]液晶层53位于阵列基板51和彩色滤光片基板52之间,本实施方式显示面板500中的阵列基板51与上述阵列基板200类似,具体不再赘述。
[0049]本实施方式的液晶层53在阵列基板51和彩色滤光片基板52之间均能得到有效翻转,显示面板500不会出现暗纹、显示亮度和对比度不佳的问题。
[0050]以上所述仅为本发明的实施方式,并非因此限制本发明的专利范围,凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其他相关的技术领域,均同理包括在本发明的专利保护范围内。
【主权项】
1.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括: 基板; 设置在所述基板上的图案化的中间层; 以及设置在所述图案化的中间层上的无图案化的像素电极层,所述像素电极层对应所述图案化的中间层形成凹陷区和凸出区。2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述图案化的中间层为沟槽结构或条状结构。3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述沟槽结构包括凹槽和凸起,所述像素电极层对应所述凹槽形成所述凹陷区,所述像素电极层对应所述凸起形成所述凸出区。4.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述条状结构包括条块和条块之间的狭缝,所述像素电极层对应所述条块形成所述凸出区,所述像素电极层对应所述狭缝形成所述凹陷区。5.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述图案化的中间层为鱼骨状图案。6.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述图案化的中间层为有源层。7.根据权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述有源层与所述像素电极层之间设置有钝化层。8.根据权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述有源层的材料为非晶硅或铟镓锌氧化物。9.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括权利要求1-8中任一项所述的阵列基板。10.根据权利要求9所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板进一步包括对应所述阵列基板设置的彩色滤光片基板,以及设置在所述阵列基板和所述彩色滤光片基板之间的液晶层。
【文档编号】H01L27/12GK105938840SQ201610524830
【公开日】2016年9月14日
【申请日】2016年7月5日
【发明人】周志超, 周佑联, 武岳
【申请人】深圳市华星光电技术有限公司
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1