衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质的制作方法
【专利摘要】本发明提供一种结构，具有：处理室，其对至少表面的一部分上形成有硅膜的衬底进行处理；升降机构，其使载置上述衬底的衬底载置部升降；第1气体供给系统，其将含卤族元素的处理气体向上述衬底供给；第2气体供给系统，其将非活性气体向上述衬底供给，其中非活性气体用于将上述处理气体向上述处理室外排出；排气部，其为了对上述处理气体及上述非活性气体进行排气而设在上述处理室的侧壁附近；和控制部，其以如下方式对上述升降机构、上述第1气体供给系统及上述第2气体供给系统进行控制：在调整了上述衬底载置部和上述排气部的高度的状态下，供给上述处理气体，在供给了上述处理气体后，将上述非活性气体从上述衬底的上部向上述衬底的中心部供给，使上述非活性气体在上述衬底的表面上从上述衬底的中心部呈放射状流动至上述衬底的端部，经由上述排气部被排出到上述处理室外。
【专利说明】
衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质
技术领域
[0001]本发明涉及对衬底进行处理的衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。【背景技术】
[0002]随着大规模集成电路(Large Scale Integrated Circuit:以下称为LSI)的微细化，图案化技术的微细化也在发展。作为图案化技术，例如在专利文献1、2中有所记载。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1:日本特开2010-212371号
[0006]专利文献2:日本特开2012-94652号
【发明内容】
[0007]但是，在作为半导体器件的制造工序的一个工序的蚀刻工序中，产生以下的技术课题。例如，存在产生残渣和/或副产物的问题，其中残渣是在具有含硅(Si)膜的衬底蚀刻时产生的残留在衬底上的微小的Si膜，副产物是Si与用于蚀刻的气体发生反应所产生的化合物。为了解决该问题，以往需要在蚀刻处理后，将衬底移动到退火室中，并将衬底加热至残留在衬底上的残渣和/或副产物升华的温度。
[0008]本发明的目的在于提供一种能够解决因残留在衬底上的残渣和/或副产物而引起的蚀刻时的面内均匀性及选择性恶化这一技术课题的结构。
[0009]根据本发明的一个实施方式，提供一种结构，具有:处理室，其对至少表面的一部分上形成有硅膜的衬底进行处理;升降机构，其使载置上述衬底的衬底载置部升降；第1气体供给系统，其将含卤族元素的处理气体向上述衬底供给;第2气体供给系统，其将非活性气体向上述衬底供给，其中非活性气体用于将上述处理气体向上述处理室外排出；排气部， 其为了对上述处理气体及上述非活性气体进行排气而设在上述处理室的侧壁附近;和控制部，其以如下方式对上述升降机构、上述第1气体供给系统及上述第2气体供给系统进行控制:在调整了上述衬底载置部的高度和上述排气部的高度的状态下，供给上述处理气体，并在供给了上述处理气体后，将上述非活性气体从上述衬底的上部向上述衬底的中心部供给，使上述非活性气体在上述衬底的表面上从上述衬底的中心部呈放射状流动至上述衬底的端部，经由上述排气部被排出到上述处理室外。
[0010]发明效果
[0011]根据本发明的结构，能够提高半导体器件的制造品质。【附图说明】
[0012]图1是在本发明的实施方式中优选使用的处理时的衬底处理装置的结构。
[0013]图2是在本发明的实施方式中优选使用的处理前的衬底处理装置的结构例。
[0014]图3是在本发明的实施方式中优选使用的处理时的衬底处理装置的另一其他结构例。
[0015]图4是在本发明的实施方式中优选使用的搬送系统的结构例的俯视剖视图。
[0016]图5是在本发明的实施方式中优选使用的控制器的构造例。
[0017]图6是在本发明的实施方式中优选使用的衬底处理工序的流程例。【具体实施方式】
[0018]接下来，说明本发明的优选实施方式。
[0019]〈第1实施方式〉
[0020]以下参照附图来进一步详细说明本发明的优选实施方式。
[0021](1)衬底处理装置的结构
[0022]图1是用于实施半导体器件的一个工序的枚叶式衬底处理装置(以下简称为衬底处理装置)中的衬底处理时的主要部分剖视图，是表示基座(susceptor)上升而处于能够进行处理工序的第1处理位置的状态的图。图2是同一衬底处理装置的概略剖视图，是表示基座下降而处于能够进行搬送工序的搬送位置的状态的图。图3是衬底支承销上下机构从图1 位置进一步上升而处于能够进行处理工序的第2处理位置的状态的图。[〇〇23] 在图1?图3中，衬底处理装置具有:具有对衬底1进行处理的衬底处理室50的处理容器30、和与处理容器30相邻并在与该处理容器30之间搬送衬底1的衬底搬送容器。[〇〇24] 处理容器30由上部开口的容器主体31、和封堵容器主体31的上部开口的盖体32构成，在内部形成密闭构造的衬底处理室50。此外，也可以由盖体32和基座2所包围的空间来形成衬底处理室50。[〇〇25]在盖体32上设有:作为气体供给部的喷头5、作为包含喷头5在内的气体供给系统的气体供给管路6(6a、6b)、和以与该气体供给管路6独立地向衬底处理室50内供给非活性气体的方式与气体供给部5连接的非活性气体供给管路12。喷头5与处理室50内的衬底1相对设置，是为了向衬底处理室50内供给处理气体而设置的。该喷头5设在盖体32的内表面上部，由具有多个气孔且使气体呈喷洒状分散的省略了图示的气体分散板、和将多种气体混合的省略了图示的混合室构成。[〇〇26]气体供给管路6 (6a、6b)构成为经由喷头5向衬底处理室50内供给处理气体。具体地说，气体供给管路6构成为，具有与喷头5连接且与混合室连通的气体供给管15( 15a、 15b )、和设在气体供给管15 (15a、15b)上的气体流量控制器(质量流量控制器:MFC) 16 (16a、 16b)，而能够以所期望的气体流量、所期望的气体比率向衬底处理室50内供给所期望种类的气体。此外，也可以构成为将气体供给源17(17a、17b)包含在气体供给管路(气体供给系统)6中。[〇〇27]气体排气系统构成为，包含:排气管231，其构成设于衬底处理室50的上侧(盖体 32)的排气口7;作为缓冲排气管的环状部件14,其包含节流部14b和环状路14a，其中节流部 14b对从衬底处理室50排出的排出气体的流量进行节流，环状路14a是为了供从节流部14b 导入的排出气体向排气口 7流动而设置的流路;和阀59，其用于对衬底处理室50内的压力进行控制。在此，也可以将对衬底处理室50的排出气体进行排气的未图示的真空栗包含在气体排气系统中。此外，环状部件14呈圆圈状或环状的形状。环状路14a的截面形状并不如本实施方式那样限定于四边形，例如也可以是三角形。另外，与排气口 7的截面面积相比增大环状路14a的截面面积，来调整(减小)排出气体向排气口 7排出的速度。在此，排出气体是指从衬底1排出的气体。例如，在排出气体中包含未反应的处理气体、非活性气体等。由此，不仅通过APC阀59和真空栗，还通过设在衬底1的外侧附近的缓冲排气管14的结构，进行调整以使得从喷头5的中心部被导入到衬底处理室50内的非活性气体从衬底1的中心部向衬底1 的端部呈放射状均等地流动，从而基于非活性气体有效地排出(吹扫)处理气体。[〇〇28]在容器主体31上设有搬送口 8、及内置有作为加热部的加热器单元207的基座2。搬送口 8与排气口 7相比设在下方的容器主体31的一侧部上。构成为从衬底搬送室40经由搬送口 8向处理容器30内的衬底处理室50搬入硅晶片等处理前的衬底1，或从衬底处理室50经由搬送口8向衬底搬送室40搬出处理后的衬底1。此外，在容器主体31的搬送口8上开闭自如地设有进行衬底搬送室40与衬底处理室50之间的环境气体隔离的开闭阀9。[〇〇29] 在处理容器30的衬底处理室50内升降自如地设有上述的基座2,在基座2的表面上保持衬底1。衬底1经由基座2被加热器单元207加热。
[0030]在衬底支承销上下机构11上立起设置有多个支承销4,这些支承销4能够贯穿加热器单元207及基座2,且构成为根据基座2及衬底支承销上下机构11的升降而从基座2的表面出没自如。[〇〇31]衬底处理装置构成为，在基座2下降而处于能够进行搬送工序的位置时(参照图2， 以下将该位置称为搬送位置A)，多个支承销4从基座2突出而能够在多个支承销4上支承衬底1，从而能够在衬底处理室50与衬底搬送室40之间经由搬送口 8进行衬底1的搬送、搬出。 另外，衬底处理装置构成为，在基座2上升而处于比搬送位置A靠上方的能够进行处理工序的第1处理位置时(参照图1，以下将该位置称为衬底处理位置B)，支承销4不参与地将衬底1 载置在基座2上。[〇〇32]基座2设置成其支承轴与升降机构115连结而在衬底处理室50内升降。在支承轴24 的外周设有用于对支承轴24的直线运动进行密封的省略了图示的波纹管(bellows)。升降机构115构成为能够在衬底搬入工序、衬底处理工序、衬底搬出工序等各工序中，多级地调整衬底处理室50内的基座2的上下方向的位置(搬送位置A、衬底处理位置B等)。
[0033]另外，基座2能够旋转。即构成为，通过省略了图示的旋转机构使上述的筒状的支承轴24旋转自如，以支承轴24为中心旋转自如地设置内置有加热器的基座2，而能够在保持着衬底1的状态下以任意的速度使基座2旋转。另一方面，使设在基座2内的电阻加热器固定，并通过穿插在筒状的支承轴24内的未图示的固定部来支承。通过像这样使基座2旋转自如并使电阻加热器固定，来使基座2相对于电阻加热器相对旋转。[〇〇34]另外，如图1所示，在本实施方式中，尤其是，设在处理容器30的盖体32上部的上述气体供给管路6除了导入处理气体的作为第1气体供给系统的处理气体供给管路6a以外，还具有导入反应气体控制用的非反应气体的作为第3气体供给系统的非反应气体供给管路 6b。另外，作为第2气体供给系统的非活性气体供给管路12设在与衬底1的中心部相对的喷头5的大致中心部上。处理气体供给管路6a、非反应气体供给管6b连接于与衬底1的中心部相对的喷头5的大致中心部以外的部分。以下，之后存在以与非活性气体相同的意思使用非反应气体的情况。非反应气体主要是与处理气体混合来作为稀释用的非活性气体使用，另夕卜，存在作为排出衬底处理室50内的处理气体的吹扫用气体而使用的情况。
[0035]具体地说，构成非活性气体供给管路12的一部分的非活性气体供给管20设在与衬底1的大致中心部相对的喷头5的大致中心部上。另外，分别构成处理气体供给管路6a、非反应气体供给管路6b的一部分的处理气体供给管15a、非反应气体供给管15b构成为，连接于与衬底1的中心部相对的盖板1的中心以外的周边部，且从连接有非活性气体供给管20的喷头5的中心部分离。在非活性气体供给管20及处理气体供给管15a、非反应气体供给管15b上分别设有MFC21、16a、16b，能够独立地对向衬底处理室50内供给的包含非反应气体在内的非活性气体及处理气体的流量进行控制。此外，在非活性气体供给管20、处理气体供给管 15a、非反应气体供给管15b上分别连接有非活性气体供给源22、处理气体供给源17a、非反应气体供给源17b，也可以将这些各气体供给源17包含在各气体供给管路6中，另外，也可以将非活性气体供给源22包含在非活性气体供给管路12中。
[0036]此外，在本图中省略了对升降机构115、旋转机构、电阻加热器、MFC21、16 (16a、 16b)等各部分进行控制的控制机构，但作为控制机构的控制器500的构造例在图5中示出。 [〇〇37](衬底处理系统)[〇〇38]在上述那样的衬底处理装置中除去衬底上的薄膜的后述的衬底处理工序具有:将衬底1搬入到衬底处理室50内的搬入工序;经由喷头5向搬入到处理室50内的衬底1供给处理气体来对衬底1进行处理的处理工序;和将处理后的衬底1从衬底处理室50内搬出的搬出工序。在此，关于用于实现衬底处理工序的搬送系统的动作、例如衬底1的搬送、基座2的升降动作、支承销4的上下动作等衬底处理中的搬送系统的动作，说明上述三个工序(搬入工序、处理工序、搬出工序)。[〇〇39]在搬入工序中，基座2处于搬送位置A，为能够加热衬底1的状态，处理容器30的开闭阀9打开。衬底1通过省略了图示的搬送机构从衬底搬送室40经由搬送口 8被搬入到衬底处理室50中，并被多个支承销4支承(图2)。开闭阀9在衬底搬入后关闭。通过省略了图示的真空栗从排气口 7经由环状路14a对衬底处理室50内排气。
[0040]在处理工序中，首先通过升降机构115以使基座2从搬送位置A(图2)上升至基座2 和环状部件14的位置成为大致相同高度的衬底处理位置B(图1)的方式进行控制。在到达衬底处理位置B之前，衬底1从支承销4向基座2移载，通过加热器单元并经由基座2来直接加热衬底1。在衬底处理位置B移载到基座2上的衬底1与喷头5相对(图1)。在该状态下，根据需要通过旋转机构使基座2旋转从而使衬底1旋转。[〇〇411然后，从气体供给管路6(6a、6b)经由喷头5向衬底处理室50内的衬底1的表面如箭头所示地一边供给处理气体一边经由环状路14a从排气口7排气。在该过程中，除去形成在衬底1上的规定的膜。另外，也可以构成为，从连接于与衬底1的中心部相对的喷头5的中心部的非活性气体供给管路12向衬底处理室50内供给非活性气体。此时，构成为，从喷头5的中心部以外的部分导入到喷头5内的处理气体通过从喷头5的中心部导入到衬底处理室50 内的非活性气体而被控制其流动。在此，通过节流部14b来调整导入到环状路14a中的排出气体的流量，由此调整成从喷头5的中心部导入到衬底处理室50内的非活性气体与处理气体一起高效地被排出。除去了规定的膜后的基于非活性气体进行的处理气体的排出，在供给到衬底1的中心部的非活性气体的流动不会产生停滞、或不会在衬底1的表面产生处理气体的残渣那样的条件下进行。该条件是从非活性气体供给管20供给到衬底1的非活性气体在衬底1的表面从中心部向端部呈放射状均等地流动的条件。在此，通过节流部14b来调整向环状路14a导入的排出气体的流量。由此，抑制从排气口 7排出的排气量，因此从喷头5的中心部导入到衬底处理室50内的非活性气体不会从排气口 7侧集中地被排出，而是被调整为从衬底1的中心部呈放射状均等地流动至端部。另外，构成为排出气体在从排气口 7排出之前在环状路14a中滞留。通过该滞留来调整排气量。尤其是，在本实施方式中，通过基于非活性气体的流量进行的供给量的调整、基于环状部件14等的结构进行的排气量的调整，而能够实现衬底1上的非活性气体的流动的调整。这样的难以基于APC阀59和未图示的真空栗进行排气量调整的衬底1的表面处的气体的排出，能够根据气体供给侧的非活性气体的流量、及气体排气侧的包含环状部件14在内的排气系统的结构来调整。为此，通过设在非活性气体供给管12上的MFC21来调整从非活性气体供给管20通过的非活性气体的流量。另外，在基于非活性气体进行的处理气体的排出(吹扫)中，当然也可以如图3所示地在通过支承销4 使衬底1上升后再进行。[〇〇42] 在搬出工序中，在衬底处理后，基座2下降至搬送位置A(图2)。下降时，支承销4再次顶起衬底1，而在基座2与衬底1之间产生用于搬送的间隙。从搬送口 8通过搬送机构向衬底搬送室40搬出衬底1。[〇〇43](气体供给系统)[〇〇44]在处理容器30的上部的盖体32上附设有气体供给管15a、15b。在气体供给管15a上连接有将作为处理气体的含卤族元素气体向衬底供给的气体供给部5。在气体供给管15b上连接有将吹扫用或稀释用的非活性气体(在此为仏气体)向衬底处理室50供给的气体供给部5。另外，根据需要设有将其他气体、除去剂向衬底供给的除去剂供给部(未图示)、及/或供给清洁用的氟化氯(C1F3)气体等的供给部(未图示)。除去剂使用例如能够除去改性层 (自然氧化膜)的氟化氢气体等。此外，在此示出了作为除去剂而供给气体的例子，但并不限于此，也可以构成为能够通过基于供给液体进行的蚀刻方法来除去。另外，也可以使氩气等稀有气体流动、并供给高频电力来产生等离子体从而以溅蚀除去。在气体供给系统(气体供给管路)6上分别设有作为流量控制部的MFC16a、16b，能够控制气体供给量。另外，也可以将所使用的气体事前混合后再使其向衬底处理室50流动。另外，根据需要也可以为使用喷淋板5的构造。通过流量控制部及APC阀59来调整供给量、排气量，由此将处理容器30和衬底处理室50的压力控制为所期望的值。[〇〇45](衬底搬送系统)
[0046]接下来，使用图4来说明本实施方式中的衬底的搬送系统。搬送衬底的搬送系统具有:EFEM(Equipment FrontEnd Module:设备前端模块)100、加载互锁真空室(load-lock chamber)部200、和传输模块部300。
[0047]EFEM100具有F0UP(Front Opening Unified Pod:前开式晶片传送盒)110、120及从各个F0UP向加载互锁真空室搬送作为晶片的衬底1的第1搬送部即大气搬送机械手130。 在F0UP110、120上搭载有25片晶片1，大气搬送机械手130的臂部从F0UP每5片地抽出晶片1。 在EFEM100内和F0UP110、120内，根据需要，也可以为了抑制晶片1的自然氧化而使其为非活性气体环境。[〇〇48] 加载互锁真空室部200具有加载互锁真空室250、260、和在加载互锁真空室250、 260内分别保持从F0UP搬送来的晶片1的缓冲单元。此外，也可以使加载互锁真空室部200内为真空环境或非活性气体环境、供给了非活性气体的减压环境。
[0049]衬底搬送室40具有作为搬送室而使用的传输模块310,上述的加载互锁真空室 250、260经由闸阀313而安装在传输模块310上。在传输模块310上设有作为第2搬送部而使用的真空机械手单元320。此外，衬底搬送室40也可以为真空环境或非活性气体环境、供给了非活性气体的减压环境。为了在提高晶片1的搬送能力同时抑制氧向晶片1的不慎吸附， 而优选使加载互锁真空室部200内和衬底搬送室40内为供给了非活性气体的减压环境。
[0050]处理室部400具有处理室30a、30b。处理室30a、30b经由闸阀313、314而安装在传输模块310上。在此，处理室30a为与处理室30b相同的结构。
[0051](控制器)[〇〇52] 控制器500控制上述的各部分以进行后述的衬底处理工序。[〇〇53](控制部)[〇〇54]如图5所示，作为控制部(控制机构)的控制器500构成为具有CPU( Central Processing Unit)500a、RAM(Random Access Memory)500b、存储装置500c、I/O端口500d的计算机。RAM500b、存储装置500(:、1/0端口500(1构成为能够经由内部总线5006与0?1]50(^进行数据交换。在控制器500上连接有例如作为触摸面板等而构成的输入输出装置501。[〇〇55] 存储装置500c由例如闪存、HDD(Hard Disk Drive)等构成。在存储装置500c内，能够读出地存储有对衬底处理装置的动作进行控制的控制程序、记载有后述的衬底处理的步骤和/或条件等的程序控制方案(process recipe)等。此外，程序控制方案是以能够使控制器500执行后述的衬底处理工序中的各步骤并得到规定结果的方式进行组合而成的，作为程序而发挥功能。以下，也将该程序控制方案和控制程序等总括地简称为程序。此外，在本说明书中在使用了程序这一术语的情况下，存在仅包含程序控制方案单方的情况、仅包含控制程序单方的情况、或包含该双方的情况。另外，RAM500b构成为暂时保持由CPU500a读出的程序、数据等的存储区域(工作区域)。[〇〇56] I/O端口 500d与上述的衬底支承销上下机构11、加热器单元207、APC阀59、MFC21、 16a、16b、开闭阀9、排气栗51、大气搬送机械手52、闸阀313、真空机械手单元320等连接。此夕卜，在设置了激发部的情况下，构成为也能够与高频电源55、可动抽头(tap)56、反射功率仪 57、频率匹配器58连接。[〇〇57] CPU500a构成为，从存储装置500c读出并执行控制程序，并且根据来自输入输出装置501的操作指令的输入等从存储装置500c读出程序控制方案。并且，CPU500a构成为以按照读出的程序控制方案的内容的方式，对基于衬底支承销上下机构11进行的支承销4的上下动作、基于加热器单元207进行的晶片1的加热/冷却动作、基于APC阀59进行的压力调整动作、基于质量流量控制器21、16a、16b和开闭阀9进行的处理气体的流量调整动作等进行控制。此外，当然也可以设置在图5中被虚线包围的例如机械手旋转部和/或大气搬送机械手等结构。[〇〇58]此外，控制器500能够通过将外部存储装置(例如磁带、软盘或硬盘等磁盘、CD或 DVD等光盘、M0等光磁盘、USB存储器或存储器卡等半导体存储器)123中所存储的上述的程序安装到计算机上来构成。存储装置500c和外部存储装置123构成为计算机可读的记录介质。以下，也将它们总括地简称为记录介质。在本说明书中，在使用了记录介质这一术语的情况下，存在仅包含存储装置500c单方的情况、仅包含外部存储装置123单方的情况、或包含该双方的情况。此外，向计算机提供程序也可以不使用外部存储装置123而使用因特网或专用线路等通信机构来进行。
[0059] (2)衬底处理工序[〇〇6〇]接着，在图1?图3的基础之上，使用图6并基于实施例1至实施例3说明本实施方式的作为半导体制造工序的一个工序而实施的衬底处理工序。各实施例的工序由上述的衬底处理装置实施。此外，在以下的说明中，构成衬底处理装置的各部分的动作由控制器500控制。
[0061](实施例1)[〇〇62]本实施方式的衬底处理装置具有:衬底处理室50,其对至少表面的一部分上形成有Si膜的晶片1进行处理;升降机构115,其使载置晶片1的基座2升降;第1气体供给系统6a， 其将含卤族元素的处理气体向晶片1供给;第2气体供给系统6b，其将排出气体(非活性气体)向晶片1供给，其中排出气体用于将该处理气体向上述衬底处理室50外排出；缓冲排气管14,其为了对这些处理气体及排出气体进行排气而设在衬底处理室50的侧壁附近;和控制器500,其以如下方式进行控制:在将基座2和缓冲排气管14的高度调整为相同的状态下， 将上述排出气体从晶片1的上部向晶片1的中心部供给，使上述排出气体在晶片1的表面从晶片1的中心部呈放射状流动至晶片1的端部，经由缓冲排气管14被排出到衬底处理室50 夕卜。另外，衬底处理工序具有后述的搬入工序S10、除去工序S20、吹扫工序S30、搬出工序 S40〇
[0063](衬底的搬入工序S10)[〇〇64]首先，如图2所示，至少表面的一部分上形成有Si膜的晶片1从衬底搬送室40通过衬底搬送机械手并经由搬送口 8被搬动到衬底处理室50。[〇〇65](硅膜除去工序S20)
[0066]接着，使支承销4下降，将晶片1载置到基座2上。在此支承销4的升降通过衬底支承销上下机构11的升降来进行。通过基座2所具备的加热器单元207将预先晶片1加热到规定的温度，对晶片1以成为室温左右(例如25 °C)?规定的衬底温度的方式进行加热控制。根据需要，也可以同时使用用于对过剩的热(反应热)进行散热的冷却机构。在此，规定的衬底温度是指处理气体充分气化的温度带，为不会使形成在晶片1上的膜特性改性的温度。例如， 为30°C?50°C的范围，若列举一例则设定为50°C。接着，控制器500使基座2或基座2及衬底支承销4上升，并通过升降机构115使晶片1向衬底处理位置B移动，而将晶片1载置到基座2 上。总之，载置在基座2上的晶片1被配置到与气体供给部5非常接近的位置上，因此朝向晶片1的中心供给的非活性气体容易从晶片1的中心部呈放射状流动至端部。另外，将基座2 (或衬底处理位置B)和缓冲排气管14(的节流部14b)的高度调整为大致相同的高度。通过像这样构成，晶片1的端部和缓冲排气管14的位置成为接近的状态，因此包含该非活性气体在内的排出气体顺畅地从晶片1的端部经由缓冲排气管14的节流部14b向环状路14a流动。在此，当然也可以将基座2(或衬底处理位置B)的位置提高少许。[〇〇67]接着，从第1气体供给管系统6a将规定的处理气体经由喷头5向晶片1供给，从晶片 1进行Si膜的蚀刻。Si膜的蚀刻处理通过作为规定的处理气体而将蚀刻处理气体向晶片1上供给来进行。作为蚀刻处理气体，使用含卤素气体，例如为包含氟(F)、氯(C1)、溴(Br)、碘 (I)中的一种以上的卤族元素的气体。优选的是，使用含有两种卤族元素的气体。例如，具有五氟化碘(IF5)、七氟化碘(IF?)、三氟化溴(BrF3)、五氟化溴(BrF5)、二氟化氙(XeF2)、三氟化氯(C1F3)等。进一步优选使用IF7JF7能够选择性地除去Si膜。在此，选择性是指例如使Si膜的蚀刻率比其他膜(例如S1膜、SiN膜、金属膜等)的蚀刻率高。
[0068]与蚀刻气体的供给同时地通过APC阀来调整排气量，由此将衬底处理室50内的压力维持为规定的压力。例如，维持为〇.1?1 〇〇Pa。蚀刻气体流量被设定为0.1?10 SLM左右的范围内的规定流量。例如被设定为3SLM。另外，根据需要，也可以先对衬底处理室50的环境气体进行排气后再供给蚀刻处理气体。另外，由于一供给蚀刻处理气体，Si膜的蚀刻就会开始，所以期望压力和气体流量被迅速地设定为规定的值。
[0069](吹扫工序S30)[〇〇7〇] 蚀刻处理(除去工序)中使用的蚀刻处理气体通过设在衬底处理室50的侧面上的与缓冲排气管14的环状路14a连通的排气口 7而被排出。接着，在吹扫工序S30中，从非活性气体供给管20朝向晶片1的中心部供给非活性气体(例如氮(N2)气)。此时，所供给的非活性气体从晶片1的中心部呈放射状均等地流动至晶片1的端部，然后，顺畅地经由缓冲排气管 14的节流部14b向环状路14a流动，并从排气口7排出。通过像这样将非活性气体向晶片1的中心部供给并调整所供给的非活性气体在晶片1上的流动，而能够提高对蚀刻时所产生的副广物的除去效率。
[0071]而且，在吹扫工序S30中，若在被加热到在蚀刻工序中产生的副产物和残渣中的某一方、或双方的升华温度以上的晶片1上将非活性气体向衬底处理室50供给则会更好。由此，被供给到晶片1的中心部的非活性气体能够高效地将升华后的副产物和残渣排出至排气口7。由此，能够进一步提高对蚀刻时所产生的副产物的除去效率。进一步优选的是，以使衬底温度(晶片1的温度)成为在蚀刻工序中产生的副产物和残渣中的某一方或双方的升华温度以上、形成在晶片1上的电路的耐热温度或设在衬底处理室50周围的0型圈的耐热温度以下的方式进行加热。在此，所供给的非活性气体也可以在被加热部23加热后的状态下供给。[〇〇72]此外，也可以是，在结束必须的除去工序S20后停止处理气体的供给，并对处理容器30和衬底处理室50的环境气体进行排气，在吹扫工序S30之前使支承销4上升，从而使晶片1从基座2分离，并从非活性气体供给管20经由喷头5的大致中心部分向晶片1上供给非活性气体。通过在该状态下供给非活性气体，晶片1与非活性气体的供给口之间的距离变短， 从而能够进一步提尚晶片1的排出效率。[〇〇73](衬底搬出工序S40)[〇〇74]将晶片1冷却至能够搬送的温度，在做好从衬底处理室50搬出的准备后，以与上述的衬底搬入工序S10相反的步骤将其搬出。
[0075](本实施方式的效果)
[0076]根据本实施方式，起到以下(a)至(e)所记载的效果中的至少一个或多个效果。[〇〇77](a)通过将含卤族元素的处理气体向衬底整面供给并从衬底的中心部供给非活性气体，而能够高效地除去Si膜。
[0078](b)另外，通过在以包围衬底的外侧的方式设置的环状部件上设置节流部，来抑制排气系统的排气量，由此能够抑制包含衬底上的处理气体在内的排出气体仅从排气口侧排出。由此，调整为排出气体在衬底上呈放射状均等地流动。
[0079](c)另外，通过从衬底的中心侧供给非活性气体，来使非活性气体从衬底中心侧向衬底的端侧呈放射状流动，由此能够提高对在处理气体供给时所产生的副产物和处理气体的残渣的排出效率。
[0080] (d)另外，通过将衬底的温度加热到比从处理气体产生的副产物或残渣的升华温度高的温度，而能够提高对从处理气体产生的副产物或残渣的除去效率。
[0081] (e)另外，在由衬底支承销支承着衬底之后供给非活性气体，由此到非活性气体的供给口为止的距离变短，从而能够提高对从处理气体产生的副产物或残渣的除去效率。 [〇〇82](实施例2)[〇〇83]本实施方式中的衬底处理装置具有:衬底处理室50,其对至少表面的一部分上形成有Si膜的晶片1进行处理；第1气体供给系统6a，其将含卤族元素的处理气体向晶片1供给;第2气体供给系统6b，其向晶片1供给加热后的非活性气体;和控制器500,其以在供给了处理气体之后供给上述加热后的非活性气体的方式对第1气体供给系统6a和第2气体供给系统6b进行控制。另外，本实施方式中的衬底处理工序具有后述的搬入工序S10、除去工序 S20、吹扫工序S30、搬出工序S40。实施例1和实施例2的不同仅为在吹扫工序S30中将加热后的非活性气体向衬底处理室50内供给的结构不同这一方面。因此，简单地记载其他工序。另夕卜，即使没有特别记载，实施例2当然也会起到上述的实施例1中的效果。
[0084](衬底的搬入工序S10)[〇〇85]与实施例1同样地，至少表面的一部分上形成有Si膜的衬底1从衬底搬送室40通过衬底搬送机械手并经由搬送口 8被搬送到衬底处理室50。
[0086](硅膜除去工序S20)[〇〇87]与实施例1同样地，将衬底1载置到基座2上。通过基座2所具备的加热器单元207将衬底1预先加热到规定的温度，例如，对衬底1以成为室温左右?规定的衬底温度的方式进行加热。接着，使基座2或基座2及衬底支承销上下机构11上升，并向衬底处理位置B移动，而将衬底1载置到基座2上。
[0088]接着，与实施例1同样地，从至少表面的一部分上形成有娃(Si)膜的衬底1进行Si 膜的蚀刻。作为蚀刻处理气体，使用与实施例1相同的含卤素气体。[〇〇89]同样地，衬底处理室50内的压力、蚀刻气体流量与实施例1相同。在此，优选在Si膜蚀刻后进行准备接下来的新工序而必须的吹扫处理。
[0090]此外，在含Si膜上形成有几个原子程度的改性层的情况下，优选在供给处理气体之前，将作为上述的除去剂的除去气体向衬底供给。在此，改性层是指形成在含Si膜上的氧化膜。该氧化膜即使为几个原子层的厚度，也无法通过上述的处理气体除去，而阻碍含Si膜的除去。通过供给除去气体，而能够在维持着含Si膜和其他膜结构的状态下除去改性层，从而能够通过处理气体实现含硅膜的细微除去。
[0091](吹扫工序S30)[〇〇92]用于蚀刻处理的蚀刻气体通过设在处理室50的侧面上的、与环状部件14连通的排气口 7而被排出。接着，从非活性气体供给管20，将作为非活性气体的例如氮气从喷头5的大致中心部分向衬底1上供给。此时，所供给的氮气在被加热部23加热后的状态下被供给。另夕卜，所供给的非活性气体若被加热到比上述的蚀刻气体高的温度则会更好。通过像这样将非活性气体加热到比蚀刻气体高的温度，而能够提高对蚀刻时所产生的副产物的除去效率。而且，若向衬底处理室50供给的非活性气体的温度被加热到在蚀刻工序中产生的副产物和残渣中的某一个或双方的升华温度以上后再向衬底上供给则会更好。由此，能够进一步提高对蚀刻时所产生的副产物的除去效率。进一步优选的是，以非活性气体的温度成为在蚀刻工序中产生的副产物和残渣中的某一个或双方的升华温度以上、形成在衬底上的电路的耐热温度或设在衬底处理室50周围的0型圈的耐热温度以下的方式进行加热。在此，当然是通过加热器单元207来与实施例1同样地控制衬底1的温度。[〇〇93]与实施例1同样地，也可以在结束必须的除去工序S20后停止处理气体的供给，并在吹扫工序S30之前使支承销4上升，使衬底1从基座2分离并供给非活性气体。[〇〇94](衬底搬出工序S40)[〇〇95]与实施例1同样地，将衬底1冷却至能够搬送的温度，在做好从衬底处理室50搬出的准备后，以与上述的衬底搬入工序S10相反的步骤来将其搬出。
[0096](本实施方式的效果)
[0097]根据本实施方式，除实施例1中的效果以外，还起到以下所记载的效果中的至少一个或多个效果。[〇〇98] (f)通过供给加热后的非活性气体，而能够除去处理气体供给时所产生的副产物和残渣中的某一方或双方。[〇〇99] (g)另外，通过将非活性气体加热到比处理气体高的温度，而能够提高对从处理气体产生的副产物和残渣中的某一方或双方的除去效率。
[0100] (h)另外，通过不是从喷头而是从衬底的中心侧供给非活性气体，而能够抑制非活性气体的温度降低地向衬底供给。[〇1〇1] (i)另外，在由衬底支承销支承着衬底之后供给加热后的非活性气体，由此衬底与加热后的非活性气体的供给口之间的距离变短，而能够提高衬底的加热效率。另外，能够进一步提高基于非活性气体进行的对副产物和残渣中的某一方或双方的除去效率。
[0102] (j)另外，通过将非活性气体在加热到副产物或残渣的升华温度以上的状态下供给，而能够进一步提高基于非活性气体进行的对副产物和残渣中的某一方或双方的除去效率。
[0103](实施例3)[〇1〇4]本实施方式中的衬底处理装置具有:衬底处理室50,其对至少表面的一部分上形成有Si膜的晶片1进行处理；第1气体供给系统6a，其将含卤族元素的处理气体向晶片1供给;第2气体供给系统6b，其向晶片1供给加热后的非活性气体;和控制器500,其以与上述加热后的非活性气体同时地供给处理气体的方式对第1气体供给系统6a和第2气体供给系统 6b进行控制。
[0105]结构与实施例2相同，与实施例2不同的方面是使处理气体与加热后的非活性气体同时流动的方面。因此，在实施例3中仅说明该方面。此外，以作为处理气体而使用IF7气体为前提来说明。
[0106]通过使处理气体和加热后的非活性气体同时流动，来使处理气体和非活性气体在衬底处理室50内混合。由此，例如将处理气体加热到50 °C左右。
[0107]由此，通过将处理气体和非活性气体的混合气体向晶片1供给，而能够选择性地除去Si膜，此时，也可以不进行基于加热器单元207的加热。但是，由于在晶片1上处理气体有可能降低至再次液化的温度，所以也可以根据需要进行基于加热器单元207的加热。并且，在规定的时间过去后，停止处理气体的供给，转移到下一道的吹扫工序S30。
[0108]在吹扫工序S30中，期望构成为，为了除去仅通过非活性气体而难以排出的副产物或残渣，而进行基于加热器单元207的加热，使晶片1的温度成为升华温度以上。另外，在吹扫工序S30中，不需要进行非活性气体的加热。
[0109](k)在本实施方式中，在Si膜除去工序时，能够省略基于加热器单元207的加热，因此能够抑制电力的消耗。
[0110]<本发明的其他实施方式>
[0111]以上，具体地说明了本发明的实施方式，但本发明并不限定于上述的实施方式，在不脱离其要旨的范围内能够进行各种变更。[〇112]例如，在将膜形成在衬底上的成膜装置、对衬底进行热处理的热处理装置等衬底处理装置中也能够适用。例如，在有助于成膜的气体的沸点高、且残留在衬底的表面等上的情况下，通过供给非活性气体等所期望的气体，而能够提高对残留的气体的除去效率。另夕卜，并不以衬底的同时处理片数、保持衬底的朝向、稀释用气体或吹扫用气体的种类、清洁方法、衬底处理室或加热机构及冷却机构的形状等来限定实施范围。[〇113]另外，本发明并不限于本实施方式的衬底处理装置这样的对半导体晶片进行处理的半导体制造装置等，也能够适用于对玻璃衬底进行处理的LCD (Liquid Crystal Display:液晶显示器)制造装置、太阳能电池制造装置等衬底处理装置、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems:微机电系统)制造装置。例如，也能够适用于对使IXD驱动的晶体管、太阳能电池中使用的单晶硅、多晶硅、非晶硅进行加工的处理。
[0114]<本发明的优选方式>
[0115]以下附记本发明的优选方式。
[0116]< 附记 1>[〇117]根据本发明的一个方式，提供一种衬底处理装置，具有:处理室，其对至少表面的一部分上形成有硅膜的衬底进行处理;升降机构，其使载置上述衬底的衬底载置部升降;第 1气体供给系统，其将含卤族元素的处理气体向上述衬底供给;第2气体供给系统，其将非活性气体向上述衬底供给，其中非活性气体用于将上述处理气体向上述处理室外排出；排气部，其为了对上述处理气体及上述非活性气体进行排气而设在上述处理室的侧壁附近;和控制部，其以如下方式对上述升降机构、上述处理气体供给系统及上述非活性气体供给系统进行控制:在调整了上述衬底载置部和上述排气部的高度的状态下，供给上述处理气体， 并在供给了上述处理气体后，将上述非活性气体从上述衬底的上方向上述衬底的中心部供给，使上述非活性气体在上述衬底的表面上从上述衬底的中心部呈放射状流动至上述衬底的端部，经由上述排气部被排出到上述处理室外。
[0118]< 附记 2>
[0119]附记1所记载的衬底处理装置中，优选构成为，上述第1气体供给系统从上述衬底的上方呈喷洒状供给上述处理气体，上述第2气体供给系统从上述衬底的中心侧供给上述非活性气体。
[0120]< 附记 3>[〇121]附记1或附记2所记载的衬底处理装置中，进一步优选构成为，具有对上述衬底进行加热的加热部，上述加热部将上述衬底加热到比室温高的温度(例如30°C?50°C)。
[0122]< 附记 4>
[0123]附记3所记载的衬底处理装置中，优选构成为，上述加热部将上述衬底加热到供给上述处理气体时所产生的副产物和残渣中的某一方或双方的升华温度以上的温度。
[0124]< 附记 5>
[0125]附记1或附记2所记载的衬底处理装置中，优选的是，上述处理气体供给系统与设在上述衬底的上方的气体供给部连接，上述处理气体供给系统构成为从设在上述气体供给部的整面上的孔供给处理气体，上述非活性气体供给系统构成为从上述衬底的中心侧供给非活性气体。
[0126]< 附记 6>
[0127]附记1或附记5所记载的衬底处理装置中，进一步优选构成为，在上述处理室内设有支承上述衬底的支承销，上述第1气体供给系统在将上述衬底载置到上述衬底载置部上的状态下将上述处理气体向上述衬底供给，上述第2气体供给系统在由上述支承销支承着上述衬底的状态下供给上述非活性气体。
[0128]< 附记 7>
[0129]附记1所记载的衬底处理装置中，优选构成为，上述排气部包含:对从上述衬底处理室排出的气体的流量进行节流的节流部;和形成为了供从节流部导入的气体流动而设置的流路的环状路。
[0130]< 附记 8>[〇131]附记1所记载的衬底处理装置中，优选的是，上述处理气体使用了含卤素气体，例如是从由氟(F)、氯(C1)、溴(Br)、碘(I)、五氟化碘(IF5)、七氟化碘(IF?)、三氟化溴(BrF3)、 五氟化溴(BrF5)、二氟化氙(XeF2)、三氟化氯(C1F3)构成的组中选择的一种以上的含卤族元素的气体。
[0132]< 附记 9>
[0133]根据本发明的其他方式，提供一种半导体器件的制造方法，具有:对将至少表面的一部分上形成有硅膜的衬底收纳到处理室中并载置上述衬底的衬底载置部、和设在上述处理室的侧壁附近的排气部的高度进行调整的工序；向上述衬底供给含卤族元素的处理气体的工序;和以如下方式向上述衬底供给上述非活性气体的工序:在供给了上述处理气体之后，将上述非活性气体从上述衬底的上方向上述衬底的中心部供给，使上述非活性气体在上述衬底的表面上从上述衬底的中心部呈放射状流动至上述衬底的端部，经由上述排气部被排出到上述处理室外。
[0134]< 附记 1〇>
[0135]根据本发明的另一其他方式，提供一种使计算机执行如下步骤的程序或记录了该程序的计算机可读的记录介质:对将至少表面的一部分上形成有硅膜的衬底收纳到处理室中并载置上述衬底的衬底载置部、和设在上述处理室的侧壁附近的排气部的高度进行调整的步骤；向上述衬底供给含卤族元素的处理气体的步骤;和以如下方式向上述衬底供给上述非活性气体的步骤:在供给了上述处理气体之后，将上述非活性气体从上述衬底的上方向上述衬底的中心部供给，使上述非活性气体在上述衬底的表面上从上述衬底的中心部呈放射状流动至上述衬底的端部，经由上述排气部被排出到上述处理室外。
[0136]< 附记11>
[0137]根据本发明的另一其他方式，提供一种半导体器件的制造方法，具有:将至少表面的一部分上形成有硅膜的衬底收纳到处理室中的工序；向上述衬底供给含卤族元素的处理气体的工序;和在供给了上述处理气体之后，向上述衬底供给加热后的非活性气体的工序。
[0138]< 附记 12>
[0139]附记11所记载的半导体器件的制造方法中，优选的是，上述处理气体从上述衬底的上方呈喷洒状供给，上述加热后的非活性气体从上述衬底的中心侧供给。
[0140]< 附记 13>
[0141]附记11或附记12所记载的半导体器件的制造方法中，优选的是，上述非活性气体被加热到比上述处理气体高的温度。
[0142]< 附记 14>
[0143]附记11至附记13中的任一项所记载的半导体器件的制造方法中，优选的是，上述非活性气体被加热到在供给上述处理气体的工序中产生的副产物和残渣中的某一方或双方的升华温度以上的温度后向上述衬底供给。
[0144]< 附记 15>
[0145]附记11至附记14中任一项所记载的半导体器件的制造方法中，进一步优选的是， 在上述处理室内设有载置上述衬底的衬底载置部、和支承上述衬底的支承销，在上述处理气体的供给工序中，在将上述衬底载置到上述衬底载置部上的状态下供给上述处理气体， 在上述加热后的非活性气体的供给工序中，在由上述支承销支承着上述衬底的状态下供给上述加热后的非活性气体。
[0146]< 附记 16>
[0147]根据本发明的另一其他方式，提供一种衬底处理装置，具有:处理室，其收纳至少表面的一部分上形成有硅膜的衬底;处理气体供给系统，其向上述衬底供给含卤族元素的处理气体;非活性气体供给系统，其向上述衬底供给加热后的非活性气体;和控制部，其以在供给了上述处理气体之后供给上述加热后的非活性气体的方式对上述处理气体供给系统和上述非活性气体供给系统进行控制。
[0148]〈附记 17>
[0149]附记16所记载的衬底处理装置中，优选的是，上述处理气体供给系统与设在上述衬底的上方的喷头连接，上述处理气体供给系统构成为从设在上述喷头的整面上的孔供给处理气体，上述非活性气体供给系统构成为从上述衬底的中心侧供给非活性气体。
[0150]< 附记 18>
[0151]附记16或附记17所记载的衬底处理装置中，优选构成为，上述非活性气体被加热到比上述处理气体高的温度。
[0152]< 附记 19>
[0153]附记16至附记18中任一项所记载的衬底处理装置中，优选构成为，上述非活性气体被加热到供给上述处理气体时产生的副产物和残渣中的某一方或双方的升华温度以上的温度后向上述衬底供给。
[0154]< 附记 20>
[0155]附记16至附记19中任一项所记载的衬底处理装置中，优选的是，在上述处理室内设有载置上述衬底的衬底载置部、和支承上述衬底的支承销，上述控制部构成为，在将上述衬底载置到上述衬底载置部上的状态下供给上述处理气体，并在由上述支承销支承着上述衬底的状态下供给上述加热后的非活性气体。
[0156]< 附记 21>
[0157]根据本发明的另一其他方式，提供一种使计算机执行如下步骤的程序或记录了该程序的计算机可读的记录介质:将至少表面的一部分上形成有硅膜的衬底收纳到处理室中的步骤；向上述衬底供给含卤族元素的处理气体的步骤;和在供给了上述处理气体之后向上述衬底供给加热后的非活性气体的步骤。
[0158]< 附记 22>
[0159]附记21所记载的记录介质中，优选构成为，在供给上述非活性气体的步骤中，上述非活性气体被加热到比上述处理气体高的温度。
[0160]< 附记 23>
[0161]附记21所记载的记录介质中，优选构成为，在供给上述非活性气体的步骤中，上述非活性气体被加热到在供给上述处理气体的步骤中产生的副产物和残渣中的某一方或双方的升华温度以上的温度后向上述衬底供给。
[0162]< 附记 24>
[0163]附记21所记载的记录介质中，优选构成为，在将上述衬底收纳到处理室内的步骤中，进一步设置通过使载置上述衬底的衬底载置部和支承上述衬底的支承销升降来使上述衬底成为规定的处理位置的步骤，在上述处理气体的供给步骤中，在将上述衬底载置到上述衬底载置部上的状态下供给上述处理气体，在上述非活性气体的供给步骤中，在由上述支承销支承着上述衬底的状态下供给上述加热后的非活性气体。
[0164]< 附记 25>
[0165]根据本发明的另一其他方式，提供一种衬底处理装置，具有:处理室，其收纳至少表面的一部上形成有硅膜的衬底;处理气体供给系统，其向上述衬底供给含卤族元素的处理气体;非活性气体供给系统，其向上述衬底供给加热后的非活性气体;和控制部，其以同时供给上述处理气体和上述加热后的非活性气体的方式对上述处理气体供给系统和上述非活性气体供给系统进行控制。
[0166]< 附记 26>
[0167]根据本发明的另一其他方式，提供一种半导体器件的制造方法，具有:将至少表面的一部分上形成有硅膜的衬底收纳到处理室中的工序;和向上述衬底同时供给含卤族元素的处理气体和加热后的非活性气体的工序。
[0168]<附记27>
[0169]根据本发明的另一其他方式，提供一种使计算机执行如下步骤的程序或记录了该程序的计算机可读的记录介质:将至少表面的一部分上形成有硅膜的衬底收纳到处理室中的步骤;和向上述衬底同时供给含卤族元素的处理气体和加热后的非活性气体的步骤。 [〇17〇] 本申请以2014年3月26日提出的日本申请特愿2014-064064为基础主张优先权的权益，通过引用将其全部公开收入至此。
[0171]工业实用性
[0172]能够适用于对使LCD驱动的晶体管或太阳能电池等器件、存储器等半导体器件等中使用的单晶硅、多晶硅、非晶硅进行加工的处理。
[0173]附图标记说明
[0174]1衬底、2基座、4支承销、5喷头、6a气体供给管路(第1气体供给管路)、6b气体供给管路、7排气口、8搬送口、9开闭阀、11衬底支承销上下机构、12非活性气体供给管路(第2气体供给管路)、14环状部件(缓冲排气管)、15a处理气体供给管、15b处理气体供给管、16a MFC、16b MFC、20非活性气体供给管、21MFC、24支承轴、30处理容器、31容器主体、32盖体、40 衬底搬送室、50衬底处理室、100EFEM、123外部存储装置、200加载互锁真空室部、300传输模块部。
【主权项】
1.一种衬底处理装置，其特征在于，具有:处理室，其对至少表面的一部上形成有硅膜的衬底进行处理;升降机构，其使载 置所述衬底的衬底载置部升降;第1气体供给系统，其将含卤族元素的处理气体向所述衬底 供给;第2气体供给系统，其将非活性气体向所述衬底供给，其中该非活性气体用于将所述 处理气体向所述处理室外排出；排气部，其为了对所述处理气体及所述非活性气体进行排 气而设在所述处理室的侧壁附近;和控制部，其以如下方式对所述升降机构、所述第1气体 供给系统及所述第2气体供给系统进行控制:在调整了所述衬底载置部的高度和所述排气 部的高度的状态下，供给所述处理气体，并在供给了所述处理气体后，将所述非活性气体从 所述衬底的上方向所述衬底的中心部供给，使所述非活性气体在所述衬底的表面上从所述 衬底的中心部呈放射状流动至所述衬底的端部，经由所述排气部被排出到所述处理室外。2.如权利要求1所述的衬底处理装置，其特征在于，构成为，所述第1气体供给系统从所述衬底的上部呈喷洒状供给所述处理气体，所述第 2气体供给系统从所述衬底的中心侧供给所述非活性气体。3.如权利要求1或2所述的衬底处理装置，其特征在于，进一步构成为，具有对所述衬底进行加热的加热部，所述加热部将所述衬底加热到比室温高的温度。4.如权利要求3所述的衬底处理装置，其特征在于，构成为，所述加热部使所述衬底成为副产物或残渣的升华温度以上的温度。5.如权利要求1或2所述的衬底处理装置，其特征在于，所述第1气体供给系统与设在所述衬底的上部的气体供给部连接，所述第1气体供给系 统构成为从设在所述气体供给部的整面上的孔供给处理气体，所述第2气体供给系统构成 为从所述衬底的中心侧供给非活性气体。6.如权利要求1所述的衬底处理装置，其特征在于，进一步构成为，在所述处理室内设有支承所述衬底的支承销，所述第1气体供给系统在 将所述衬底载置到所述衬底载置部上的状态下供给所述处理气体，所述第2气体供给系统 在由所述支承销支承着所述衬底的状态下供给所述加热后的非活性气体。7.如权利要求1所述的衬底处理装置，其特征在于，构成为，所述排气部包含:对从所述处理室排出的气体的流量进行节流的节流部、和形 成为了供从节流部导入的气体流动而设置的流路的环状路。8.如权利要求1所述的衬底处理装置，其特征在于，所述处理气体是从由氟(F)、氯(C1)、溴(Br)、碘(I)、五氟化碘(IF5)、七氟化碘(IF?)、三 氟化溴(BrF3)、五氟化溴(BrF5)、二氟化氙(XeF2)、三氟化氯(C1F3)构成的组中选择的一种 以上的含卤族元素的气体。9.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，具有:对将至少表面的一部上形成有硅膜的衬底收纳到处理室中并载置所述衬底的衬底载 置部、和设在所述处理室的侧壁附近的排气部的高度进行调整的工序；向所述衬底供给含 卤族元素的处理气体的工序;和以如下方式向所述衬底供给非活性气体的工序:在供给了 所述处理气体之后，将所述非活性气体从所述衬底的上方向所述衬底的中心部供给，使所 述非活性气体在所述衬底的表面上从所述衬底的中心部呈放射状流动至所述衬底的端部，经由所述排气部被排出到所述处理室外。10.—种记录介质，是计算机可读的记录介质，其特征在于，记录了使计算机执行如下步骤的程序:对将至少表面的一部分上形成有硅膜的衬底收 纳到处理室中并载置所述衬底的衬底载置部、和设在所述处理室的侧壁附近且呈圆筒状构 成的排气部的高度进行调整的步骤；向所述衬底供给含卤族元素的处理气体的步骤;和以 如下方式向所述衬底供给所述非活性气体的步骤:在供给了所述处理气体之后，将所述非 活性气体从所述衬底的上方向所述衬底的中心部供给，使所述非活性气体在所述衬底的表 面上从所述衬底的中心部呈放射状流动至所述衬底的端部，经由所述排气部被排出到所述 处理室外。
【文档编号】H01L21/302GK105981135SQ201580007784
【公开日】2016年9月28日
【申请日】2015年3月25日
【发明人】柳泽爱彦, 野内英博
【申请人】株式会社日立国际电气